NANDフラッシュメモリ市場規模・シェア分析 – 成長トレンドと予測 (2026年～2031年)

NANDフラッシュメモリ市場は、2026年には586.9億米ドルに達すると推定されており、2025年の557.3億米ドルから着実に成長しています。2031年には760.3億米ドルに達すると予測されており、2026年から2031年にかけて年平均成長率（CAGR）5.32%で拡大する見込みです。この堅調な成長は、主に人工知能（AI）トレーニングクラスターへのハイパースケールデータセンターの設備投資、クライアントPCやゲーム機におけるソリッドステートストレージへの移行、およびビットあたりのコストを削減し続ける垂直積層型3Dアーキテクチャによって推進されています。同時に、米国やサウジアラビアなどにおける半導体製造の現地化を促す国家的なインセンティブが、地域の供給回復力を強化しています。300層を超える積層技術のブレークスルーやPCIe 5.0の採用は、エンタープライズおよびコンシューマーSSDの両方で買い替えサイクルを短縮しています。5Gの展開と大規模なIoTエンドポイントの普及が需要をさらに拡大させ、NANDフラッシュメモリ市場は中期的に安定した成長を遂げる位置にあります。

主要なレポートのポイント

* タイプ別: 2025年にはトリプルレベルセル（TLC）がNANDフラッシュメモリ市場の収益シェアの63.58%を占めました。一方、クアッドレベルセル（QLC）は2031年までにCAGR 6.35%で拡大すると予測されています。
* 構造別: 3D NANDは2025年のNANDフラッシュメモリ市場規模の86.85%を占め、2031年までにCAGR 6.54%で成長すると予測されています。
* インターフェース別: PCIe/NVMeは2025年のNANDフラッシュメモリ市場規模の55.12%を占め、NVMe-over-PCIe 5.0は2031年までにCAGR 7.88%で進展しています。
* アプリケーション別: スマートフォンが2025年のNANDフラッシュメモリ市場シェアの41.05%を占めましたが、エンタープライズSSDは2031年までにCAGR 7.42%で最も速い成長を記録すると見込まれています。
* 地域別: アジア太平洋地域が2025年の収益の55.40%を占めましたが、中東・アフリカ地域は2031年までにCAGR 8.21%で最も高い成長率を記録しました。

グローバルNANDフラッシュメモリ市場のトレンドと洞察

推進要因（Drivers）

1. データセンターにおけるAI/MLストレージの急増:
ハイパースケールオペレーターは、NVMe SSDプールをGPUクラスターに近づけることでストレージ階層を再設計しており、Retrieval-Augmented Generation（RAG）ワークロードに対して毎秒数ギガバイトのスループットを維持しています。Western Digitalは、5G対応エンドポイントだけで2029年までに累積19,000ペタバイトのNAND需要を予測しており、メモリとコールドストレージの性能ギャップを埋めるフラッシュの役割を強調しています。調達ロードマップでは、30TBから100TBのエンタープライズドライブがますます重視されており、これは2024年にSamsungが発表した128TB BM1743 SSDにも見られる傾向です。これにより、層数革新とコントローラーレベルの圧縮技術が加速され、NANDフラッシュメモリ市場の勢いが維持されています。

2. 5Gと大規模IoTデバイスの普及:
スタンドアロン5Gの展開は、エッジアナリティクス、スマートファクトリー、コネクテッドカー、スマートグリッドといったユースケースを可能にし、リアルタイムの意思決定エンジンにはローカルな不揮発性ストレージが不可欠です。Western Digitalのホワイトペーパーでは、容量が8GBを超えると産業用モジュール内でNORからNANDへのクロスオーバーが起こると予測しています。半導体ロードマップは現在、拡張温度対応のQLCダイと車載認定のNVMeデザインを優先しており、NANDフラッシュメモリ市場のフットプリントを輸送およびインフラ領域に拡大しています。

3. PC/ゲーム機のHDDからSSDへの移行:
コンシューマーPCの買い替えサイクルは、Microsoft主導の最低仕様変更と同期しており、Windows 11のインストールではHDDのみの構成が許可されなくなっています。並行して、ゲーム機はリアルタイムのテクスチャストリーミングをサポートするためにNVMeに移行しており、Micronの次世代デバイスに採用された3.6GB/s G9 TLCプラットフォームがその証拠です。2026年までに2.5インチHDDとのコストパリティが期待されており、これによりSSDの大量採用における最後の価格障壁が取り除かれ、NANDフラッシュメモリ市場に予測可能なボリュームベースラインが提供されます。

