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GaNパワーデバイスの世界市場2022-2031:産業分析、規模、シェア、成長、動向、予測

• 英文タイトル:Power GaN Devices Market (Device Type: Integrated Power Devices and Discrete Power Devices; and Voltage: Below 200V, 200-600V, and Above 600V) - Global Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends, and Forecast, 2022-2031

Transparency Market Researchが調査・発行した産業分析レポートです。GaNパワーデバイスの世界市場2022-2031:産業分析、規模、シェア、成長、動向、予測 / Power GaN Devices Market (Device Type: Integrated Power Devices and Discrete Power Devices; and Voltage: Below 200V, 200-600V, and Above 600V) - Global Industry Analysis, Size, Share, Growth, Trends, and Forecast, 2022-2031 / MRC2301F0084資料のイメージです。• レポートコード:MRC2301F0084
• 出版社/出版日:Transparency Market Research / 2022年11月18日
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• レポート形態:英文、PDF、138ページ
• 納品方法:Eメール
• 産業分類:電子
• 販売価格(消費税別)
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レポート概要
トランスペアレンシー・マーケット・リサーチ社の当調査資料では、世界のGaNパワーデバイス市場について総合的に調査・分析を行い、序論、エグゼクティブサマリー、市場動向、関連産業・主要指標分析、デバイスタイプ別(統合型電源デバイス、ディスクリート電源デバイス)、電圧別(200V以下、200~600V、600V以上)、産業別(IT&通信、自動車、半導体&電子部品、工業、その他)分析、地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東/アフリカ、南米)分析、競争状況、企業情報などの項目を掲載しています。なお、当市場の主要企業には、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.、SOITEC、Fujitsu limited、GaN Power Inc.、GaN Systems、Infineon Technologies、Navitas Semiconductor、NexGen Power Systems、On Semiconductors、Panasonic Corporationなどが含まれています。
・序論
・エグゼクティブサマリー
・市場動向
・関連産業・主要指標分析

・世界のGaNパワーデバイス市場規模:デバイスタイプ別
- 統合型電源デバイスの市場規模
- ディスクリート電源デバイスの市場規模

・世界のGaNパワーデバイス市場規模:電圧別
- 200V以下GaNパワーデバイスの市場規模
- 200~600VGaNパワーデバイスの市場規模
- 600V以上GaNパワーデバイスの市場規模

・世界のGaNパワーデバイス市場規模:産業別
- IT&通信産業における市場規模
- 自動車産業における市場規模
- 半導体&電子部品産業における市場規模
- 工業産業における市場規模
- その他産業における市場規模

・世界のGaNパワーデバイス市場規模:地域別
- 北米のGaNパワーデバイス市場規模
- ヨーロッパのGaNパワーデバイス市場規模
- アジア太平洋のGaNパワーデバイス市場規模
- 中東/アフリカのGaNパワーデバイス市場規模
- 南米のGaNパワーデバイス市場規模
- その他地域のGaNパワーデバイス市場規模

・競争状況
・企業情報

TMRのレポートは、2022年から2031年までの予測期間におけるグローバルなパワーGaNデバイス市場の成長トレンドと機会を調査しています。レポートは、2017年から2031年までのグローバルなパワーGaNデバイス市場の収益を提供し、2021年を基準年、2031年を予測年としています。また、2022年から2031年までのCAGR(年平均成長率)も示しています。

レポートは広範な調査の後に準備されており、主に主要な意見リーダーや業界リーダーとのインタビューを通じた一次研究が行われました。二次研究では、主要プレイヤーの製品文献、年次報告書、プレスリリース、関連文書を参照し、パワーGaNデバイス市場を理解しています。

二次研究には、インターネットソース、政府機関の統計データ、ウェブサイト、貿易協会も含まれています。アナリストは、グローバルなパワーGaNデバイス市場のさまざまな属性を研究するために、トップダウンおよびボトムアップのアプローチを組み合わせて使用しています。

