 | • レポートコード：MRC24BR-AG68441 • 出版社/出版日：Market Monitor Global / 2024年9月 • レポート形態：英語、PDF、約80ページ • 納品方法：Eメール（納期：3日） • 産業分類：電子＆半導体 |
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レポート概要
本調査レポートは、GaN-On-SiCデバイス市場の包括的な分析を提供し、現在の動向、市場力学、将来の見通しに焦点を当てています。北米、欧州、アジア太平洋、新興市場などの主要地域を含む世界のGaN-On-SiCデバイス市場を調査しています。また、GaN-On-SiCデバイスの成長を促進する主な要因、業界が直面する課題、市場プレイヤーの潜在的な機会についても考察しています。
世界のGaN-On-SiCデバイス市場は、2023年にxxxx米ドルと評価され、予測期間中に年平均成長率xxxx%で、2030年までにxxxx米ドルに達すると予測されています。
*** 主な特徴 ***
GaN-On-SiCデバイス市場に関する本調査レポートには、包括的なインサイトを提供し、関係者の意思決定を支援するためのいくつかの主要な特徴が含まれています。
[エグゼクティブサマリー]
GaN-On-SiCデバイス市場の主要な調査結果、市場動向、主要なインサイトの概要を提供しています。
[市場概要]
当レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場の定義、過去の推移、現在の市場規模など、包括的な概観を提供しています。また、タイプ別（光電式、高周波式、動力式）、地域別、用途別（5G通信、自動車、工業、その他）の市場セグメントを網羅し、各セグメントにおける主要促進要因、課題、機会を明らかにしています。
[市場ダイナミクス]
当レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場の成長と発展を促進する市場ダイナミクスを分析しています。政府政策や規制、技術進歩、消費者動向や嗜好、インフラ整備、業界連携などの分析データを掲載しています。この分析により、関係者はGaN-On-SiCデバイス市場の軌道に影響を与える要因を理解することができます。
[競合情勢]
当レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場における競合情勢を詳細に分析しています。主要市場プレイヤーのプロフィール、市場シェア、戦略、製品ポートフォリオ、最新動向などを掲載しています。
[市場細分化と予測]
当レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場をタイプ別、地域別、用途別など様々なパラメータに基づいて細分化しています。定量的データと分析に裏付けされた各セグメントごとの市場規模と成長予測を提供しています。これにより、関係者は成長機会を特定し、情報に基づいた投資決定を行うことができます。
[技術動向]
本レポートでは、GaN-On-SiCデバイス市場を形成する主要な技術動向（タイプ1技術の進歩や新たな代替品など）に焦点を当てます。これらのトレンドが市場成長、普及率、消費者の嗜好に与える影響を分析します。
[市場の課題と機会]
技術的ボトルネック、コスト制限、高い参入障壁など、GaN-On-SiCデバイス市場が直面する主な課題を特定し分析しています。また、政府のインセンティブ、新興市場、利害関係者間の協力など、市場成長の機会も取り上げています。
[規制・政策分析]
本レポートは、政府のインセンティブ、排出基準、インフラ整備計画など、GaN-On-SiCデバイス市場に関する規制・政策状況を分析しました。これらの政策が市場成長に与える影響を分析し、今後の規制動向に関する洞察を提供しています。
[提言と結論]
このレポートは、消費者、政策立案者、投資家、インフラストラクチャプロバイダーなどの利害関係者に対する実用的な推奨事項で締めくくられています。これらの推奨事項はリサーチ結果に基づいており、GaN-On-SiCデバイス市場内の主要な課題と機会に対処する必要があります。
[補足データと付録]
本レポートには、分析と調査結果を実証するためのデータ、図表、グラフが含まれています。また、データソース、調査アンケート、詳細な市場予測などの詳細情報を追加した付録も含まれています。
*** 市場区分 ****
GaN-On-SiCデバイス市場はタイプ別と用途別に分類されます。2019年から2030年までの期間において、セグメント間の成長により、タイプ別、用途別の市場規模の正確な計算と予測を提供します。
■タイプ別市場セグメント
光電式、高周波式、動力式
■用途別市場セグメント
5G通信、自動車、工業、その他
■地域別・国別セグメント
北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
アジア
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
南米
ブラジル
アルゼンチン
中東・アフリカ
トルコ
イスラエル
サウジアラビア
アラブ首長国連邦
*** 主要メーカー ***
SEDI、MACOM、Qorvro、Skyworks、NXP、Fujitsu、Toshiba、Mitsubishi Electric、Innoscience、Hebei Tongguang Semiconductor、Tianke Heda、Shandong Tianyue
*** 主要章の概要 ***
第1章：GaN-On-SiCデバイスの定義、市場概要を紹介
第2章：世界のGaN-On-SiCデバイス市場規模
第3章：GaN-On-SiCデバイスメーカーの競争環境、価格、売上高、市場シェア、最新の開発計画、M&A情報などを詳しく分析
第4章：GaN-On-SiCデバイス市場をタイプ別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載
第5章：GaN-On-SiCデバイス市場を用途別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載
第6章：各地域とその主要国の市場規模と発展可能性を定量的に分析
