 | • レポートコード：MRC2304G194 • 出版社/出版日：Mordor Intelligence / 2023年2月 2025年版があります。お問い合わせください。 • レポート形態：英文、PDF、180ページ • 納品方法：Eメール（受注後2-3営業日） • 産業分類：電子 |
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レポート概要
| Mordor Intelligence社の本調査資料では、世界の不揮発性メモリ市場規模が、予測期間中にCAGR10.26%で拡大すると展望しています。本資料は、不揮発性メモリの世界市場について調査を行い、市場の現状や動向をまとめています。イントロダクション、調査手法、エグゼクティブサマリー、市場インサイト、市場動向、種類別（従来型、次世代型）分析、産業別（家電、小売、IT・通信、医療、その他）分析、地域別（アメリカ、カナダ、イギリス、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国、インド）分析、競争状況、投資分析、市場の将来など、以下の項目を掲載しています。また、主要参入企業として、ROHM Co. Ltd、STMicroelectronics NV、Maxim Integrated Products Inc.、Fujitsu Ltd、Intel Corporation、Honeywell International Inc.、Micron technologies Inc.、Samsung Electronics Co. Ltd、Crossbar Inc.、Infineon Technologies AG、Avalanche Technologies Inc.、Adesto Technologies Corporation (Dialog Semiconductor PLC)などの情報を含んでいます。 ・イントロダクション ・調査手法 ・エグゼクティブサマリー ・市場インサイト ・市場動向 ・世界の不揮発性メモリ市場規模：種類別 - 従来型不揮発性メモリの市場規模 - 次世代型不揮発性メモリの市場規模 ・世界の不揮発性メモリ市場規模：産業別 - 家電における市場規模 - 小売における市場規模 - IT・通信における市場規模 - 医療における市場規模 - その他における市場規模 ・世界の不揮発性メモリ市場規模：地域別 - 北米の不揮発性メモリ市場規模 アメリカの不揮発性メモリ市場規模 カナダの不揮発性メモリ市場規模 … - ヨーロッパの不揮発性メモリ市場規模 イギリスの不揮発性メモリ市場規模 フランスの不揮発性メモリ市場規模 ドイツの不揮発性メモリ市場規模 … - アジア太平洋の不揮発性メモリ市場規模 中国の不揮発性メモリ市場規模 インドの不揮発性メモリ市場規模 日本の不揮発性メモリ市場規模 … - 中南米/中東の不揮発性メモリ市場規模 - その他地域の不揮発性メモリ市場規模 ・競争状況 ・投資分析 ・市場の将来 |
非揮発性メモリ（NVM）市場は予測期間中に年平均成長率（CAGR）10.26%を記録すると予想されています。過去10年間、ポータブルシステム市場の成長が半導体業界のNVM技術への関心を引きつけ、大容量ストレージ用途での需要が高まっています。NVM市場の成長は、効率性、高速メモリアクセス、低消費電力への要求によって推進されています。
**主要なハイライト**
* 急速に発展する家電業界では、ユーザーはデバイスにより高い性能、驚異的な速度での新機能、そしてより多くの映画、写真、音楽の保存を期待しています。過去数十年間、フラッシュメモリは大幅なイノベーションを可能にしましたが、技術的な障壁に直面し、これ以上のスケーリングが困難になってきているため、新しい世代のメモリが求められています。
* 低価格と低消費電力により、家電製品におけるフラッシュメモリの採用が市場成長に大きく貢献しています。NVMはスマートフォンやウェアラブルデバイスで、より多くのストレージと高速メモリアクセスを実現するために使用されています。
