 | • レポートコード：MRCLC5DC02514 • 出版社/出版日：Lucintel / 2025年3月 • レポート形態：英文、PDF、約150ページ • 納品方法：Eメール（ご注文後2-3営業日） • 産業分類：半導体・電子 |
| Single User | ￥737,200 (USD4,850) | ▷ お問い合わせ |
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レポート概要
| 主要データポイント：2031年の市場規模＝12億ドル、今後7年間の年間成長予測＝11.6％。 詳細情報は以下をご覧ください。本市場レポートは、製造方法（垂直勾配凍結法、液体封入式チョクラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相エピタキシー）、用途（モバイル機器、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他）、地域（北米、欧州、アジア太平洋、その他地域）別に、2031年までのグローバルGaAsウェハー市場の動向、機会、予測を網羅しています。 （北米、欧州、アジア太平洋、その他地域） |
GaAsウェハーの動向と予測
世界のGaAsウェハー市場は、モバイル機器、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛市場における機会を背景に、将来性が期待されています。世界のGaAsウェハー市場は、2025年から2031年にかけて年平均成長率（CAGR）11.6％で拡大し、2031年までに推定12億ドル規模に達すると予測されています。 この市場の主な推進要因は、新興市場における分散型エネルギー発電システムへの需要増加、非再生可能エネルギー源の環境への悪影響に対する一般の認識の高まり、および太陽光発電システム設置需要の増加である。
• Lucintelは、製造方法カテゴリーにおいて、予測期間中は垂直勾配凍結法が最大のセグメントであり続けると予測している。これは、機械的に強固で欠陥濃度が比較的低い基板を生成するためである。
• 地域別では、半導体デバイス分野への支援拡大、民生用電子機器産業の急速な成長、および様々なエンドユーザー産業におけるGaAsウエハー需要の増加により、北米が予測期間を通じて最大の地域であり続ける見込みです。
150ページ以上の包括的なレポートで、ビジネス判断に役立つ貴重な知見を得てください。
GaAsウェハー市場における新興トレンド
GaAsウェハー市場は進化を続けており、複数の新興トレンドが業界の構造を変えつつあります。これらのトレンドは、技術の進歩、市場需要の変化、生産プロセスの革新を反映しています。ステークホルダーが変化する環境を乗り切り、新たな機会を活用するためには、これらのトレンドを理解することが不可欠です。以下のトレンドは、GaAsウェハーの将来に影響を与える主要な動向を浮き彫りにしています。
• 先進5G技術への統合：高速・高周波部品の需要に後押しされ、GaAsウェハーの5G技術への統合が重要なトレンドとなっています。GaAsウェハーは高周波域での優れた性能から、5G基地局やモバイル機器に不可欠です。このトレンドはウェハー設計の革新を促し、5Gインフラ需要の拡大に対応するため高品質GaAsウェハーの生産増加につながっています。
• 低コスト生産への注目の高まり：高性能を維持しつつ生産コストを削減することは、GaAsウェハー市場における重要なトレンドである。製造技術と自動化の進歩により、企業はコスト削減を実現している。このトレンドは、様々な分野でGaAsウェハーの需要が増加していることから特に重要である。企業は生産効率を高め廃棄物を削減する技術に投資しており、より手頃な価格のGaAsウェハーの提供に貢献している。
• 高性能GaAs材料の開発：電子・光電子デバイスの機能強化を目的とした、新たな高性能GaAs材料の開発が重視されている。材料科学の革新により、電気的・光学的特性が向上したGaAsウエハーが創出されている。この傾向は、衛星通信や高度なイメージングシステムなどの応用分野における進歩を牽引している。
• 新興市場への拡大：GaAsウェハー市場は、特にインドや東南アジアなどの新興市場へ拡大している。これらの地域における民生用電子機器や通信インフラの需要増加が市場成長を牽引している。企業は、パートナーシップ、現地生産、地域ニーズに応じた製品提供を通じて、これらの市場での機会を模索している。