第7章：主要企業のプロフィールを含め、企業の販売量、売上、価格、粗利益率、製品紹介、最近の開発など、市場における主要企業の基本的な状況を詳しく紹介
第8章 世界のGaN-On-SiCデバイスの地域別生産能力
第9章：市場力学、市場の最新動向、推進要因と制限要因、業界のメーカーが直面する課題とリスク、業界の関連政策を分析
第10章：産業の上流と下流を含む産業チェーンの分析
第11章：レポートの要点と結論
レポート目次1 当調査分析レポートの紹介
・GaN-On-SiCデバイス市場の定義
・市場セグメント
タイプ別：光電式、高周波式、動力式
用途別：5G通信、自動車、工業、その他
・世界のGaN-On-SiCデバイス市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
調査方法
調査プロセス
基準年
レポートの前提条件と注意点
2 GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模
・GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模：2023年VS2030年
・GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高：2019年～2030年
3 企業の概況
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCデバイス上位企業
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCデバイスの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCデバイスの企業別売上高ランキング
・世界の企業別GaN-On-SiCデバイスの売上高
・世界のGaN-On-SiCデバイスのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCデバイスの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーのGaN-On-SiCデバイスの製品タイプ
・グローバル市場におけるGaN-On-SiCデバイスのティア1、ティア2、ティア3メーカー
グローバルGaN-On-SiCデバイスのティア1企業リスト
グローバルGaN-On-SiCデバイスのティア2、ティア3企業リスト
4 製品タイプ別分析
・概要
タイプ別 – GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模、2023年・2030年
光電式、高周波式、動力式
・タイプ別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高と予測
タイプ別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、2019年～2024年
タイプ別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、2025年～2030年
タイプ別-GaN-On-SiCデバイスの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – GaN-On-SiCデバイスの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
5 用途別分析
・概要
用途別 – GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模、2023年・2030年
5G通信、自動車、工業、その他
・用途別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高と予測
用途別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、2019年～2024年
用途別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、2025年～2030年
用途別 – GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – GaN-On-SiCデバイスの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
6 地域別分析
・地域別 – GaN-On-SiCデバイスの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – GaN-On-SiCデバイスの売上高と予測
地域別 – GaN-On-SiCデバイスの売上高、2019年～2024年
地域別 – GaN-On-SiCデバイスの売上高、2025年～2030年
地域別 – GaN-On-SiCデバイスの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
北米のGaN-On-SiCデバイス売上高・販売量、2019年～2030年
米国のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
カナダのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
メキシコのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
ヨーロッパのGaN-On-SiCデバイス売上高・販売量、2019年〜2030年
ドイツのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
フランスのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
イギリスのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
イタリアのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
ロシアのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
・アジア
