 | • レポートコード：MRCLP-R8-NV3078 • 出版社/出版日：LP Information / 2026年11月 • レポート形態：英文、PDF、215ページ • 納品方法：Eメール（納期：2-3営業日） • 産業分類：Electronics & Semiconductor |
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レポート概要
SiC・GaNデバイス・モジュール市場調査レポート概要
グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール市場規模は、2025年の65億5300万米ドルから2032年には254億7000万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年の間に年平均成長率（CAGR）21.8％で拡大すると見込まれています。
■ 製品概要
シリコンカーバイド（SiC）およびガリウムナイトライド（GaN）デバイス・モジュールは、シリコンに比べて高効率、高速スイッチング、優れた熱性能が求められる用途で用いられる主要なワイドバンドギャップ（WBG）パワー半導体技術です。
SiC製品群には、SiCショットキーバリアダイオード（SBD）、ディスクリートSiC MOSFET（平面型およびトレンチ型）、モジュール組立用のベアダイス、統合型SiCパワーモジュール（ハーフブリッジ、3レベル、多チップモジュール）が含まれ、一般的に600Vから3300V以上の電圧クラスをカバーしています。
一方、GaN製品群は、エンハンスメントモードGaN HEMT（ディスクリートおよび集積）、モノリシックパワーステージ、GaNパワーIC（ドライバー＋FET）、GaNベースのハーフブリッジモジュールを含み、主に低から中電圧帯（例：30～900V）および非常に高周波数の用途に注力しています。これらのデバイスは、ベアウェハー／ダイス、ディスクリートパッケージ品（TO、DPAK、PQFN等）、およびシステム直結用のモジュール／パワーステージ組立品として販売されています。
■ 用途、バリューチェーンおよび主要企業
SiCは高電圧・高温・最高のシステム効率が重視される分野で優勢で、EVの牽引インバーター、車載充電器／DC-DCコンバーター、大型太陽光／グリッドインバーター、産業用モーター駆動、鉄道牽引で利用されています。
GaNは、高速スイッチング、高電力密度、低電圧効率が求められる用途で強みを持ち、急速充電器、サーバー／PoE電源、データセンターフロントエンド、ポイントオブロードコンバーターで活用されています。
業界のバリューチェーンは、上流の結晶・基板成長・エピタキシャル供給（基板、エピウェハー、特殊材料）、中流のデバイスファブおよびパッケージメーカー（前工程デバイスプロセス、後工程のシングレーション・モジュール組立）、下流のOEM／システムインテグレーター（自動車Tier-1、インバーターメーカー、サーバーおよびアダプターOEM）に渡ります。
主要SiC企業としては、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード、ローム、オンセミコンダクター、および複数の地域チャレンジャーが挙げられます。主要GaN企業には、GaNシステムズ、EPC、ナビタス、トランスフォーム、及びGaNパワーICを提供する既存のアナログ企業が含まれます。2024～2025年の注目戦略としては、200mm SiC商用化・ウエハースケール投資、ファウンドリ／グリーンフィールドファブの大規模発表、デバイスメーカーと基板・エピサプライヤー間の供給契約拡大が見られます。
■ 業界状況と今後の動向（簡潔）
市場は急速な普及段階にありますが、SiCとGaNでは構造的に異なります。SiCは上流の基板・エピの供給能力制約に直面しており、業界全体で単価を下げ大量生産を可能にするため200mmウェハーフローへの移行を進めています。一方GaNは、チャージャー、データセンター、コンシューマー電源での高速スイッチングの利点により低電圧領域で急速に拡大しています。
SiCとGaNの終端市場はともに数年間に渡り二桁台のCAGRが予想され、特にSiC需要はEV牽引と大型インバーターに強く連動します。垂直統合の継続や長期供給契約による基板・エピの確保、パッケージング・モジュール革新の加速（埋め込みダイ、両面冷却、寄生素子低減）、OEMとベンダーの緊密な共設計によるシステムレベル効率向上が期待されます。短期的には需要サイクルや単一サプライヤー依存のリスクによる変動が続きますが、中期的にはターゲット電力セグメントでシリコンの幅広い置換が進む方向です。
■ レポート概要
LPインフォメーション社（LPI）の最新調査レポート「SiC and GaN Devices and Modules Industry Forecast」では、過去の販売実績と2025年の世界SiC・GaNデバイス・モジュール販売を分析し、2026年から2032年の地域別・市場セグメント別の詳細な販売予測を提供しています。
