 | • レポートコード：MRC2304G154 • 出版社/出版日：Mordor Intelligence / 2023年2月 2025年版があります。お問い合わせください。 • レポート形態：英文、PDF、100ページ • 納品方法：Eメール（受注後2-3営業日） • 産業分類：半導体 |
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レポート概要
| Mordor Intelligence社の本調査資料では、世界のGaN半導体デバイス市場規模が、2019年に977.21百万ドルとなり、予測期間中（2020年〜2025年）にCAGR17.21％で拡大し、2025年までに2,534.61百万ドルに到達すると展望しています。本資料は、GaN半導体デバイスの世界市場について調査を行い、市場の現状や動向をまとめています。イントロダクション、調査手法、エグゼクティブサマリー、市場動向、種類別（パワー半導体、光半導体、RF半導体）分析、デバイス別（トランジスタ、ダイオード、整流器、電源IC）分析、産業別（自動車、家電、航空宇宙・防衛、医療、その他）分析、地域別（アメリカ、カナダ、イギリス、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国）分析、競争状況、市場機会・将来の動向など、以下の項目を掲載しています。また、主要参入企業として、Toshiba Corporation、Panasonic Corporation、Cree Inc.、GaN Systems Inc.、Infineon Technologies AG、OSRAM GmbH、Efficient Power Conversion Corporation、NXP Semiconductors NV、Texas Instruments、NTT Advanced Technology Corporationなどの情報を含んでいます。 ・イントロダクション ・調査手法 ・エグゼクティブサマリー ・市場動向 ・世界のGaN半導体デバイス市場規模：種類別 - パワー半導体の市場規模 - 光半導体の市場規模 - RF半導体の市場規模 ・世界のGaN半導体デバイス市場規模：デバイス別 - トランジスタにおける市場規模 - ダイオードにおける市場規模 - 整流器における市場規模 - 電源ICにおける市場規模 ・世界のGaN半導体デバイス市場規模：産業別 - 自動車における市場規模 - 家電における市場規模 - 航空宇宙・防衛における市場規模 - 医療における市場規模 - その他における市場規模 ・世界のGaN半導体デバイス市場規模：地域別 - 北米のGaN半導体デバイス市場規模 アメリカのGaN半導体デバイス市場規模 カナダのGaN半導体デバイス市場規模 … - ヨーロッパのGaN半導体デバイス市場規模 イギリスのGaN半導体デバイス市場規模 フランスのGaN半導体デバイス市場規模 ドイツのGaN半導体デバイス市場規模 … - アジア太平洋のGaN半導体デバイス市場規模 中国のGaN半導体デバイス市場規模 韓国のGaN半導体デバイス市場規模 日本のGaN半導体デバイス市場規模 … - その他地域のGaN半導体デバイス市場規模 中南米のGaN半導体デバイス市場規模 中東・アフリカのGaN半導体デバイス市場規模 … ・競争状況 ・市場機会・将来の動向 |
**GaN半導体デバイス市場の概要**
**市場規模と成長予測**
GaN（窒化ガリウム）半導体デバイス市場は、2019年に9億7,721万米ドルと評価されました。この市場は、2025年までに25億3,461万米ドルに達すると予測されており、2020年から2025年の予測期間中に年平均成長率（CAGR）17.21%を記録すると見込まれています。
**主要な市場推進要因**
この市場の成長を牽引する主な要因は、半導体市場における無線周波数（RF）需要の増加、LEDベースの照明およびディスプレイ分野におけるコンシューマーエレクトロニクス産業の繁栄、電気自動車（EV）、電力供給、太陽光発電インバーターの台頭などが挙げられます。
**主要なハイライト**
* **GaNの利点と普及**: GaNは、従来のシリコンやガリウムヒ素と比較して、費用対効果が高く、冷却要件が不要であるといった利点から、その採用が加速しています。近年、エネルギー効率の高い半導体デバイスへの需要が増加していることも、GaNの普及を後押ししています。
* **コンシューマーエレクトロニクス分野での需要**: スマートフォン、ゲーミングデバイス、ラップトップ、テレビなどの需要増加は、コンシューマーエレクトロニクス分野におけるGaN半導体デバイス市場を牽引すると予測されています。
* **ICTセグメントでの需要**: 5G規格の導入に伴い、高出力トランジスタおよび基地局への需要が高まっており、これによりICTセグメントにおけるGaNパワー半導体の需要が増加しています。
**市場トレンド**
**コンシューマーエレクトロニクスセグメントが最大の市場シェアを占める見込み**
GaN半導体技術の価格が革新により低下しているため、今後数年間でGaNの採用率は増加すると予想されます。データ消費率の増加、デバイスにインストールされるアプリケーションの数、高速プロセッサ、改良されたRAM/ROM、堅牢なディスプレイなどは、以前の仕様よりも多くのバッテリーを消費します。このような技術的進歩に伴い、バッテリーの能力向上が求められており、GaN半導体は既存の電子デバイスにおける充電技術を革新しています。ワイヤレス充電や急速充電などにGaN半導体が採用されています。
また、GaN半導体デバイスは、効率的なエネルギー変換器であるスイッチングモード電源など、他のコンピュータ部品にも幅広く応用されています。5Gワイヤレス通信の普及に伴い、電子デバイスの使用が飛躍的に増加し、GaN半導体への需要がさらに高まるでしょう。
**アジア太平洋地域が最速の成長率を示す見込み**
中国、日本、インドからのコンシューマーエレクトロニクスおよび自動車の生産・輸出の増加が、アジア太平洋地域のGaN市場を牽引しています。この地域における低人件費と生産コストも、市場の成長を促進する重要な要因です。
* **中国のEV普及**: 中国は33万箇所の公共充電ポイントを有しており、これは米国の6万7,500箇所と比較して非常に多いです。深圳市では1万6,000台のバスが100%電動化されており、2万2,000台のタクシーもEVに切り替えられています。リゾート地の海南島は、2030年までにEVの100%導入を計画しています。
* **インドのEV政策**: 2019年3月7日、インド政府はリチウムの輸入補助金15%を正式に発表しました。これは国内での電気自動車生産の容易さを示しています。首相府と重工業省（DHI）間の政策交渉により、インドを電動モビリティの道へと導く「Faster Adoption and Manufacturing of (Hybrid &) Electric Vehicles (FAME)」スキームが承認されました。インドの様々な州政府は、電気バスの大量導入を推進しており、マヒンドラやタタなどの企業は、Energy Efficiency Services Limitedのような政府機関と入札契約を結び、政府向けEVを提供しています。
**GaN半導体デバイス市場の競合分析**
この業界は半導体業界の主要企業によって支配されており、パナソニック株式会社、NXPセミコンダクターズN.V.、東芝株式会社などの企業の存在により競争は激しいです。
* **Panasonic**: 2019年、パナソニックは独自のX-GaN技術を用いてGaNベースのトランジスタを開発し、最大99%の効率を持つ電力変換器やモーター構成におけるトランジスタの代替など、多くのアプリケーションで活用しています。
* **RAVPower**: コンシューマーエレクトロニクスセグメントでは、RAVPowerが2018年に高速充電向けの新しい45W GaN PDウォールチャージャーのラインを導入しました。
* **NXP Semiconductors NV**: IMS 2018で、NXPセミコンダクターズN.V.は新しいRF GaN広帯域パワートランジスタを発表し、5G向けのAirfast第3世代Si-LDMOSポートフォリオのマクロおよび屋外小型セルソリューションも拡張しています。