* この分野における研究活動の活発化も市場成長を牽引しています。例えば、2021年3月にはInfineon Technologies LLCが、航空宇宙や産業用途などの過酷な環境での不揮発性コードストレージを主な目的とした、QML-Qおよび高信頼性産業仕様に適合する第2世代不揮発性SRAMを発表しました。
* 同様に、2021年初頭にはSamsungが、MRAMのMTJ機能の改善と14nmプロセスの進歩を発表し、フラッシュ型組み込みMRAMの書き込み速度と密度向上を支援しました。同社はまた、ウェアラブル、マイクロコントローラ、IoTデバイスにおけるIC向け新興NVMのアプリケーションをターゲットとしています。
* しかし、NVM市場における課題としては、読み書きの耐久性とデータ保持特性が挙げられます。例えば、相変化メモリ（PCM）やフラッシュメモリは、限られた耐久性を持つNVMの例です。これらのNVMは、複数回の書き込みサイクル（PCMの場合はRESETサイクル、フラッシュメモリの場合はプログラム/消去サイクル）を経ると、メモリセルが劣化し、情報を確実に保存できなくなるため、耐久性が低いとされています。
* COVID-19の流行は、スマートフォン産業など、NVMのエンドユーザー産業にマイナスの影響を与えました。しかし、クラウドコンピューティング、AI、IoTといった重要なメガトレンドに牽引された在宅活動向けのサーバーおよびPCメモリ需要の増加が、予測期間中のNVM市場の成長を支えることが期待されています。
**非揮発性メモリ市場のトレンド**
**フラッシュメモリが大きな市場シェアを占める見込み**
* 消費者エレクトロニクスの需要と普及の増加により、デバイスにおけるフラッシュメモリの用途が拡大しています。このメモリタイプは、ラップトップ、GPS、電子楽器、デジタルカメラ、携帯電話など、多くの機器に応用されています。また、データセンターソリューションベンダーにも広く採用されています。クラウドソリューションの導入が指数関数的に増加するにつれて、データセンターの需要も急増しています。
* さらに、AI/MLアプリケーションやIoTデバイスへの傾向が高まり、低遅延で高スループットのクラウドストレージが求められる中で、フラッシュストレージとエンタープライズデータセンターはディープニューラルネットワークのトレーニングに最適化されています。データセンターの数と規模の増加は、さらなる需要を喚起すると予想されます。
* 増大する需要に応えるため、市場のベンダーは、より優れた機能を備えた新しいソリューションの開発に注力しています。例えば、2021年2月には、Kioxia CorporationとWestern Digital Corp.が、第6世代162層3Dフラッシュメモリ技術の開発を発表しました。これは、多くの技術革新と製造革新を利用した、同社最高密度かつ最先端の3Dフラッシュメモリ技術です。
* さらに、NORフラッシュメモリも超低消費電力のニーズから注目を集めています。例えば、2022年1月には、Infineon TechnologiesがSEMPER NORフラッシュデバイスファミリーをサポートするための追加開発ツールを発表しました。これは、開発者が安全性が求められる自動車、産業、通信システムを迅速に設計するのに役立ちます。
* 同様に、2021年11月には、Macronix International Co., Ltd.が、業界初の1.2Vデバイスを量産化したシリアルNORフラッシュメモリメーカーであると発表しました。同社によれば、超低消費電力（ULP）、高速120MHz MX25SシリアルNORフラッシュメモリは、IoT、ワイヤレス通信技術、WiFi、ナローバンドIoTシステム、ハンドヘルドおよびBluetoothデバイス、家電製品などのアプリケーションをターゲットとした新世代の製品を導入することになるでしょう。