• 持続可能で環境に優しい製造：GaAsウェハー生産において持続可能性が重要な焦点となっている。企業は環境負荷を最小化するため、環境に配慮した手法の採用や技術開発を進めている。これにはエネルギー効率の向上、有害廃棄物の削減、持続可能な材料の使用が含まれる。より環境に優しい製造プロセスへの移行は、規制圧力と消費者・企業における環境意識の高まりによって推進されている。
GaAsウェハー市場は、いくつかの新たなトレンドにより激動の変化に直面している。主要トレンドの一つは、高周波性能が不可欠な通信産業に貢献する5G技術におけるGaAsウェハーの需要拡大である。さらに、特にハイエンドのビジネス向けタブレットやスマートフォンなど、GaAsウェハーを必要とする消費者向け製品の増加が市場成長を後押ししている。 産業分野においても、先進運転支援システム（ADAS）や電気自動車（EV）においてGaAsウエハーの利点が認識されており、これらの機能の性能能力は高負荷状況下で非常に有益である。
GaAsウエハー市場の最近の動向
GaAsウエハー市場では、技術、生産、市場力学における進展が顕著である。これらの動向は、需要増加、技術革新、主要プレイヤーによる戦略的転換に対する業界の対応を反映している。 これらの動向を理解することは、GaAsウェハー市場の変化する状況とその将来の方向性に関する洞察を提供します。
• 生産技術の向上：生産技術における最近の進歩は、GaAsウェハーの効率と品質を大幅に向上させました。高度なエピタキシャル成長技術や自動化された製造プロセスなどの新手法により、歩留まりの向上と生産コストの削減が実現しています。これらの改善により、企業は様々な用途における高性能GaAsウェハーの需要増に対応できるようになっています。
• 5Gアプリケーションの成長：5G技術の台頭はGaAsウェハー市場の成長を促進しており、5Gインフラで使用される高周波部品の需要が増加しています。企業は5Gアプリケーション向けのGaAsウェハーの性能と信頼性を高めるため、研究開発に投資しています。この進展はイノベーションを推進し、通信分野におけるGaAsウェハーの市場を拡大しています。
• 市場範囲の拡大：GaAsウェハーメーカーは新興市場をターゲットとし、製品ラインの多様化を通じて市場範囲を拡大している。インドや東南アジア地域への投資が新たな成長機会を創出している。企業は現地生産拠点を設立し、戦略的提携を結ぶことで、こうした拡大する市場への参入を図っている。
• 材料科学の革新：材料科学の革新により、優れた電気的・光学的特性を持つ先進的なGaAsウエハーの開発が進んでいる。新たなGaAs材料の研究は、衛星システムや高速電子機器などのデバイスの性能向上に寄与している。これらの革新はGaAsウエハー技術の進化を推進し、その応用範囲を拡大している。
• 持続可能性への注目の高まり：GaAsウェハー生産において持続可能性が主要な焦点となり、企業は環境に配慮した手法や技術を採用している。環境負荷低減の取り組みには、エネルギー効率の向上、廃棄物の最小化、持続可能な材料の使用が含まれる。この動向は、より環境に優しい製造手法への広範な潮流を反映しており、業界の生産手法や製品設計へのアプローチに影響を与えている。
GaAsウェハー市場における最近の動向は、技術革新の推進、市場機会の拡大、持続可能性の重視を通じて業界を再構築している。生産技術の向上と材料科学の革新によりウェハーの性能と効率が向上する一方、5Gアプリケーションの成長と新興市場への進出が新たな需要を創出している。持続可能性への注目の高まりは、環境に配慮した実践への取り組み強化を反映している。 これらの進展が相まって、GaAsウェハー市場は継続的な成長と進化の軌道に乗っており、ハイテク応用分野における現在および将来のニーズの両方に対応しています。
GaAsウェハー市場の戦略的成長機会
GaAsウェハー市場は、技術の進歩と応用分野の拡大に牽引され、ダイナミックな成長を遂げています。GaAsウェハーは高周波・高性能な電子デバイスおよび光電子デバイスに不可欠であるため、様々な分野で大きな機会が存在します。 戦略的成長機会は、通信、衛星通信、自動車エレクトロニクス、民生用電子機器、産業オートメーションなどの応用分野で顕在化している。これらの各領域は、現代技術におけるGaAsウエハーの多様性と重要性を反映し、革新と市場拡大に向けた独自の見通しを示している。
• 通信：5G技術の成長はGaAsウエハーにとって主要な機会である。 GaAsは、基地局やモバイル機器を含む5Gインフラで使用される高周波・高速部品に不可欠である。より高速で信頼性の高いネットワークへの需要増加は、高性能かつ高効率を実現する先進的なGaAsウェハーの必要性を促進している。この機会は、次世代通信の要件を満たすため、GaAsウェハー技術の向上と生産能力拡大に向けた研究開発投資を加速させている。