SiC・GaNデバイス・モジュールの地域別、市場セクター別、サブセクター別の売上高を米ドルで詳細に分析したものです。本インサイトレポートは、製品の細分化、企業設立、収益、市場シェア、最新動向、M&A活動に関する包括的な分析を提供します。また主要グローバル企業のSiC・GaNデバイス・モジュールポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場ポジションおよび地理的展開を分析し、急成長するグローバル市場におけるそれぞれの独自の立ち位置を理解するのに役立ちます。
本レポートは、SiC・GaNデバイス・モジュールの世界市場に影響を与える主要トレンド、ドライバー、形成要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別の予測を通じて新たな成長機会を浮き彫りにします。数百におよぶボトムアップの質的・量的市場情報に基づく透明性の高い方法論により、現状と今後の市場動向を詳細に示しています。
■ 市場セグメント
タイプ別：
- SiCデバイス・モジュール
- GaNデバイス・モジュール
用途別：
- 自動車
- EV充電
- 産業用モーター／ドライブ
- 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
- UPS、データセンター＆サーバー
- 鉄道輸送
- コンシューマーエレクトロニクス
- 防衛・宇宙
- その他
地域別：
アメリカ大陸
・アメリカ合衆国
・カナダ
・メキシコ
・ブラジル
アジア太平洋（APAC）
・中国
・日本
・韓国
・東南アジア
・インド
・オーストラリア
ヨーロッパ
・ドイツ
・フランス
・イギリス
・イタリア
・ロシア
中東・アフリカ
・エジプト
・南アフリカ
・イスラエル
・トルコ
・GCC諸国
■ プロファイル対象企業
以下の企業はプライマリーな専門家の意見と各社の製品ポートフォリオ、市場浸透状況の分析に基づき選定されています。
– onsemi
– STマイクロエレクトロニクス
– インフィニオン（GaNシステムズ）
– ウルフスピード
– BYDセミコンダクター
– ボッシュ
– United Nova Technology
– Innoscience
– Navitas（GeneSiC）
– 広東AccoPower Semiconductor
– ローム
– San’an Optoelectronics
– Efficient Power Conversion Corporation（EPC）
– Power Integrations, Inc.
– Semikron Danfoss
– 三菱電機
– BASiC Semiconductor
– 富士電機
– SemiQ
– PN Junction Semiconductor（杭州）
– 株洲CRRCタイムズエレクトリック
– InventChip Technology
– マイクロチップ（マイクロセミ）
– CETC 55
– 東芝
– WeEn Semiconductors
– Littelfuse（IXYS）
– ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）
– 揚州楊潔電子技術
– ヴィシェイ・インターテクノロジー
– 中国資源マイクロエレクトロニクス
– ネクスペリア
– SKパワーテック
– テキサス・インスツルメンツ
– Alpha & Omega Semiconductor
– SanRex
– StarPower
– 昌州ギャラクシーセンチュリーマイクロエレクトロニクス
– GE航空宇宙
– 杭州士蘭微電子
– KEC
– PANJITグループ
– Diodes Incorporated
– Cissoid
■ レポートが回答する主要質問
– グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール市場の10年見通しは？
– グローバルおよび地域別で成長を牽引する要因は？
– 市場・地域別に最も成長が期待される技術は？
– 終端市場規模によるSiC・GaNデバイス・モジュールの市場機会の違いは？
– タイプ別、用途別のSiC・GaNデバイス・モジュールの市場内訳は？
1 レポートの範囲
1.1 市場導入
1.2 対象年
1.3 調査目的
1.4 市場調査方法論
1.5 調査プロセスとデータソース
1.6 経済指標
1.7 対象通貨
1.8 市場推定に関する注意事項
2 エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場の概要
2.1.1 グローバルSiC・GaNデバイス・モジュールの年間販売額（2021-2032年）
2.1.2 地理的地域別のSiC・GaNデバイス・モジュール現在および将来の分析（2021年、2025年、2032年）
2.1.3 国/地域別のSiC・GaNデバイス・モジュール現在および将来の分析（2021年、2025年、2032年）
2.2 SiC・GaNデバイス・モジュールのタイプ別セグメント
2.2.1 SiCデバイス・モジュール
2.2.2 GaNデバイス・モジュール
2.2.3 タイプ別SiC・GaNデバイス・モジュール販売
