RF電界効果トランジスタ（FET）のグローバル市場インサイト・予測（～2028年）
• 英文タイトル：Global RF Field Effect Transistor (FET) Market Insights, Forecast to 2028• レポートコード：MRC2Q12-10382
• 出版日：2022年12月
世界のGaN電界効果トランジスタ（FET）ドライバ市場2022-2028：ハーフブリッジボードタイプ、フルブリッジボードタイプ
• 英文タイトル：GaN Field-Effect Transistor (FET) Drivers Market, Global Outlook and Forecast 2022-2028• レポートコード：MR2211MG03791
• 出版日：2022年11月
次世代トランジスタの世界市場：材料別（横方向拡散金属酸化膜半導体（LDMOS）、ガリウムひ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、ひ化インジウム（InAs）、リン化インジウム（InP）、その他）、タイプ別（高電子移動度トランジスタ（HEMT）、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）、電界効果トランジスタ（FET）、多重エミッタトランジスタ（MET）、デュアルゲート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOS FET）、その他）、エンドユーザー産業別、地域別分析
• 英文タイトル：Global Next-Generation Transistors Market - Segmented by Type (High Electron Mobility Transistor (HEMT), Bipolar Junction Transistor (BJT), Field Effect Transistors (FET), Multiple Emitter Transistor (MET), Dual Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effective Transistor), End-user Industry (Aerospace and Defense, Industrial, Telecommunications, Consumer Electronics), and Region - Growth, Trends, and Forecast (2018 - 2023)• レポートコード：B-MOR-08397
• 出版日：2018年5月14日