• 衛星通信：GaAsウェハーは高周波数での動作と耐放射線性に優れるため、衛星通信に不可欠です。衛星コンステレーションの拡大とグローバル高速インターネット需要の増加に伴い、衛星トランスポンダーや地上設備におけるGaAsウェハーの需要が大幅に拡大しています。この分野の成長は、信号品質とシステム信頼性を向上させるGaAsウェハー技術の革新を促進し、市場拡大の新たな道を開いています。
• 自動車エレクトロニクス：先進運転支援システム（ADAS）や電気自動車（EV）への自動車業界の移行が、GaAsウェハーの需要を大幅に創出している。これらのウェハーは、車両の安全性と性能に不可欠な高周波センサー、レーダーシステム、パワーアンプに使用される。自動車技術の進化に伴い、過酷な条件下で強化された性能と信頼性を提供するGaAsウェハーの需要が高まっており、この分野の成長を牽引している。
• 民生用電子機器：スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイスなどの民生用電子機器は、高周波（RF）アプリケーションにおける高い効率性と性能から、GaAsウエハーの主要な消費分野である。高性能かつ小型の電子機器に対する継続的な革新と需要増加が、先進的なGaAsウエハー技術の必要性を高めている。より小型で高性能な民生用電子機器の需要に応えるため、ウエハー設計と製造プロセスの改善に機会が存在する。
• 産業オートメーション：産業オートメーション分野では、GaAsウェハーは高速通信システムや高度なセンサーに使用される。インダストリー4.0の台頭とIoT技術の統合は、高精度・高信頼性を提供するGaAsウェハーの需要を牽引している。この成長機会は、産業オートメーションシステムの複雑化と規模拡大を支えるGaAsウェハー技術の進歩を促進している。
通信、衛星通信、自動車電子機器、民生用電子機器、産業オートメーションにおける戦略的成長機会は、GaAsウェハー市場に大きな影響を与えています。各分野は固有の要求を提示し、ウェハー技術の進歩を促進することで、市場の可能性と投資を拡大しています。これらの応用分野が進化するにつれ、現代技術の多様なニーズに応えるためのイノベーション促進と生産能力拡大を通じて、GaAsウェハーの未来を形作っています。
GaAsウェハー市場の推進要因と課題
GaAsウェハー市場は、技術的、経済的、規制的な様々な要因の影響を受けています。主な推進要因には、技術の進歩、様々な分野での需要増加、研究開発への投資が含まれます。しかし、市場は高い生産コスト、サプライチェーンの問題、規制圧力などの課題にも直面しています。これらの推進要因と課題を理解することは、GaAsウェハー市場の進化する状況を把握し、成長機会を活用するために極めて重要です。
GaAsウェハー市場を牽引する要因は以下の通りである：
• 技術進歩：GaAsウェハーの製造・設計における技術進歩は市場成長の主要な推進力である。エピタキシャル成長技術の改良やウェハー加工技術の高度化といった革新は、性能と効率の向上をもたらす。これらの進歩によりGaAsウェハーは5Gや衛星通信などの要求の厳しい用途に対応可能となり、採用拡大と市場成長を促進している。
• 高周波デバイスの需要拡大：5G技術、衛星通信、先進的な民生用電子機器に牽引される高周波デバイスの需要増加は、重要な市場推進要因である。GaAsウェハーは優れた周波数特性と効率性により、これらの高性能アプリケーションに不可欠である。この需要拡大は、現代の電子機器のニーズに対応するため、GaAsウェハー技術と生産能力への投資を促進している。
• 研究開発投資の増加：研究開発への投資拡大はGaAsウェハー技術の革新を促進する。企業は新素材の開発、製造プロセスの改善、ウェハー性能の向上に注力している。この投資はGaAsウェハー技術の進歩、応用分野の拡大、急速に進化する市場における競争優位性の維持に不可欠である。
• 新興市場の拡大：インドや東南アジアなどの新興市場拡大がGaAsウェハー市場の成長を牽引している。これらの地域における民生用電子機器需要の増加、インフラ開発、技術進歩がGaAsウェハーメーカーに新たな機会を創出している。企業は成長可能性を活かすため、現地パートナーシップや生産拠点を通じてこれらの市場をターゲットにしている。
• 自動車用途におけるGaAsの活用拡大：先進運転支援システム（ADAS）や電気自動車（EV）の普及拡大がGaAsウェハーの需要を押し上げている。GaAsは車両の安全性と性能に不可欠な高周波センサーやレーダーシステムに使用される。自動車メーカーが次世代自動車技術の開発を支える高性能GaAsウェハーを求めるこの傾向が市場成長を牽引している。