レポートには詳細なエグゼクティブサマリーが含まれ、調査対象のさまざまなセグメントの成長動向のスナップショットも提供されています。また、グローバルなパワーGaNデバイス市場における競争ダイナミクスの変化にも光を当てています。これらは、既存の市場プレイヤーやグローバルなパワーGaNデバイス市場への参加を希望する企業にとって貴重なツールとなります。

レポートは、グローバルなパワーGaNデバイス市場の競争環境を掘り下げています。市場で活動する主要なプレイヤーが特定され、それぞれが企業概要、財務状況、最近の動向、SWOT分析などの属性に基づいてプロファイルされています。

研究方法論は、パワーGaNデバイス市場を分析するために、徹底的な一次および二次研究の組み合わせを用います。

二次研究には、会社の文献、技術文書、特許データ、インターネットソース、政府ウェブサイトや貿易協会からの統計データの検索が含まれます。これにより、正確なデータを取得し、業界参加者の洞察を捕らえ、ビジネス機会を認識するための最も信頼性の高い、効果的なアプローチが確保されます。

具体的な二次研究のソースには、業界ソース(WorldWideScience.org、Elsevier、NIH、PubMedなど)、貿易データソース(Trade Map、UN Comtradeなど)、企業情報(OneSource Business Browser、Hoover’s、Bloombergなど)が含まれます。また、M&Aに関する情報も収集されます。

一次研究では、業界の参加者や意見リーダーとのインタビューを通じて、第一手の情報を収集します。一次研究は、データと分析を検証するための重要な役割を果たし、業界の動向や競争環境などの情報を提供します。

市場規模の推定は、製品の特徴、技術の更新、地理的な存在、製品需要、販売データなどの詳細な研究を通じて行われます。また、ハードデータが利用できない場合は、モデリング技術を使用して包括的なデータセットを生成します。市場予測は、ドライバー、制約、機会を考慮し、セグメントごとの優位性や劣位性を評価しながら導き出されます。