**追加特典**
この市場調査レポートには、Excel形式の市場推計（ME）シートと、3ヶ月間のアナリストサポートが含まれます。
1 はじめに
1.1 研究の成果物
1.2 研究の前提条件
1.3 研究の範囲
2 研究方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 市場の動向
4.1 市場の概要
4.2 市場の推進要因と抑制要因の紹介
4.3 市場の推進要因
4.3.1 新興産業の成長（バーチャルリアリティ、ワイヤレス充電など）
4.3.2 再生可能エネルギーの推進
4.4 市場の抑制要因
4.4.1 シリコンカーバイド技術との競争
4.5 業界の魅力度 – ポーターのファイブフォース分析
4.5.1 新規参入者の脅威
4.5.2 消費者の交渉力
4.5.3 供給者の交渉力
4.5.4 代替製品の脅威
4.5.5 競争の激しさ
5 市場セグメンテーション
5.1 種類
5.1.1 パワー半導体
5.1.2 オプト半導体
5.1.3 RF半導体
5.2 デバイス
5.2.1 トランジスタ
5.2.2 ダイオード
5.2.3 整流器
5.2.4 パワーIC
5.3 エンドユーザー産業
5.3.1 自動車
5.3.2 コンシューマーエレクトロニクス
5.3.3 航空宇宙・防衛
5.3.4 医療
5.3.5 情報通信技術
5.3.6 その他のエンドユーザー産業
5.4 地理
5.4.1 北米
5.4.1.1 アメリカ合衆国
5.4.1.2 カナダ
5.4.2 ヨーロッパ
5.4.2.1 イギリス
5.4.2.2 ドイツ
5.4.2.3 フランス
5.4.2.4 その他のヨーロッパ
5.4.3 アジア太平洋
5.4.3.1 中国
5.4.3.2 日本
5.4.3.3 韓国
5.4.3.4 その他のアジア太平洋地域
5.4.4 その他の地域
5.4.4.1 ラテンアメリカ
5.4.4.2 中東・アフリカ
6 競争環境
6.1 企業プロフィール
6.1.1 Toshiba Corporation
6.1.2 Panasonic Corporation
6.1.3 Cree Inc.
6.1.4 GaN Systems Inc.
6.1.5 Infineon Technologies AG
6.1.6 OSRAM GmbH
6.1.7 Efficient Power Conversion Corporation
6.1.8 NXP Semiconductors NV
6.1.9 Texas Instruments
6.1.10 NTT Advanced Technology Corporation
7 市場機会と将来のトレンド
1 INTRODUCTION1.1 Study Deliverables
1.2 Study Assumptions
1.3 Scope of the Study
2 RESEARCH METHODOLOGY
3 EXECUTIVE SUMMARY
4 MARKET DYNAMICS
4.1 Market Overview
4.2 Introduction to Market Drivers and Restraints
4.3 Market Drivers
4.3.1 Growth of New Industries (Virtual Reality, Wireless Charging etc.)
4.3.2 Increasing Push towards Renewable Energy Forms
4.4 Market Restraints
4.4.1 Competition from Silicon Carbide Technology
4.5 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis
4.5.1 Threat of New Entrants
4.5.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers
4.5.3 Bargaining Power of Suppliers
4.5.4 Threat of Substitute Products
4.5.5 Intensity of Competitive Rivalry
5 MARKET SEGMENTATION
5.1 Type
5.1.1 Power Semiconductor
5.1.2 Opto-Semiconductor
5.1.3 RF Semiconductor
5.2 Devices
5.2.1 Transistors
5.2.2 Diodes
5.2.3 Rectifier
5.2.4 Power ICs
5.3 End-user Industry
5.3.1 Automotive