GaAsウェハー市場の課題には以下が含まれる：
• 高い製造コスト：GaAsウェハーに関連する高い製造コストは重大な課題である。複雑な製造プロセスと高価な原材料がコスト上昇に寄与し、収益性と市場競争力に影響を与える。企業はこの課題を軽減し市場での存続可能性を維持するため、コスト削減戦略と技術革新への投資が必要である。
• サプライチェーンの混乱：原材料不足や物流上の課題を含むサプライチェーンの混乱は、GaAsウェハー市場に影響を及ぼします。これらの混乱は生産遅延やコスト増加につながり、メーカーが市場需要を満たす能力に影響を与えます。企業はこれらの問題を乗り切り、安定した製品供給を確保するために、強靭なサプライチェーン戦略を構築する必要があります。
• 規制および環境上の懸念：GaAsウェハー製造における有害物質の使用に関連する規制および環境上の懸念は、業界にとって課題となっています。 厳格な規制への順守と持続可能な製造手法の必要性が、生産方法の変化を促している。企業は規制上の罰則を回避し、高まる環境への期待に応えるため、これらの懸念に対処しなければならない。
技術進歩の主要な推進力、高周波デバイスへの需要拡大、研究開発への投資、新興市場への進出、自動車用途の増加がGaAsウェーハ市場を牽引している。しかし、高い生産コスト、サプライチェーンの混乱、規制圧力といった課題が大きな障壁となっている。 これらの推進要因と課題を乗り切るには、戦略的投資と適応戦略が必要であり、それらがGaAsウェハー市場の将来の動向と成長軌道を形作るでしょう。
GaAsウェハー企業一覧
市場参入企業は提供する製品品質を競争基盤としています。主要プレイヤーは製造施設の拡張、研究開発投資、インフラ整備に注力し、バリューチェーン全体での統合機会を活用しています。 これらの戦略を通じて、GaAsウェハー企業は需要増加への対応、競争力確保、革新的製品・技術の開発、生産コスト削減、顧客基盤の拡大を図っている。本レポートで取り上げるGaAsウェハー企業の一部は以下の通り：
• セミコンダクター・ウェハー
• AXT
• フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ
• アモイ・パワーウェイ・アドバンスト・マテリアル
• 住友電気工業
• ウェーバー・テクノロジー
• MTI
• バイタルマテリアルズ
• DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ
• II-VI
セグメント別GaAsウェーハ市場
本調査では、製造方法、用途、地域別のグローバルGaAsウェーハ市場予測を包含する。
製造方法別GaAsウェーハ市場 [2019年から2031年までの価値分析]:
• 垂直勾配凍結法
• 液体封入式チョクラルスキー法
• 分子線エピタキシー
• 金属有機気相エピタキシー
用途別GaAsウェーハ市場 [2019年から2031年までの価値分析]:
• モバイルデバイス
• 太陽光発電デバイス
• 無線通信
• 光電子デバイス
• 航空宇宙・防衛
• その他
GaAsウェーハ市場：地域別 [2019年から2031年までの価値分析]：
• 北米
• 欧州
• アジア太平洋
• その他の地域
GaAsウェーハ市場の国別展望
GaAs（ガリウムヒ素）ウェーハ市場は、高周波および光電子応用における重要な役割から、近年著しい発展を遂げています。 GaAsウェーハは、モバイル通信、衛星技術、先進的光学デバイスに使用される半導体の製造において基礎的な役割を担っています。技術の進歩と世界的な需要の変化に伴い、米国、中国、ドイツ、インド、日本などの主要市場では顕著な変化が見られます。これらの進展は、生産技術の進歩、応用分野の拡大、業界の構造を再構築する市場力学を反映しています。
• 米国：米国では、航空宇宙・防衛分野からの需要増加がGaAsウエハー市場を牽引している。最近の進展には、衛星通信やレーダーシステム向け高性能GaAsウエハーの開発が含まれる。米国の主要企業はまた、先進的な製造技術による生産効率の向上とコスト削減にも投資している。さらに、5G技術への注力が需要をさらに加速させており、高周波応用や新規ウエハー設計に関する研究が活発化している。
• 中国：中国は半導体産業への大規模投資により、GaAsウェハー市場で重要なプレイヤーとして台頭している。最近の動向としては、国内製造能力の拡大とGaAsウェハー生産技術の進歩が挙げられる。中国政府によるハイテク産業支援と、電子機器・通信機器の国内需要増加がGaAsウェハー生産の急速な成長を後押ししている。中国はまた、この分野における自国の研究開発努力を強化することで、輸入技術への依存度低減にも注力している。