レポート目次

1. 序文
1.1. 市場概要
1.2. 市場およびセグメントの定義
1.3. 市場分類
1.4. 調査方法論
1.5. 仮定および略語
2. エグゼクティブサマリー
2.1. グローバルGaNパワーデバイス市場概要
2.2. 地域別概要
2.3. 業界概要
2.4. 市場動向の概要
2.5. 競争構造
3. 市場動向
3.1. マクロ経済的要因
3.2. 推進要因
3.3. 抑制要因
3.4. 機会
3.5. 主要トレンド
3.6. 規制環境
4. 関連産業と主要指標の評価
4.1. 親産業の概要 – パワーデバイス産業の概要
4.2. サプライチェーン分析
4.3. 価格分析
4.4. 技術ロードマップ分析
4.5. 業界SWOT分析
4.6. ポーターの5つの力分析
4.7. COVID-19の影響と回復分析
5. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場分析
5.1. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測(2017-2031年)
5.1.1. 統合型パワーデバイス
5.1.2. ディスクリート型パワーデバイス
5.2. デバイスタイプ別市場魅力度分析
6. 電圧別パワーGaNデバイス市場分析
6.1. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析・予測(2017年~2031年)
6.1.1. 200V未満
6.1.2. 200-600V
6.1.3. 600V超
6.2. 電圧別市場魅力度分析
7. 最終用途産業別パワーGaNデバイス市場分析
7.1. 最終用途産業別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)分析及び予測、2017–2031年
7.1.1. IT・通信
7.1.2. 自動車産業
7.1.3. 半導体・電子機器産業
7.1.4. 産業用機器産業
7.1.5. 航空宇宙・防衛産業
7.1.6. その他産業
7.2. 最終用途産業別市場魅力度分析
8. 地域別パワーGaNデバイス市場分析と予測
8.1. パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析・予測、地域別、2017年~2031年
8.1.1. 北米
8.1.2. 欧州
8.1.3. アジア太平洋
8.1.4. 中東・アフリカ
8.1.5. 南米
8.2. 地域別市場魅力度分析
9. 北米パワーGaNデバイス市場分析と予測
9.1. 市場概要
9.2. 推進要因と抑制要因:影響分析
9.3. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測、2017–2031年
9.3.1. 統合型パワーデバイス
9.3.2. ディスクリート型パワーデバイス
9.4. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析・予測、2017–2031年
9.4.1. 200V未満
9.4.2. 200-600V
9.4.3. 600V以上
9.5. 電力用GaNデバイス市場規模(百万米ドル)分析と予測、最終用途産業別、2017年~2031年
9.5.1. IT・通信
9.5.2. 自動車
9.5.3. 半導体・エレクトロニクス
9.5.4. 産業用
9.5.5. 航空宇宙・防衛
9.5.6. その他
9.6. 電力用GaNデバイス市場規模(百万米ドル)及び数量(百万台)分析・予測、国・地域別、2017–2031年
9.6.1. 米国
9.6.2. カナダ
9.6.3. 北米その他
9.7. 市場魅力度分析
9.7.1. デバイスタイプ別
9.7.2. 電圧別
9.7.3. 最終用途産業別
9.7.4. 国・サブ地域別
10. 欧州パワーGaNデバイス市場分析と予測
10.1. 市場概要
10.2. 推進要因と抑制要因:影響分析
10.3. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測(2017–2031年)
10.3.1. 集積パワーデバイス
10.3.2. ディスクリートパワーデバイス
10.4. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析・予測(2017年~2031年)
10.4.1. 200V未満
10.4.2. 200-600V
10.4.3. 600V超
10.5. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)分析と予測、最終用途産業別、2017–2031年
10.5.1. IT・通信
10.5.2. 自動車
10.5.3. 半導体・電子機器
10.5.4. 産業用
10.5.5. 航空宇宙・防衛
10.5.6. その他