2.2.3.1 タイプ別のグローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売市場シェア（2021-2026年）
2.2.3.2 タイプ別のグローバルSiC・GaNデバイス・モジュール収益と市場シェア（2021-2026年）
2.2.3.3 タイプ別のグローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売価格（2021-2026年）
2.3 SiC・GaNデバイス・モジュールの用途別セグメント
2.3.1 自動車
2.3.2 EV充電
2.3.3 産業用モーター/ドライブ
2.3.4 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
2.3.5 無停電電源装置(UPS)、データセンター＆サーバー
2.3.6 鉄道輸送
2.3.7 コンシューマーエレクトロニクス
2.3.8 防衛＆航空宇宙
2.3.9 その他
2.3.10 用途別SiC・GaNデバイス・モジュール販売
2.3.10.1 用途別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売市場シェア（2021-2026年）
2.3.10.2 用途別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール収益と市場シェア（2021-2026年）
2.3.10.3 用途別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売価格（2021-2026年）
3 企業別グローバル分析
3.1 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュールの詳細データ
3.1.1 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間販売額（2021-2026年）
3.1.2 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売市場シェア（2021-2026年）
3.2 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間収益（2021-2026年）
3.2.1 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール収益（2021-2026年）
3.2.2 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール収益市場シェア（2021-2026年）
3.3 企業別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール販売価格
3.4 主要メーカーのSiC・GaNデバイス・モジュール生産地域分布、販売地域、製品タイプ
3.4.1 主要メーカーのSiC・GaNデバイス・モジュール製品所在地分布
3.4.2 プレイヤーのSiC・GaNデバイス・モジュール製品提供状況
3.5 市場集中度分析
3.5.1 競争状況分析
3.5.2 集中率（CR3、CR5、CR10）分析（2024-2026年）
3.6 新製品と潜在的参入者
3.7 市場のM&A動向および戦略
4 地理的地域別SiC・GaNデバイス・モジュールの世界歴史評価
4.1 地理的地域別世界のSiC・GaNデバイス・モジュール市場規模の歴史（2021-2026年）
4.1.1 地理的地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間販売額（2021-2026年）
4.1.2 地理的地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間収益（2021-2026年）
4.2 国/地域別世界のSiC・GaNデバイス・モジュール市場規模の歴史（2021-2026年）
4.2.1 国/地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間販売額（2021-2026年）
4.2.2 国/地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間収益（2021-2026年）
4.3 アメリカ大陸のSiC・GaNデバイス・モジュール販売成長
4.4 アジア太平洋地域（APAC）のSiC・GaNデバイス・モジュール販売成長
4.5 ヨーロッパのSiC・GaNデバイス・モジュール販売成長
4.6 中東・アフリカのSiC・GaNデバイス・モジュール販売成長
5 アメリカ大陸
5.1 国別アメリカ大陸SiC・GaNデバイス・モジュール販売
5.1.1 国別アメリカ大陸SiC・GaNデバイス・モジュール販売額（2021-2026年）
5.1.2 国別アメリカ大陸SiC・GaNデバイス・モジュール収益（2021-2026年）
5.2 アメリカ大陸SiC・GaNデバイス・モジュールタイプ別販売（2021-2026年）