• ドイツ：ドイツのGaAsウェハー市場は、自動車・産業分野を中心とした高精度用途への強い注力が特徴である。最近の動向としては、ウェハーの品質と性能向上を目的とした半導体企業と研究機関の連携が挙げられる。ドイツはまた、GaAsウェハーと先進センサー技術の統合におけるイノベーションをリードしている。同国が持続可能で効率的な製造手法を重視していることから、環境に優しいGaAsウェハー生産方法の開発が推進されている。
• インド：インドのGaAsウェハー市場は、通信・電子機器分野への投資拡大により成長している。最近の進展としては、モバイル通信や衛星応用向けに特化した新たなGaAsウェハー技術の開発が挙げられる。インド政府は国内半導体生産能力の強化に向け、政府主導の施策やグローバル技術企業との提携を推進している。消費者向け電子機器の需要増加とデジタルインフラの拡充が、インド市場の成長をさらに後押ししている。
• 日本：日本はGaAsウェハー市場における主要プレイヤーであり続け、最近の動向はウェハー品質の向上と応用分野の拡大に焦点を当てている。日本企業は、通信・電子産業からの需要に牽引され、高周波・光電子GaAsウェハー技術の開発をリードしている。ウェハー加工技術の革新と新素材の開発が日本の主要トレンドである。同国の強固な研究開発インフラと技術的卓越性への注力が、GaAsウェハー分野における継続的なリーダーシップを支えている。
グローバルGaAsウェハー市場の特徴
市場規模推定：GaAsウェハー市場規模の価値ベース推定（$B）。
動向と予測分析：市場動向（2019～2024年）および予測（2025～2031年）をセグメント別・地域別に分析。
セグメント分析：製造方法、用途、地域別のGaAsウェハー市場規模（価値ベース） （$B）。
地域別分析：北米、欧州、アジア太平洋、その他地域別のGaAsウェハー市場内訳。
成長機会：GaAsウェハー市場における各種製造方法、用途、地域別の成長機会分析。
戦略分析：M&A、新製品開発、GaAsウェハー市場の競争環境を含む。
ポーターの5つの力モデルに基づく業界競争激化度分析。
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本レポートは以下の11の主要な疑問に回答します：
Q.1. 生産方法別（垂直勾配凍結法、液体封入式ツォッホラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相成長法）、用途別（モバイルデバイス、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他）、地域別（北米、欧州、アジア太平洋、その他地域）におけるGaAsウェハー市場で最も有望な高成長機会は何か？Q.2. どのセグメントがより速いペースで成長し、その理由は何か？
Q.3. どの地域がより速いペースで成長し、その理由は何か？
Q.4. 市場動向に影響を与える主な要因は何か？この市場における主要な課題とビジネスリスクは何か？
Q.5. この市場におけるビジネスリスクと競争上の脅威は何か？
Q.6. この市場における新たなトレンドとその背景にある理由は何か？
Q.7. 市場における顧客の需要変化にはどのようなものがあるか？
Q.8. 市場における新たな動向は何か？ これらの動向を主導している企業は？
Q.9. この市場の主要プレイヤーは誰か？ 主要プレイヤーは事業成長のためにどのような戦略的取り組みを推進しているか？
Q.10. この市場における競合製品にはどのようなものがあり、それらが材料や製品の代替による市場シェア喪失にどの程度の脅威をもたらしているか？
Q.11. 過去5年間にどのようなM&A活動が発生し、業界にどのような影響を与えたか？
目次
1. エグゼクティブサマリー
2. 世界のGaAsウェハー市場：市場動向
2.1: 概要、背景、分類
2.2: サプライチェーン
2.3: 業界の推進要因と課題
3. 2019年から2031年までの市場動向と予測分析
3.1. マクロ経済動向（2019-2024年）と予測（2025-2031年）
3.2. グローバルGaAsウェーハ市場動向（2019-2024年）と予測（2025-2031年）
3.3: 製造方法別グローバルGaAsウェーハ市場
3.3.1: 垂直勾配凍結法
3.3.2: 液体封入式チョクラルスキー法
3.3.3: 分子線エピタキシー
3.3.4: 金属有機気相エピタキシー
3.4: 用途別グローバルGaAsウェハー市場
3.4.1: モバイルデバイス
3.4.2: 太陽光発電デバイス