10.6. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析と予測、国・地域別、2017–2031年
10.6.1. イギリス
10.6.2. ドイツ
10.6.3. フランス
10.6.4. その他の欧州
10.7. 市場魅力度分析
10.7.1. デバイスタイプ別
10.7.2. 電圧別
10.7.3. 最終用途産業別
10.7.4. 国・サブ地域別
11. アジア太平洋地域のパワーGaNデバイス市場分析と予測
11.1. 市場概要
11.2. 推進要因と抑制要因:影響分析
11.3. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)の分析と予測、2017年~2031年
11.3.1. 集積パワーデバイス
11.3.2. ディスクリートパワーデバイス
11.4. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析・予測、2017–2031年
11.4.1. 200V未満
11.4.2. 200-600V
11.4.3. 600V超
11.5. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)分析と予測、最終用途産業別、2017–2031年
11.5.1. IT・通信
11.5.2. 自動車
11.5.3. 半導体・電子機器
11.5.4. 産業用
11.5.5. 航空宇宙・防衛
11.5.6. その他
11.6. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析と予測、国・地域別、2017–2031年
11.6.1. 中国
11.6.2. 日本
11.6.3. インド
11.6.4. 韓国
11.6.5. ASEAN
11.6.6. アジア太平洋その他
11.7. 市場魅力度分析
11.7.1. デバイスタイプ別
11.7.2. 電圧別
11.7.3. 最終用途産業別
11.7.4. 国・サブ地域別
12. 中東・アフリカ 電力用GaNデバイス市場分析と予測
12.1. 市場概要
12.2. 推進要因と抑制要因:影響分析
12.3. 電力用GaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測(デバイス別、2017年~2031年)
12.3.1. 統合型パワーデバイス
12.3.2. ディスクリート型パワーデバイス
12.4. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万ユニット)分析と予測、2017年~2031年
12.4.1. 200V未満
12.4.2. 200-600V
12.4.3. 600V超
12.5. 電力GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)分析と予測、最終用途産業別、2017–2031年
12.5.1. IT・通信
12.5.2. 自動車
12.5.3. 半導体・電子機器
12.5.4. 産業用
12.5.5. 航空宇宙・防衛
12.5.6. その他
12.6. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)及び数量(百万台)分析・予測、国・地域別、2017–2031年
12.6.1. GCC
12.6.2. 南アフリカ
12.6.3. 中東・アフリカその他
12.7. 市場魅力度分析
12.7.1. デバイスタイプ別
12.7.2. 電圧別
12.7.3. 最終用途産業別
12.7.4. 国・サブ地域別
13. 南米パワーGaNデバイス市場分析と予測
13.1. 市場概要
13.2. 推進要因と抑制要因:影響分析
13.3. デバイスタイプ別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測(2017年~2031年)
13.3.1. 統合型パワーデバイス
13.3.2. ディスクリート型パワーデバイス
13.4. 電圧別パワーGaNデバイス市場規模(百万米ドル)および数量(百万台)分析・予測、2017–2031年
13.4.1. 200V未満
13.4.2. 200–600V
13.4.3. 600V超
13.5. 電力GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)分析と予測、最終用途産業別、2017–2031年
13.5.1. IT・通信
13.5.2. 自動車
13.5.3. 半導体・電子機器
13.5.4. 産業用
13.5.5. 航空宇宙・防衛
13.5.6. その他
13.6. 電力用GaNデバイスの市場規模(百万米ドル)及び数量(百万台)分析と予測、国・地域別、2017–2031年
13.6.1. ブラジル