5.3 アメリカ大陸SiC・GaNデバイス・モジュール用途別販売（2021-2026年）
5.4 アメリカ合衆国
5.5 カナダ
5.6 メキシコ
5.7 ブラジル
6 アジア太平洋地域（APAC）
6.1 地域別APAC SiC・GaNデバイス・モジュール販売
6.1.1 地域別APAC SiC・GaNデバイス・モジュール販売額（2021-2026年）
6.1.2 地域別APAC SiC・GaNデバイス・モジュール収益（2021-2026年）
6.2 APAC SiC・GaNデバイス・モジュールタイプ別販売（2021-2026年）
6.3 APAC SiC・GaNデバイス・モジュール用途別販売（2021-2026年）
6.4 中国
6.5 日本
6.6 韓国
6.7 東南アジア
6.8 インド
6.9 オーストラリア
6.10 台湾（中国）
7 ヨーロッパ
7.1 国別ヨーロッパSiC・GaNデバイス・モジュール
7.1.1 国別ヨーロッパSiC・GaNデバイス・モジュール販売額（2021-2026年）
7.1.2 国別ヨーロッパSiC・GaNデバイス・モジュール収益（2021-2026年）
7.2 ヨーロッパSiC・GaNデバイス・モジュールタイプ別販売（2021-2026年）
7.3 ヨーロッパSiC・GaNデバイス・モジュール用途別販売（2021-2026年）
7.4 ドイツ
7.5 フランス
7.6 イギリス
7.7 イタリア
7.8 ロシア
8 中東・アフリカ
8.1 国別中東・アフリカSiC・GaNデバイス・モジュール
8.1.1 国別中東・アフリカSiC・GaNデバイス・モジュール販売額（2021-2026年）
8.1.2 国別中東・アフリカSiC・GaNデバイス・モジュール収益（2021-2026年）
8.2 中東・アフリカSiC・GaNデバイス・モジュールタイプ別販売（2021-2026年）
8.3 中東・アフリカSiC・GaNデバイス・モジュール用途別販売（2021-2026年）
8.4 エジプト
8.5 南アフリカ
8.6 イスラエル
8.7 トルコ
8.8 GCC諸国
9 市場の促進要因、課題およびトレンド
9.1 市場の促進要因および成長機会
9.2 市場の課題およびリスク
9.3 業界のトレンド
10 製造コスト構造分析
10.1 原材料およびサプライヤー
10.2 SiC・GaNデバイス・モジュールの製造コスト構造分析
10.3 SiC・GaNデバイス・モジュールの製造プロセス分析
10.4 SiC・GaNデバイス・モジュールの産業チェーン構造
11 マーケティング、販売代理店および顧客
11.1 販売チャネル
11.1.1 直販チャネル
11.1.2 間接チャネル
11.2 SiC・GaNデバイス・モジュールの販売代理店
11.3 SiC・GaNデバイス・モジュールの顧客
12 地理的地域別SiC・GaNデバイス・モジュールの世界予測レビュー
12.1 地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール市場規模予測
12.1.1 地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール予測（2027-2032年）
12.1.2 地域別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール年間収益予測（2027-2032年）
12.2 アメリカ大陸国別予測（2027-2032年）
12.3 APAC地域別予測（2027-2032年）
12.4 ヨーロッパ国別予測（2027-2032年）
12.5 中東・アフリカ国別予測（2027-2032年）
12.6 タイプ別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール予測（2027-2032年）
12.7 用途別グローバルSiC・GaNデバイス・モジュール予測（2027-2032年）
13 主要企業分析
13.1 onsemi
13.1.1 onsemi企業情報
13.1.2 onsemi SiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.1.3 onsemi SiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.1.4 onsemi主な事業概要
13.1.5 onsemi最新動向
13.2 STマイクロエレクトロニクス
13.2.1 STマイクロエレクトロニクス企業情報
13.2.2 STマイクロエレクトロニクスSiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.2.3 STマイクロエレクトロニクスSiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.2.4 STマイクロエレクトロニクス主な事業概要
13.2.5 STマイクロエレクトロニクス最新動向
13.3 インフィニオン（GaN Systems）
13.3.1 インフィニオン（GaN Systems）企業情報