アジアのGaN-On-SiCデバイス売上高・販売量、2019年～2030年
中国のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
日本のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
韓国のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
東南アジアのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
インドのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
・南米
南米のGaN-On-SiCデバイス売上高・販売量、2019年～2030年
ブラジルのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
アルゼンチンのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
中東・アフリカのGaN-On-SiCデバイス売上高・販売量、2019年～2030年
トルコのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
イスラエルのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
サウジアラビアのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2019年～2030年
UAEGaN-On-SiCデバイスの市場規模、2019年～2030年
7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：SEDI、MACOM、Qorvro、Skyworks、NXP、Fujitsu、Toshiba、Mitsubishi Electric、Innoscience、Hebei Tongguang Semiconductor、Tianke Heda、Shandong Tianyue
・Company A
Company Aの会社概要
Company Aの事業概要
Company AのGaN-On-SiCデバイスの主要製品
Company AのGaN-On-SiCデバイスのグローバル販売量・売上
Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
Company Bの会社概要
Company Bの事業概要
Company BのGaN-On-SiCデバイスの主要製品
Company BのGaN-On-SiCデバイスのグローバル販売量・売上
Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…
8 世界のGaN-On-SiCデバイス生産能力分析
・世界のGaN-On-SiCデバイス生産能力
・グローバルにおける主要メーカーのGaN-On-SiCデバイス生産能力
・グローバルにおけるGaN-On-SiCデバイスの地域別生産量
9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因
10 GaN-On-SiCデバイスのサプライチェーン分析
・GaN-On-SiCデバイス産業のバリューチェーン
・GaN-On-SiCデバイスの上流市場
・GaN-On-SiCデバイスの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
マーケティングチャネル
世界のGaN-On-SiCデバイスの販売業者と販売代理店
11 まとめ
12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項
・GaN-On-SiCデバイスのタイプ別セグメント
・GaN-On-SiCデバイスの用途別セグメント
・GaN-On-SiCデバイスの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模：2023年VS2030年
・GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高：2019年～2030年
・GaN-On-SiCデバイスのグローバル販売量：2019年～2030年
・GaN-On-SiCデバイスの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高
・タイプ別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル価格
・用途別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高
・用途別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル価格
・地域別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-GaN-On-SiCデバイスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米のGaN-On-SiCデバイス市場シェア、2019年～2030年
・米国のGaN-On-SiCデバイスの売上高
・カナダのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・メキシコのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・国別-ヨーロッパのGaN-On-SiCデバイス市場シェア、2019年～2030年
・ドイツのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・フランスのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・英国のGaN-On-SiCデバイスの売上高
・イタリアのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・ロシアのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・地域別-アジアのGaN-On-SiCデバイス市場シェア、2019年～2030年