13.6.2. 南米その他
13.7. 市場魅力度分析
13.7.1. デバイスタイプ別
13.7.2. 電圧別
13.7.3. 最終用途産業別
13.7.4. 国・サブ地域別
14. 競争状況評価
14.1. グローバルパワーGaNデバイス市場競争マトリックス – ダッシュボードビュー
14.1.1. グローバルパワーGaNデバイス市場における企業シェア分析(2021年、金額ベース)
14.1.2. 技術的差別化要因
15. 企業プロファイル(グローバルメーカー/サプライヤー)
15.1. Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
15.1.1. 概要
15.1.2. 製品ポートフォリオ
15.1.3. 販売拠点
15.1.4. 主要子会社または販売代理店
15.1.5. 戦略と最近の動向
15.1.6. 主要財務指標
15.2. SOITEC
15.2.1. 概要
15.2.2. 製品ポートフォリオ
15.2.3. 販売拠点
15.2.4. 主要子会社または販売代理店
15.2.5. 戦略と最近の動向
15.2.6. 主要財務指標
15.3. 富士通株式会社
15.3.1. 概要
15.3.2. 製品ポートフォリオ
15.3.3. 販売網
15.3.4. 主要子会社または販売代理店
15.3.5. 戦略と最近の動向
15.3.6. 主要財務指標
15.4. GaN Power Inc.
15.4.1. 概要
15.4.2. 製品ポートフォリオ
15.4.3. 販売網
15.4.4. 主要子会社または販売代理店
15.4.5. 戦略と最近の動向
15.4.6. 主要財務指標
15.5. GaN Systems
15.5.1. 概要
15.5.2. 製品ポートフォリオ
15.5.3. 販売拠点
15.5.4. 主要子会社または販売代理店
15.5.5. 戦略と最近の動向
15.5.6. 主要財務指標
15.6. インフィニオン・テクノロジーズ
15.6.1. 概要
15.6.2. 製品ポートフォリオ
15.6.3. 販売拠点
15.6.4. 主要子会社または販売代理店
15.6.5. 戦略と最近の動向
15.6.6. 主要財務指標
15.7. ナビタス・セミコンダクター
15.7.1. 概要
15.7.2. 製品ポートフォリオ
15.7.3. 販売拠点
15.7.4. 主要子会社または販売代理店
15.7.5. 戦略と最近の動向
15.7.6. 主要財務指標
15.8. NexGen Power Systems
15.8.1. 概要
15.8.2. 製品ポートフォリオ
15.8.3. 販売拠点
15.8.4. 主要子会社または販売代理店
15.8.5. 戦略と最近の動向
15.8.6. 主要財務指標
15.9. オン・セミコンダクターズ
15.9.1. 概要
15.9.2. 製品ポートフォリオ
15.9.3. 販売拠点
15.9.4. 主要子会社または販売代理店
15.9.5. 戦略と最近の動向
15.9.6. 主要財務指標
15.10. パナソニック株式会社
15.10.1. 概要
15.10.2. 製品ポートフォリオ
15.10.3. 販売拠点
15.10.4. 主要子会社または販売代理店
15.10.5. 戦略と最近の動向
15.10.6. 主要財務指標
15.11. ローム株式会社
15.11.1. 概要
15.11.2. 製品ポートフォリオ
15.11.3. 販売拠点
15.11.4. 主要子会社または販売代理店
15.11.5. 戦略と最近の動向
15.11.6. 主要財務指標
15.12. Texas Instruments Incorporated
15.12.1. 概要
15.12.2. 製品ポートフォリオ
15.12.3. 販売拠点
15.12.4. 主要子会社または販売代理店
15.12.5. 戦略と最近の動向
15.12.6. 主要財務指標
15.13. トランスフォーム社
15.13.1. 概要
15.13.2. 製品ポートフォリオ
15.13.3. 販売拠点
15.13.4. 主要子会社または販売代理店
15.13.5. 戦略と最近の動向
15.13.6. 主要財務指標
15.14. VisIC Technologies
15.14.1. 概要
15.14.2. 製品ポートフォリオ
15.14.3. 販売拠点
15.14.4. 主要子会社または販売代理店
15.14.5. 戦略と最近の動向
15.14.6. 主要財務指標
15.15. パワー・インテグレーションズ社
15.15.1. 概要
15.15.2. 製品ポートフォリオ
15.15.3. 販売網
15.15.4. 主要子会社または販売代理店
15.15.5. 戦略と最近の動向
15.15.6. 主要財務指標
16. 推奨事項
16.1. 機会評価
16.1.1. デバイスタイプ別
16.1.2. 電圧別
16.1.3. 最終用途産業別
16.1.4. 地域別