4. エンタープライズにおけるコスト効率の高いQLC SSDへの移行:
データレイク、ログストレージ、コンテンツ配信ワークロードは90%が読み取り中心であり、QLCフラッシュにとって理想的な用途です。Solidigmのベンチマークでは、TLCベースのアレイと比較して最大61%のTCO削減が示されており、クラウドプラットフォームはAIデータレイク向けに64TB以上のQLCエンタープライズSSDを展開しています。アダプティブライトキャッシングなどのコントローラーの進歩は、書き込み増幅を低減し、耐久性への懸念を緩和することで、NANDフラッシュメモリ市場におけるQLCのサービス可能市場を拡大しています。

5. 国家的なNAND製造プログラム:
米国やサウジアラビアなどにおける半導体製造の現地化を促す国家的なインセンティブは、地域の供給回復力を強化しています。

6. CXL対応の計算ストレージの採用:
北米およびヨーロッパのデータセンターでCXL（Compute Express Link）対応の計算ストレージの採用が進んでいます。

抑制要因（Restraints）

1. 高密度セルの耐久性限界:
QLCのプログラム/消去サイクルは1,000～3,000回と、ログを多用するデータベースには不十分であり、コストメリットを損なうオーバープロビジョニングを余儀なくされます。Hackadayは、300層スタックで電子トラップの摩耗が加速するにつれて、物理的な限界が近づいていると指摘しています。高度なエラー訂正およびウェアレベリングアルゴリズムが劣化を相殺するものの、PLCやクロスポイントなどの代替メモリが視野に入っており、寿命が証明されるまでNANDフラッシュメモリ市場の一部を抑制する可能性があります。

2. 価格の周期性と設備投資負担:
4つのサプライヤーが世界の生産量の約95%を支配しており、生産削減がスポット価格に大きな影響を与えます。TrendForceは、2023年にSamsungが価格の急落を食い止めるために意図的にウェハー生産を50%削減し、数ヶ月以内に50%以上の価格反発が続いたと記録しています。しかし、新規のファブ建設には100億米ドルを超える費用がかかり、投資回収期間が長くなるため、NANDフラッシュメモリ市場全体でノード移行投資を減速させる資本集約的な逆風が生じます。

3. 輸出規制による設備ボトルネック:
中国および関連国における輸出規制は、グローバルサプライチェーンに長期的な影響を与え、設備調達のボトルネックを引き起こしています。

4. 高層ファブにおける持続可能性への監視:
ヨーロッパおよび北米を中心に、高層ファブにおける持続可能性への監視が強化されており、将来的にはグローバルに拡大する可能性があります。

セグメント分析

タイプ別: QLCがTLCの優位性に挑戦
TLCデバイスは、バランスの取れた耐久性とコストの強みにより、NANDフラッシュメモリ市場で63.58%の市場シェアを維持しました。しかし、QLCは、ハイパースケーラーがAIデータレイク向けに8～16倍の密度優位性を検証しているため、CAGR 6.35%で加速しており、2031年までにQLCに割り当てられるNANDフラッシュメモリ市場シェア全体を押し上げています。Samsungの280層QLCプロトタイプは、16TBの片面M.2ドライブへのロードマップを示しており、推論クラスターのスループット要件を満たしながらラックのフットプリントを縮小します。コントローラーレベルのSLCキャッシュ技術とオンダイECCは、TLCとのレイテンシーギャップを縮めており、VODライブラリやバックアップリポジトリなどのより広範なワークロードの移行を促しています。TLCは、10,000サイクル以上の評価が予測可能なサービス品質を保証する、書き込み集約型のERPおよびOLTP環境で優位性を維持するでしょう。
コンシューマーノートブックでは、TLCの良好な電力プロファイルがそのインストールベースを維持していますが、QLCのビットあたりのコスト低下はすでにミッドレンジSKUに圧力をかけています。Micronの第6世代QLCは、第1世代サンプルと比較して読み取りレイテンシーが34%低く、認識されていた性能差を縮めています。ファームウェアで定義された耐久性緩和が成熟するにつれて、OEMは高容量SKUにQLCを採用し、プレミアムラインには高度なTLCノードを継続する階層型製品を導入する可能性が高いです。この相互作用により、予測期間を通じて両方の技術がNANDフラッシュメモリ市場の中心であり続けます。