**アジア太平洋地域が大きな市場シェアを占める見込み**
* オンラインエンターテイメント、テレワーク、ビデオ・音声通話サービスの需要急増に伴い、アジア太平洋地域の各国でデータセンターを含む新しいインフラの建設が増加しています。デジタル経済の急速な発展に伴い、中国やインドなどの国では大規模なビッグデータセンターの構築が必要不可欠になっています。
* 中国はNANDメモリ事業への積極的な取り組みにより、主導的な国として浮上しています。例えば、中国の主要なメモリ企業の一つであるYangtze Memory Technologies Co. Ltd（YMTC）は、64層NANDをSSDを含む低容量で国内に出荷しており、2021年には128層生産と出荷を進めていました。
* さらに、同地域でNVM関連技術の開発に取り組むスタートアップは、いくつかの投資を受けています。例えば、2021年4月には、InnoStar Semiconductor (Shanghai) Co. Ltdが、Shanghai Lianhe Investmentが主導し、国有のAtlas CapitalやKQ Capitalなどの新規投資家が参加したプレシリーズA資金調達ラウンドで、約1億米ドルを調達しました。同社は、この投資を抵抗変化型メモリ（ReRAM）チップやその他のストレージアプリケーション向けチップの製造に活用する予定です。
* 同地域の企業は、さまざまな産業用途でNVMを活用しています。2021年11月には、NVM技術プロバイダーであるFloadia Corporationが、上海華虹宏力半導体製造有限公司の180BCD（Z8）プラットフォームで、150度Cで10年間のデータ保持をサポートする高品質なeNVM（組み込みNVM）製品名ZTの提供開始を発表しました。
* さらに、同地域ではNVMの研究開発活動も増加しています。2022年1月には、Samsung Electronicsが、MRAM（磁気抵抗RAM）をベースとした世界初のインメモリコンピューティングの一つを実演したと発表しました。このようなトレンドが、予測期間中のアジア太平洋地域における対象市場の成長を牽引すると予想されます。
**非揮発性メモリ市場の競合分析**
NVM市場は競争が激しく、いくつかの主要プレイヤーで構成されています。この業界における競争の激しさは、主にイノベーションによる持続的な競争優位性、市場浸透度、および競争戦略の力に依存しています。市場は設備投資が多いため、撤退障壁も高くなっています。市場で事業を展開する主要プレイヤーには、Rohm Co. Ltd、STMicroelectronics NV、Fujitsu ltd、およびIntel Corporationなどがあります。市場における最近の主な動向は以下の通りです。
* 2022年1月：SK Hynix Inc.は、IntelのNANDおよびソリッドステートドライブ（SSD）事業買収の第1フェーズが完了したと発表しました。同社によると、IntelのSSD事業と中国の大連NANDフラッシュ製造施設を買収することで、取引の第1フェーズを完了しました。
* 2021年10月：NSCore Inc.は、IoT技術アプリケーション向けのワンタイムプログラマブルプラス（OTP+）というNVMソリューションを発表しました。同社によると、40nmの超低消費電力OTP NVM IPソリューションは、IoTチップの製造を再スピンする必要性を最小限に抑えることができ、これは新興市場で非常に重要です。さらに、NSCore OTP+ソリューションは、標準的なOTP IPソリューションとは異なり、再プログラムおよび変更が可能です。
* 2021年7月：Micron Technologyは、世界初の176層NANDユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）3.1モバイルソリューションの量産出荷を開始したと発表しました。ハイエンドおよびフラッグシップスマートフォン向けに設計されたMicronのUFS 3.1ディスクリートモバイルNANDメモリは、以前の世代と比較してシーケンシャル書き込みおよびランダム読み取り速度が最大75%向上し、5Gの可能性を解き放ちます。