1. Preface
1.1. Market Introduction
1.2. Market and Segments Definition
1.3. Market Taxonomy
1.4. Research Methodology
1.5. Assumption and Acronyms
2. Executive Summary
2.1. Global Power GaN Devices Market Overview
2.2. Regional Outline
2.3. Industry Outline
2.4. Market Dynamics Snapshot
2.5. Competition Blueprint
3. Market Dynamics
3.1. Macro-economic Factors
3.2. Drivers
3.3. Restraints
3.4. Opportunities
3.5. Key Trends
3.6. Regulatory Scenario
4. Associated Industry and Key Indicator Assessment
4.1. Parent Industry Overview – Power Devices Industry Overview
4.2. Supply Chain Analysis
4.3. Pricing Analysis
4.4. Technology Roadmap Analysis
4.5. Industry SWOT Analysis
4.6. Porter Five Forces Analysis
4.7. Covid-19 Impact and Recovery Analysis
5. Power GaN Devices Market Analysis by Device Type
5.1. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
5.1.1. Integrated Power Devices
5.1.2. Discrete Power Devices
5.2. Market Attractiveness Analysis, by Device Type
6. Power GaN Devices Market Analysis by Voltage
6.1. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
6.1.1. Below 200V
6.1.2. 200-600V
6.1.3. Above 600V
6.2. Market Attractiveness Analysis, by Voltage
7. Power GaN Devices Market Analysis by End-use Industry
7.1. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
7.1.1. IT & Telecommunication
7.1.2. Automotive
7.1.3. Semiconductor & Electronics
7.1.4. Industrial
7.1.5. Aerospace & Defense
7.1.6. Others
7.2. Market Attractiveness Analysis, by End-use Industry
8. Power GaN Devices Market Analysis and Forecast, by Region
8.1. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Region, 2017–2031
8.1.1. North America
8.1.2. Europe
8.1.3. Asia Pacific
8.1.4. Middle East & Africa
8.1.5. South America
8.2. Market Attractiveness Analysis, by Region
9. North America Power GaN Devices Market Analysis and Forecast
9.1. Market Snapshot
9.2. Drivers and Restraints: Impact Analysis
9.3. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
9.3.1. Integrated Power Devices
9.3.2. Discrete Power Devices
9.4. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
9.4.1. Below 200V
9.4.2. 200-600V
9.4.3. Above 600V
9.5. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
9.5.1. IT & Telecommunication
9.5.2. Automotive
9.5.3. Semiconductor & Electronics
9.5.4. Industrial
9.5.5. Aerospace & Defense
9.5.6. Others
9.6. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Country and Sub-region, 2017–2031
9.6.1. The U.S.
9.6.2. Canada
9.6.3. Rest of North America
9.7. Market Attractiveness Analysis
9.7.1. by Device Type
9.7.2. by Voltage
9.7.3. by End-use Industry
9.7.4. by Country/Sub-region
10. Europe Power GaN Devices Market Analysis and Forecast
10.1. Market Snapshot
10.2. Drivers and Restraints: Impact Analysis
10.3. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
10.3.1. Integrated Power Devices
10.3.2. Discrete Power Devices
10.4. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
10.4.1. Below 200V
10.4.2. 200-600V
10.4.3. Above 600V
10.5. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
10.5.1. IT & Telecommunication
10.5.2. Automotive
10.5.3. Semiconductor & Electronics
10.5.4. Industrial
10.5.5. Aerospace & Defense
10.5.6. Others
10.6. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Country and Sub-region, 2017–2031
10.6.1. The U.K.
10.6.2. Germany
10.6.3. France
10.6.4. Rest of Europe
10.7. Market Attractiveness Analysis
10.7.1. by Device Type
10.7.2. by Voltage
10.7.3. by End-use Industry
10.7.4. by Country/Sub-region
11. Asia Pacific Power GaN Devices Market Analysis and Forecast
11.1. Market Snapshot
11.2. Drivers and Restraints: Impact Analysis
11.3. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
11.3.1. Integrated Power Devices
11.3.2. Discrete Power Devices
11.4. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
11.4.1. Below 200V
11.4.2. 200-600V
11.4.3. Above 600V
11.5. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
11.5.1. IT & Telecommunication
11.5.2. Automotive
11.5.3. Semiconductor & Electronics
11.5.4. Industrial
11.5.5. Aerospace & Defense
11.5.6. Others
11.6. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Country and Sub-region, 2017–2031
11.6.1. China
11.6.2. Japan
11.6.3. India
11.6.4. South Korea
11.6.5. ASEAN
11.6.6. Rest of Asia Pacific
11.7. Market Attractiveness Analysis
11.7.1. by Device Type
11.7.2. by Voltage
11.7.3. by End-use Industry
11.7.4. by Country/Sub-region
12. Middle East and Africa Power GaN Devices Market Analysis and Forecast
12.1. Market Snapshot
12.2. Drivers and Restraints: Impact Analysis
12.3. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
12.3.1. Integrated Power Devices
12.3.2. Discrete Power Devices
12.4. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
12.4.1. Below 200V
12.4.2. 200-600V
12.4.3. Above 600V
12.5. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
12.5.1. IT & Telecommunication
12.5.2. Automotive
12.5.3. Semiconductor & Electronics
12.5.4. Industrial
12.5.5. Aerospace & Defense
12.5.6. Others
12.6. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Country and Sub-region, 2017–2031
12.6.1. GCC
12.6.2. South Africa
12.6.3. Rest of Middle East and Africa
12.7. Market Attractiveness Analysis