3.4.3: 無線通信
3.4.4: 光電子デバイス
3.4.5: 航空宇宙・防衛
3.4.6: その他
4. 2019年から2031年までの地域別市場動向と予測分析
4.1: 地域別グローバルGaAsウェーハ市場
4.2: 北米GaAsウェハー市場
4.2.1: 北米市場（製造方法別）：垂直勾配凍結法、液体封入式チョクラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相エピタキシー
4.2.2: 北米市場（用途別）：モバイルデバイス、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他
4.3: 欧州GaAsウェーハ市場
4.3.1: 欧州市場（製造方法別）：垂直勾配凍結法、液体封入式チョクラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相エピタキシー
4.3.2: 欧州市場（用途別）：モバイルデバイス、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他
4.4: アジア太平洋地域（APAC）GaAsウェハー市場
4.4.1: APAC市場（製造方法別）：垂直勾配凍結法、液体封入式チョクラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相エピタキシー
4.4.2: APAC市場（用途別）：モバイルデバイス、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他
4.5: その他の地域（ROW）GaAsウェハー市場
4.5.1: その他の地域（ROW）市場：製造方法別（垂直勾配凍結法、液体封入式チョクラルスキー法、分子線エピタキシー、金属有機気相成長法）
4.5.2: その他の地域（ROW）市場：用途別（モバイルデバイス、太陽光発電デバイス、無線通信、光電子デバイス、航空宇宙・防衛、その他）
5. 競合分析
5.1: 製品ポートフォリオ分析
5.2: 事業統合
5.3: ポーターの5つの力分析
6. 成長機会と戦略分析
6.1: 成長機会分析
6.1.1: 製造方法別グローバルGaAsウェハー市場の成長機会
6.1.2: 用途別グローバルGaAsウェハー市場の成長機会
6.1.3: 地域別グローバルGaAsウェハー市場の成長機会
6.2: グローバルGaAsウェハー市場における新興トレンド
6.3: 戦略分析
6.3.1: 新製品開発
6.3.2: グローバルGaAsウェーハ市場の生産能力拡大
6.3.3: グローバルGaAsウェーハ市場における合併・買収・合弁事業
6.3.4: 認証とライセンス
7. 主要企業の企業プロファイル
7.1: 半導体ウエハー
7.2: AXT
7.3: フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ
7.4: アモイ・パワーウェイ・アドバンスト・マテリアル
7.5: 住友電気工業
7.6: ウェーバー・テクノロジー
7.7: MTI
7.8: バイタル・マテリアルズ
7.9: DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ
7.10: II-VI
1. Executive Summary
2. Global GaAs Wafer Market : Market Dynamics
2.1: Introduction, Background, and Classifications
2.2: Supply Chain
2.3: Industry Drivers and Challenges
3. Market Trends and Forecast Analysis from 2019 to 2031
3.1. Macroeconomic Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.2. Global GaAs Wafer Market Trends (2019-2024) and Forecast (2025-2031)
3.3: Global GaAs Wafer Market by Production Method
3.3.1: Vertical Gradient Freeze
3.3.2: Liquid Encapsulated Czochralski
3.3.3: Molecular Beam Epitaxy
3.3.4: Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