**追加の利点:**
* Excel形式の市場推定（ME）シート
* 3ヶ月間のアナリストサポート
1 はじめに
1.1 研究の前提条件と市場定義
1.2 研究の範囲
2 研究方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 市場インサイト
4.1 市場概要
4.2 業界の魅力度 – ポーターの5つの力分析
4.2.1 新規参入の脅威
4.2.2 購買者の交渉力
4.2.3 供給者の交渉力
4.2.4 代替製品の脅威
4.2.5 競争の激しさ
4.3 COVID-19が市場に与える影響
4.4 業界バリューチェーン分析
5 市場動向
5.1 市場推進要因
5.1.1 接続型・ウェアラブルデバイスにおける不揮発性メモリ需要の拡大
5.1.2 エンタープライズストレージアプリケーション需要の増加
5.2 市場課題
5.2.1 書き込み耐久性の低さ
6 市場セグメンテーション
6.1 タイプ別
6.1.1 従来型不揮発性メモリ
6.1.1.1 フラッシュメモリ
6.1.1.2 EEPROM
6.1.1.3 SRAM
6.1.1.4 EPROM
6.1.1.5 その他の従来型不揮発性メモリ
6.1.2 次世代不揮発性メモリ
6.1.2.1 MRAM
6.1.2.2 FRAM
6.1.2.3 ReRAM
6.1.2.4 3D-X Point
6.1.2.5 ナノRAM
6.1.2.6 その他の次世代不揮発性メモリ
6.2 エンドユーザー産業別
6.2.1 民生用電子機器
6.2.2 小売業
6.2.3 IT・通信
6.2.4 医療
6.2.5 その他のエンドユーザー産業
6.3 地域別
6.3.1 北米
6.3.1.1 アメリカ合衆国
6.3.1.2 カナダ
6.3.2 欧州
6.3.2.1 イギリス
6.3.2.2 ドイツ
6.3.2.3 フランス
6.3.2.4 その他の欧州
6.3.3 アジア太平洋
6.3.3.1 中国
6.3.3.2 日本
6.3.3.3 韓国
6.3.3.4 インド
6.3.3.5 その他のアジア太平洋
6.3.4 ラテンアメリカ
6.3.5 中東
7 競争環境
7.1 企業概要
7.1.1 ローム株式会社
7.1.2 STマイクロエレクトロニクス NV
7.1.3 マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ社
7.1.4 富士通株式会社
7.1.5 インテル・コーポレーション
7.1.6 ハネウェル・インターナショナル社
7.1.7 マイクロン・テクノロジー社
7.1.8 サムスン電子株式会社
7.1.9 クロスバー社
7.1.10 インフィニオン・テクノロジーズAG
7.1.11 アバランチ・テクノロジーズ社
7.1.12 アデスト・テクノロジーズ社（ダイアログ・セミコンダクター社）
8 投資分析
9 市場の将来展望
1 INTRODUCTION1.1 Study Assumptions and Market Definition
1.2 Scope of the Study
2 RESEARCH METHODOLOGY
3 EXECUTIVE SUMMARY
4 MARKET INSIGHTS
4.1 Market Overview
4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis
4.2.1 Threat of New Entrants
4.2.2 Bargaining Power of Buyers
4.2.3 Bargaining Power of Suppliers
4.2.4 Threat of Substitute Products
4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry
4.3 Impact of COVID-19 on the Market
4.4 Industry Value Chain Analysis
5 MARKET DYNAMICS
5.1 Market Drivers
5.1.1 Growing Demand for Non-volatile Memory in Connected and Wearable Devices
5.1.2 Increasing Demand for Enterprise Storage Applications
5.2 Market Challenges
5.2.1 Low Write Endurance Rate
6 MARKET SEGMENTATION
6.1 By Type
6.1.1 Traditional Non-volatile Memory
6.1.1.1 Flash Memory
6.1.1.2 EEPROM
6.1.1.3 SRAM
6.1.1.4 EPROM
6.1.1.5 Other Traditional Non-volatile Memories
6.1.2 Next-generation Non-volatile Memory
6.1.2.1 MRAM
6.1.2.2 FRAM
6.1.2.3 ReRAM
6.1.2.4 3D-X Point
6.1.2.5 Nano RAM
6.1.2.6 Other Next-generation Non-volatile Memories
6.2 By End-user Industry
6.2.1 Consumer Electronics