12.7.1. by Device Type
12.7.2. by Voltage
12.7.3. by End-use Industry
12.7.4. by Country/Sub-region
13. South America Power GaN Devices Market Analysis and Forecast
13.1. Market Snapshot
13.2. Drivers and Restraints: Impact Analysis
13.3. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Device Type, 2017–2031
13.3.1. Integrated Power Devices
13.3.2. Discrete Power Devices
13.4. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Voltage, 2017–2031
13.4.1. Below 200V
13.4.2. 200-600V
13.4.3. Above 600V
13.5. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) Analysis & Forecast, by End-use Industry, 2017–2031
13.5.1. IT & Telecommunication
13.5.2. Automotive
13.5.3. Semiconductor & Electronics
13.5.4. Industrial
13.5.5. Aerospace & Defense
13.5.6. Others
13.6. Power GaN Devices Market Size (US$ Mn) and Volume (Million Units) Analysis & Forecast, by Country and Sub-region, 2017–2031
13.6.1. Brazil
13.6.2. Rest of South America
13.7. Market Attractiveness Analysis
13.7.1. by Device Type
13.7.2. by Voltage
13.7.3. by End-use Industry
13.7.4. by Country/Sub-region
14. Competition Assessment
14.1. Global Power GaN Devices Market Competition Matrix - a Dashboard View
14.1.1. Global Power GaN Devices Market Company Share Analysis, by Value (2021)
14.1.2. Technological Differentiator
15. Company Profiles (Global Manufacturers/Suppliers)
15.1. Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
15.1.1. Overview
15.1.2. Product Portfolio
15.1.3. Sales Footprint
15.1.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.1.5. Strategy and Recent Developments
15.1.6. Key Financials
15.2. SOITEC
15.2.1. Overview
15.2.2. Product Portfolio
15.2.3. Sales Footprint
15.2.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.2.5. Strategy and Recent Developments
15.2.6. Key Financials
15.3. Fujitsu limited
15.3.1. Overview
15.3.2. Product Portfolio
15.3.3. Sales Footprint
15.3.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.3.5. Strategy and Recent Developments
15.3.6. Key Financials
15.4. GaN Power Inc.
15.4.1. Overview
15.4.2. Product Portfolio
15.4.3. Sales Footprint
15.4.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.4.5. Strategy and Recent Developments
15.4.6. Key Financials
15.5. GaN Systems
15.5.1. Overview
15.5.2. Product Portfolio
15.5.3. Sales Footprint
15.5.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.5.5. Strategy and Recent Developments
15.5.6. Key Financials
15.6. Infineon Technologies
15.6.1. Overview
15.6.2. Product Portfolio
15.6.3. Sales Footprint
15.6.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.6.5. Strategy and Recent Developments
15.6.6. Key Financials
15.7. Navitas Semiconductor
15.7.1. Overview
15.7.2. Product Portfolio
15.7.3. Sales Footprint
15.7.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.7.5. Strategy and Recent Developments
15.7.6. Key Financials
15.8. NexGen Power Systems
15.8.1. Overview
15.8.2. Product Portfolio
15.8.3. Sales Footprint
15.8.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.8.5. Strategy and Recent Developments
15.8.6. Key Financials
15.9. On Semiconductors
15.9.1. Overview
15.9.2. Product Portfolio
15.9.3. Sales Footprint
15.9.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.9.5. Strategy and Recent Developments
15.9.6. Key Financials
15.10. Panasonic Corporation
15.10.1. Overview
15.10.2. Product Portfolio
15.10.3. Sales Footprint
15.10.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.10.5. Strategy and Recent Developments
15.10.6. Key Financials
15.11. ROHM CO., LTD.
15.11.1. Overview
15.11.2. Product Portfolio
15.11.3. Sales Footprint
15.11.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.11.5. Strategy and Recent Developments
15.11.6. Key Financials
15.12. Texas Instruments Incorporated
15.12.1. Overview
15.12.2. Product Portfolio
15.12.3. Sales Footprint
15.12.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.12.5. Strategy and Recent Developments
15.12.6. Key Financials
15.13. Transphorm Inc.
15.13.1. Overview
15.13.2. Product Portfolio
15.13.3. Sales Footprint
15.13.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.13.5. Strategy and Recent Developments
15.13.6. Key Financials
15.14. VisIC Technologies
15.14.1. Overview
15.14.2. Product Portfolio
15.14.3. Sales Footprint
15.14.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.14.5. Strategy and Recent Developments
15.14.6. Key Financials
15.15. Power Integrations, Inc.
15.15.1. Overview
15.15.2. Product Portfolio
15.15.3. Sales Footprint
15.15.4. Key Subsidiaries or Distributors
15.15.5. Strategy and Recent Developments
15.15.6. Key Financials
16. Recommendation
16.1. Opportunity Assessment
16.1.1. by Device Type
16.1.2. by Voltage
16.1.3. by End-use Industry
16.1.4. by Region
※ガリウムナイトライド(GaN)パワーデバイスは、高効率かつ高性能な電力変換を実現するための半導体素子です。GaNは、バンドギャップが広く、熱抵抗が低いという特性を持ち、高温や高電圧の環境でも優れた特性を発揮します。このため、GaNパワーデバイスは、従来のシリコン(Si)ベースのデバイスに比べて、より高いスイッチング速度と効率を実現することができます。
GaNパワーデバイスには、主にトランジスタとダイオードの2つの種類があります。トランジスタには、エレクトロニクス分野で一般的に使用されるメソスケールGaN FET(フィールド効果トランジスタ)や、HEMT(高電子移動度トランジスタ)などがあります。これらは、電力変換回路や高周波応用において、スイッチング素子として利用されます。一方、ダイオードは、ショットキーバリアダイオード(Schottky Diode)などがあります。これらも高速スイッチング能力と高い耐圧を持っており、相応の用途に適しています。