5.3.2 Consumer Electronics
5.3.3 Aerospace & Defense
5.3.4 Medical
5.3.5 Information Communication & Technology
5.3.6 Other End-user Industries
5.4 Geography
5.4.1 North America
5.4.1.1 United States
5.4.1.2 Canada
5.4.2 Europe
5.4.2.1 United Kingdom
5.4.2.2 Germany
5.4.2.3 France
5.4.2.4 Rest of Europe
5.4.3 Asia-Pacific
5.4.3.1 China
5.4.3.2 Japan
5.4.3.3 South Korea
5.4.3.4 Rest of Asia-Pacific
5.4.4 Rest of the World
5.4.4.1 Latin America
5.4.4.2 Middle-East & Africa
6 COMPETITIVE LANDSCAPE
6.1 Company Profiles
6.1.1 Toshiba Corporation
6.1.2 Panasonic Corporation
6.1.3 Cree Inc.
6.1.4 GaN Systems Inc.
6.1.5 Infineon Technologies AG
6.1.6 OSRAM GmbH
6.1.7 Efficient Power Conversion Corporation
6.1.8 NXP Semiconductors NV
6.1.9 Texas Instruments
6.1.10 NTT Advanced Technology Corporation
7 MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS
| ※GaN（窒化ガリウム）半導体デバイスは、近年ますます注目を集めている新しいタイプの半導体材料を使用したデバイスです。GaNは、バンドギャップが広く、高温、高電圧、高周波特性に優れているため、従来のシリコン半導体を超える性能を持つとされています。この特性により、さまざまなアプリケーションで使用されています。 GaN半導体は、主にLED（発光ダイオード）、パワーエレクトロニクス、RFデバイス（高周波デバイス）などに利用されています。特にLED分野では、青色LEDの開発により、ホワイトLEDの実用化を可能にし、照明やディスプレイ技術に革命をもたらしました。この青色LEDは、GaNの特性によって高効率かつ長寿命を実現しています。 GaNを使用したパワーエレクトロニクスデバイスは、特に電力変換器や電源装置において重要な役割を果たしています。GaNトランジスタは、シリコンベースのトランジスタに比べて高いスイッチング速度と低いオン抵抗を持ち、効率の向上とコンパクトなデザインが可能になります。このため、電動車両や再生可能エネルギーシステムなど、エネルギー効率が求められる分野での需要が高まっています。 RFデバイスにおいても、GaNは非常に重要です。GaNトランジスタは、高出力、高効率、広帯域幅という特性により、無線通信やレーダー、衛星通信の分野で広く利用されています。特に、5G通信技術の発展に伴い、GaNデバイスの需要が急増しています。この技術は、より高速なデータ通信を実現し、高密度なネットワーク構築を可能にします。 GaN半導体デバイスにはいくつかの種類があります。一般的には、ガリウム窒化物を基材としたHEMT（高電子移動度トランジスタ）が挙げられます。HEMTは、高周波信号の増幅に優れた特性を持ち、主に無線通信やレーダーシステムにおいて使用されています。また、GaN基板上に形成されたLEDやレーザーも一般的です。 GaN技術は、製造プロセスにおいても革新が進んでいます。従来のシリコン全般と異なり、GaNはウエハーの成長や加工が難しいため、特別な技術や材料が求められます。しかし、近年は新しい成長技術や改良されたエピタキシャル成長プロセスによって、GaNの生産が効率化され、コストの削減も進んでいます。 将来的には、GaN半導体デバイスはさらに多くの分野での応用が見込まれています。特に、次世代のエネルギー変換デバイスや高出力レーザー、さらには車載用電源や新しい通信技術において、その重要性が増すと考えられています。これにより、GaNは今後のエレクトロニクスの進化に欠かせない要素となるでしょう。 総じて、GaN半導体デバイスは、その特性や応用の多様性から、現代のテクノロジーにおいて欠かせない存在となっています。今後の進展により、新たなイノベーションが期待される分野であり、その成果がどのように私たちの生活に影響を与えるか注視が必要です。 |