6.2.2 Retail
6.2.3 IT and Telecom
6.2.4 Healthcare
6.2.5 Other End-user Industries
6.3 By Geography
6.3.1 North America
6.3.1.1 United States
6.3.1.2 Canada
6.3.2 Europe
6.3.2.1 United Kingdom
6.3.2.2 Germany
6.3.2.3 France
6.3.2.4 Rest of Europe
6.3.3 Asia Pacific
6.3.3.1 China
6.3.3.2 Japan
6.3.3.3 South Korea
6.3.3.4 India
6.3.3.5 Rest of Asia Pacific
6.3.4 Latin America
6.3.5 Middle East
7 COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1 Company Profiles
7.1.1 ROHM Co. Ltd
7.1.2 STMicroelectronics NV
7.1.3 Maxim Integrated Products Inc.
7.1.4 Fujitsu Ltd
7.1.5 Intel Corporation
7.1.6 Honeywell International Inc.
7.1.7 Micron technologies Inc.
7.1.8 Samsung Electronics Co. Ltd
7.1.9 Crossbar Inc.
7.1.10 Infineon Technologies AG
7.1.11 Avalanche Technologies Inc.
7.1.12 Adesto Technologies Corporation (Dialog Semiconductor PLC)
8 INVESTMENT ANALYSIS
9 FUTURE OF THE MARKET
| ※不揮発性メモリ（Non-Volatile Memory）は、電源が切れてもデータが保持される特性を持つ記憶装置です。一般的に、揮発性メモリと対照的な存在として位置づけられ、揮発性メモリは電源が供給されている間のみデータを保持します。不揮発性メモリは、データの保存や管理において非常に重要な役割を果たしています。スマートフォンやパソコンなど、さまざまなデバイスに組み込まれ、日常的なデータの扱いを支えています。 不揮発性メモリにはいくつかの種類があります。その中でも代表的なものはフラッシュメモリです。フラッシュメモリは、スマートフォンやデジタルカメラ、USBメモリなどに広く使用されており、低価格で高い耐久性を持ち、読み書きの速度も速いです。もう一つの種類は、EPROM（Eraseable Programmable Read-Only Memory）やEEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）です。これらはプログラム可能で、電気的にデータを消去および書き込みができ、低容量のデータストレージに使用されることが多いです。また、新しい技術としてMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）やPCRAM（Phase Change Random Access Memory）も存在します。これらは高いデータ保持能力を持ちながら、従来のメモリよりも高速な速度で動作する特性があります。 このように、不揮発性メモリはさまざまな種類が存在し、それぞれに特有の利点や用途があります。たとえば、フラッシュメモリはストレージデバイスとしての用途が多く、大容量のデータを扱う状況にも適しています。EEPROMは、小型の電子機器や家電製品において、設定情報や校正データの保存に利用されることが多いです。MRAMやPCRAMは、今後のメモリ技術として期待されており、特にIoTやビッグデータを活用する環境においてその性能が求められるでしょう。 不揮発性メモリは、データの永続的な保存に優れているため、広範囲な用途があります。スマートフォンやタブレット、SSD（ソリッドステートドライブ）など、日常的に使用する製品から、産業機器、医療機器、更には自動運転や人工知能の分野に至るまで、幅広く利用されています。特に新しいデバイスにおいては、高速な読み書きと大容量のストレージが求められるため、不揮発性メモリの需要は今後ますます高まるでしょう。 また、不揮発性メモリに関連する技術も進化を続けています。データの安全性や耐久性を高めるためのエラーチェック機能や、データを書き換え可能な回数を増やすための新しいフラッシュメモリ技術が開発されています。さらに、新たな材料を利用した高性能なメモリデバイスの研究も活発に行われています。 不揮発性メモリは、今後の電子機器においてますます重要な役割を果たすことが予測されています。データの管理がより重要視される現代社会においては、性能や容量、コストのバランスを考慮しながら、適切な不揮発性メモリを選択することが求められています。したがって、さまざまな用途や技術に基づいて、不揮発性メモリの特性を理解し、活用していくことが非常に重要です。以上のように、不揮発性メモリはさまざまな分野での利用が進んでおり、今後の技術革新においても重要な要素であり続けるでしょう。 |