・中国のGaN-On-SiCデバイスの売上高
・日本のGaN-On-SiCデバイスの売上高
・韓国のGaN-On-SiCデバイスの売上高
・東南アジアのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・インドのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・国別-南米のGaN-On-SiCデバイス市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・アルゼンチンのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・国別-中東・アフリカGaN-On-SiCデバイス市場シェア、2019年～2030年
・トルコのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・イスラエルのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・サウジアラビアのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・UAEのGaN-On-SiCデバイスの売上高
・世界のGaN-On-SiCデバイスの生産能力
・地域別GaN-On-SiCデバイスの生産割合（2023年対2030年）
・GaN-On-SiCデバイス産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
| 【GaN-On-SiCデバイスについて】 GaN-On-SiCデバイスは、ガリウムナイトライド（GaN）とシリコンカーバイド（SiC）を組み合わせた半導体デバイスで、特に高出力、高周波数、高温動作が求められるアプリケーションにおいて重要な役割を果たしています。GaNは、高い電子移動度と広いバンドギャップを持っているため、高効率なスイッチング動作が可能であり、SiCは高い熱伝導性と耐久性を特徴とします。この組み合わせにより、GaN-On-SiCデバイスは、従来のシリコンデバイスよりも優れた性能を発揮することができます。 まず、GaN-On-SiCデバイスの基礎に触れます。GaNの物性は、デバイスの特性を大きく左右します。ガリウムナイトライドは、バンドギャップが約3.4 eVと広いため、紫外光を含む高エネルギーの光を発生させることができ、また高温環境での安定性も高いです。これに対し、シリコンカーバイドは、バンドギャップが約3.3 eVで、より高い耐圧性能を有しています。この二つの材料のハイブリッドにより、特に高出力のアンプや電源装置において、高いエネルギー効率と熱設計の自由度が実現されます。 GaN-On-SiCデバイスの特徴にはいくつかのポイントがあります。一つ目は、スイッチング速度が非常に速いことです。GaNデバイスは、従来のシリコンデバイスに比べてオフ状態からオン状態へ移行する際のスイッチング時間が短いため、高周波数での動作が可能です。この特性は、特にRF（無線周波数）アプリケーションや電力増幅器において重要です。 二つ目は、高熱伝導性です。SiC基板上で動作するGaNデバイスは、発生する熱を効率的に散逸させることができるため、高出力動作時においても温度管理が容易です。これにより、デバイスの長寿命化や信頼性の向上が期待されます。また、GaN-On-SiCデバイスは、高い耐圧性も有しており、高電圧アプリケーションでも適用可能です。 GaN-On-SiCデバイスの種類には、主に電力デバイスとRFデバイスがあります。電力デバイスには、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）が含まれます。これらは、電力変換や電源供給装置、電動車両のパワーエレクトロニクスなどに使われています。RFデバイスは、特に通信分野で広く用いられ、携帯電話基地局や衛星通信、レーダーシステムなどでの電力増幅に使用されています。 GaN-On-SiCデバイスは多くの用途で利用されています。例えば、電力供給システムにおいては、DC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターにおいて、その高効率なスイッチングを活用しています。また、自動車業界においては、電動車両やハイブリッド車のインバーターにおいて、GaN-On-SiCデバイスの導入が進んでおり、これにより車両のエネルギー効率が向上します。 通信業界では、5Gインフラや次世代通信システムの重要なコンポーネントとして、GaN-On-SiCデバイスが注目されています。特に、多数のデバイスを一つの基板に集積できる特性から、通信アンテナのサイズを小さくしながら性能を向上させることが可能です。また、宇宙産業や軍事用途においても、厳しい環境下での動作が求められるため、その特性が評価されています。 関連技術としては、GaN-On-SiCデバイスの製造プロセスやパッケージング技術が挙げられます。これらの技術は、デバイスの性能を最大限引き出すために重要です。たとえば、エピタキシャル成長技術により、高品質なGaN層をSiC基板上に成長させることができます。このプロセスは、デバイスの特性を向上させるために非常に重要です。また、サーマルマネジメント技術は、デバイスの冷却において重要な要素であり、気体冷却や液体冷却など、さまざまな方法が開発されています。 GaN-On-SiCデバイスは、今後の技術革新やエネルギー効率の向上に貢献する可能性が高いと考えられています。特に、持続可能なエネルギーの利用や、電動化の進展とともに、その需要はますます高まっていくでしょう。エネルギーの効率化が求められる現代社会において、GaN-On-SiCデバイスの役割は今後ますます重要になると期待されています。 全体を通じて、GaN-On-SiCデバイスは、半導体技術の進歩の一環として、さまざまな分野で重要な地位を占めています。その性能の特異性と、多様な用途に対応できる柔軟性は、技術革新の基盤となっていると言えるでしょう。今後の研究開発が進むことで、さらに革新的なアプリケーションが生まれ、より効率的かつ持続可能な技術が実現されることが期待されています。 |