3.4: Global GaAs Wafer Market by Application
3.4.1: Mobile Device
3.4.2: Photovoltaic Devices
3.4.3: Wireless Communication
3.4.4: Optoelectronic Device
3.4.5: Aerospace & Defense
3.4.6: Others
4. Market Trends and Forecast Analysis by Region from 2019 to 2031
4.1: Global GaAs Wafer Market by Region
4.2: North American GaAs Wafer Market
4.2.1: North American Market by Production Method: Vertical Gradient Freeze, Liquid Encapsulated Czochralski, Molecular Beam Epitaxy, and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
4.2.2: North American Market by Application: Mobile Device, Photovoltaic Devices, Wireless Communication, Optoelectronic Device, Aerospace & Defense, and Others
4.3: European GaAs Wafer Market
4.3.1: European Market by Production Method: Vertical Gradient Freeze, Liquid Encapsulated Czochralski, Molecular Beam Epitaxy, and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
4.3.2: European Market by Application: Mobile Device, Photovoltaic Devices, Wireless Communication, Optoelectronic Device, Aerospace & Defense, and Others
4.4: APAC GaAs Wafer Market
4.4.1: APAC Market by Production Method: Vertical Gradient Freeze, Liquid Encapsulated Czochralski, Molecular Beam Epitaxy, and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
4.4.2: APAC Market by Application: Mobile Device, Photovoltaic Devices, Wireless Communication, Optoelectronic Device, Aerospace & Defense, and Others
4.5: ROW GaAs Wafer Market
4.5.1: ROW Market by Production Method: Vertical Gradient Freeze, Liquid Encapsulated Czochralski, Molecular Beam Epitaxy, and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
4.5.2: ROW Market by Application: Mobile Device, Photovoltaic Devices, Wireless Communication, Optoelectronic Device, Aerospace & Defense, and Others
5. Competitor Analysis
5.1: Product Portfolio Analysis
5.2: Operational Integration
5.3: Porter’s Five Forces Analysis
6. Growth Opportunities and Strategic Analysis
6.1: Growth Opportunity Analysis