13.3.2 インフィニオン（GaN Systems）SiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.3.3 インフィニオン（GaN Systems）SiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.3.4 インフィニオン（GaN Systems）主な事業概要
13.3.5 インフィニオン（GaN Systems）最新動向
13.4 ウルフソード
13.4.1 ウルフソード企業情報
13.4.2 ウルフソードSiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.4.3 ウルフソードSiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.4.4 ウルフソード主な事業概要
13.4.5 ウルフソード最新動向
13.5 BYDセミコンダクター
13.5.1 BYDセミコンダクター企業情報
13.5.2 BYDセミコンダクターSiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.5.3 BYDセミコンダクターSiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.5.4 BYDセミコンダクター主な事業概要
13.5.5 BYDセミコンダクター最新動向
13.6 ボッシュ
13.6.1 ボッシュ企業情報
13.6.2 ボッシュSiC・GaNデバイス・モジュール製品ポートフォリオおよび仕様
13.6.3 ボッシュSiC・GaNデバイス・モジュール販売、収益、価格および粗利益率（2021-2026年）
13.6.4 ボッシュ主な事業概要
13.6.5 ボッシュ最新動向
（以下、同様に続く）
14 調査結果と結論
| ※SiC（シリコンカーバイト）およびGaN（ガリウムナイトライド）デバイスは、次世代のパワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たしています。これらの材料は、従来のシリコン（Si）デバイスに比べて高い熱伝導性や高電圧耐性、さらには高い周波数特性を持つため、自動車産業、通信分野、再生可能エネルギーなど、様々な用途に利用されています。 SiCデバイスは、主に高温や高電圧の環境でのパフォーマンス向上を目的に開発されています。SiCの特性により、高効率な電源変換が可能であり、パワーMOSFETやダイオードとして広く用いられています。特に、SiC MOSFETは、高速スイッチング能力と低いオン抵抗を兼ね備えており、電力損失を大幅に低減することができます。これにより、電動車両や産業用機器など、高効率が求められるアプリケーションでの導入が進んでいます。 GaNデバイスは、特に高周波数の動作が可能であり、RF（無線周波数）アプリケーションや高効率のDC-DCコンバータに多く使われています。GaNは高い電子移動度を持ち、これが高周波数動作を実現する要因となっています。GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、通信インフラや衛星通信、さらには新しい通信技術として5Gの実現にも寄与しています。 SiCおよびGaNデバイスは、いずれも小型化を実現できるため、システム全体のコンパクト化が可能で、これが省スペースを実現する要因ともなっています。また、高効率化はエネルギー消費の削減にも寄与し、環境面でも非常に重要です。これらのデバイスは、電力変換の効率向上によって、冷却要件を低減し、全体的なシステムコストの削減を実現します。 これらのデバイスの製造技術は、従来のSiデバイスとは異なり、材料の成長や加工に特有の条件が求められます。SiCの場合、単結晶成長技術やエピタキシャル成長技術が利用され、GaNの場合も同様に特殊なプロセスが必要です。これにより、高品質な半導体材料を得ることができ、それがデバイスの性能や信頼性に直結します。 SiCとGaN技術は、主に電力変換、電子機器の熱管理、RF通信などの分野で活用されており、それぞれの特性を生かしたモジュール設計が進められています。たとえば、SiCを使用した電源モジュールは、従来技術に比べて高い出力密度を持ち、冷却効率を向上させることができます。一方、GaNモジュールは、より高い周波数での動作を実現するために設計されており、高速信号処理が求められる環境での使用に適しています。 また、SiCおよびGaNデバイスは、再生可能エネルギーシステム、特に太陽光発電や風力発電においても重要な役割を果たしています。これらのデバイスは、太陽光パネルから得られる直流電力を効率的に交流電力に変換するインバータや、風力タービンの制御システムにも使用され、エネルギーの最大効率利用を促進しています。 今後、SiCおよびGaNデバイスは、さらなる進化を遂げ、より洗練されたエネルギー管理システムや効率的な電力供給が期待されます。それによって持続可能な社会の実現に向けた貢献が一層強化されるでしょう。これらの技術は、今後のパワーエレクトロニクスの未来において、ますます重要な位置を占めていくことが予想されます。 |