GaNパワーデバイスの用途は多岐にわたります。例えば、電源アダプター、電気自動車の充電器、再生可能エネルギーシステム、さらにはインバーターやモーターコントロールなど、高効率が求められる分野での利用が盛んです。特に、電気自動車市場では、走行距離を延ばし、充電時間を短縮するために、より効率的なパワーデバイスが求められています。また、携帯電話やコンピュータ用の高速充電器にも、GaNを使用したデバイスが増加しています。

GaNパワーデバイスの利点の一つは、その小型化と軽量化です。これにより、装置全体のサイズを小さくすることができ、設置や移動が容易になります。さらに、高効率な動作により、熱損失を抑えることができるため、冷却システムの設計もシンプルになり、全体のコスト削減が可能となります。このように、GaNパワーデバイスは、今後の電子機器の設計において中心的な役割を果たすことが期待されています。

それに加えて、GaNパワーデバイスを使用する際には、さまざまな関連技術が重要となります。例えば、パワーエレクトロニクスにおける回路 topologies や、適切なドライバ回路の設計が求められます。これらを効果的に組み合わせることで、GaNパワーデバイスの性能を最大限に引き出すことができます。また、GaNデバイスを使用したシステムの最適化には、シミュレーション技術やモデリング技術も重要です。これらの技術を活用することで、設計プロセスの効率化が図れ、時間の短縮にも寄与します。

さらに、GaNパワーデバイスの製造プロセスも重要な研究領域です。GaNは、主に異種基板上に成長させる必要があるため、製造においてさまざまな技術的な課題が存在します。例えば、ウェハの品質向上や、欠陥密度の低減などが挙げられます。これらの課題を解決するための新しい技術の開発が進められており、その結果、製品の性能向上やコストダウンが実現されています。

GaNパワーデバイスの将来的な展望は非常に明るいと考えられています。エネルギー効率がますます重要視される中で、GaNの高効率特性は、産業全体における脱炭素化や省エネルギー化に寄与する重要な要素となるでしょう。また、新たなアプリケーションの発展に伴い、GaN技術の応用範囲は広がり続けています。集合的に見て、GaNパワーデバイスは、持続可能な未来に向けた電力電子の進化において、重要な役割を果たすことでしょう。
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