6.1.1: Growth Opportunities for the Global GaAs Wafer Market by Production Method
6.1.2: Growth Opportunities for the Global GaAs Wafer Market by Application
6.1.3: Growth Opportunities for the Global GaAs Wafer Market by Region
6.2: Emerging Trends in the Global GaAs Wafer Market
6.3: Strategic Analysis
6.3.1: New Product Development
6.3.2: Capacity Expansion of the Global GaAs Wafer Market
6.3.3: Mergers, Acquisitions, and Joint Ventures in the Global GaAs Wafer Market
6.3.4: Certification and Licensing
7. Company Profiles of Leading Players
7.1: Semiconductor Wafer
7.2: AXT
7.3: Freiberger Compound Materials
7.4: Xiamen Powerway Advanced Material
7.5: Sumitomo Electric Industries
7.6: Wafer Technology
7.7: MTI
7.8: Vital Materials
7.9: DOWA Electronics Materials
7.10: II-VI
| ※GaAsウェハーは、ガリウムとひ素から成る化合物半導体であるガリウムひ素（GaAs）を基にした薄い円盤状の材料です。GaAsはその優れた電子的特性と光学的特性から、広範な用途に利用されています。特に、GaAsウェハーは高周波デバイスや光デバイス、ナノテクノロジーの分野で重要な役割を果たしています。 GaAsウェハーの主な定義は、単結晶または多結晶の形態で提供される半導体材料の基盤であり、電子回路や光素子の製造に用いられます。特に、GaAsはシリコンと比べて移動度が高く、電子とホールのキャリア移動度が優れているため、高速デバイスに非常に適しています。これにより、GaAsを使用したデバイスはより高いスイッチング速度を持ち、効率的な運用が可能となります。 GaAsウェハーにはいくつかの種類があります。まず、基材としての純粋なGaAsウェハーがあります。さらに、これにはドーピングのタイプによる分類があります。N型とP型のドーピングが行われ、N型スポットは自由電子が多く、P型スポットはホールが多い特性を持つため、特定のデバイス用途に応じて選択されます。また、二層構造や三層構造など、異なる材料を積層した複合構造のウェハーも用意されています。これにより、特定の性能を引き出したデバイス設計が可能になります。 GaAsウェハーの用途は多岐にわたります。まず、高周波回路やマイクロ波デバイスにおいて、GaAsは重要な役割を果たしています。特に、携帯電話や衛星通信、レーダーシステムなどで用いられる高性能のRF（高周波）回路では、GaAsによる高効率なトランジスタが採用されています。また、GaAsエピタキシャル技術により、レーザーダイオードやLED（発光ダイオード）などの光電子デバイスの製造も行われています。特に、赤外線レーザーは光通信や光センサー分野で利用されています。 さらに、GaAsは太陽電池分野でも活用されています。高効率なGaAs太陽電池は、宇宙用の電力生成装置として特に求められており、シリコン太陽電池よりも優れた変換効率を持つことが多いです。宇宙環境においては、GaAsの耐放射線性も非常に重要な特性となります。 関連する技術としては、GaAsウェハーの製造プロセスやエピタキシャル成長技術が挙げられます。特に、MOVPE（メタル有機化学気相成長法）やMBE（分子ビームエピタキシー）などの技術が進展し、さらなる高品質なGaAsウェハーの製造が可能となっています。また、ナノテクノロジーとの結びつきも強く、ナノスケールのデバイスや機能を持つ材料としての研究が進められています。 総じて、GaAsウェハーはその特性を活かしてさまざまな分野での応用が広がりを見せており、今後の技術革新や市場の需要に応じたさらなる発展が期待されます。特に、通信、エネルギー、光学技術などの領域では、GaAsの特性が新しい商業的価値を創出することが可能です。そのため、GaAsウェハーは現代のテクノロジーにおいて欠かせない重要な材料となっています。 |