構造別: 3D NANDへの統合
プレーナー型から垂直積層型への移行は事実上完了しており、3D NANDは2025年のNANDフラッシュメモリ市場シェアの86.85%を占めました。SK Hynixの商用321層TLCやSamsungの400層以上のV-NANDといった層数ブレークスルーは、今世紀末までに500層を超える自信のあるスケーリングを示しています。経済的な論理は明確であり、垂直スケーリングはセルサイズを縮小することなく容量を追加し、リソグラフィーの制約を回避します。2D NANDは、超低レイテンシーの書き込みが容量よりも重要視されるニッチな航空宇宙および防衛モジュールで存続しています。
層数の追加は、相互接続抵抗とセル間干渉にストレスを与えます。これを克服するため、KioxiaのCMOSボンディングアレイ戦略は周辺回路を分離し、I/O効率を高め、超高層スタックでの歩留まりを向上させています。Samsungがhafnia強誘電体をクリーミーインターフェースゲートに探索しているのも同様の目的を追求しており、スタック高さが延長されても閾値電圧マージンを維持することを目指しています。

インターフェース別: PCIe/NVMeの加速
PCIe/NVMeは2025年に収益の55.12%を占め、SATAのシェアを上回ると予測されています。この移行は、データセンター、エンタープライズストレージ、および高性能コンピューティングにおけるNVMeの優位性を反映しています。NVMeは、低レイテンシー、高スループット、および並列処理能力により、従来のSATAインターフェースを凌駕し、AI/MLワークロード、リアルタイム分析、およびクラウドインフラストラクチャの要求を満たします。

フォームファクタ別: U.2/U.3の台頭
U.2/U.3は、エンタープライズおよびデータセンター市場で急速に普及しており、2025年には収益の30%以上を占めると予測されています。これらのフォームファクタは、ホットプラグ対応、高密度、およびPCIe/NVMeインターフェースのサポートを提供し、サーバーおよびストレージアレイにおける柔軟性と拡張性を向上させます。M.2は、クライアントPCおよび組み込みシステムで引き続き支配的ですが、U.2/U.3はエンタープライズ環境でのパフォーマンスと信頼性のニーズに応えます。

アプリケーション別: データセンターとエンタープライズの成長
データセンターとエンタープライズアプリケーションは、NANDフラッシュメモリ市場の最大のセグメントであり、今後も成長を牽引すると予想されます。クラウドコンピューティング、ビッグデータ分析、およびAIの普及により、ストレージ容量とパフォーマンスに対する需要が急増しています。コンシューマーエレクトロニクス、自動車、および産業用アプリケーションも、NANDフラッシュメモリの採用を拡大していますが、データセンターとエンタープライズが市場の主要な推進力であり続けます。

地域別: アジア太平洋地域の優位性
アジア太平洋地域は、NANDフラッシュメモリ市場で最大のシェアを占めており、今後もその優位性を維持すると予測されています。この地域には、主要なNANDフラッシュメモリメーカー、スマートフォンメーカー、およびデータセンタープロバイダーが集中しており、強力なサプライチェーンと需要基盤を形成しています。特に中国は、国内のデータセンター建設と5Gインフラストラクチャの展開により、NANDフラッシュメモリの主要な消費国となっています。北米とヨーロッパも、クラウドサービスとエンタープライズストレージの需要により、重要な市場であり続けます。

結論として、NANDフラッシュメモリ市場は、技術革新、インターフェースの進化、フォームファクタの多様化、およびアプリケーションの拡大によって、ダイナミックな成長を続けています。垂直スケーリング、PCIe/NVMeの普及、U.2/U.3の台頭、およびデータセンターとエンタープライズの需要が、市場の主要なトレンドを形成しています。これらの要因は、今後数年間でNANDフラッシュメモリ市場をさらに推進し、デジタル経済の基盤を強化するでしょう。

このレポートは、NANDフラッシュメモリ市場に関する詳細な分析を提供しています。NANDフラッシュは、電源がなくてもデータを保持できる不揮発性ストレージ技術であり、EEPROM（電気的に消去・再プログラム可能な読み出し専用メモリ）の一種です。回路レベルではNAND論理関数に類似しているため、NANDと呼ばれています。

本調査は、市場の前提条件、定義、および研究範囲を明確にし、厳格な調査方法論に基づいて実施されています。市場は、NANDのタイプ（SLC、MLC、TLC、QLC）、構造（2D NAND、3D NAND）、インターフェース（SATA、PCIe/NVMe、UFS/eMMC）、アプリケーション（スマートフォン、PC/コンソール向けSSD、エンタープライズ/データセンターSSD、メモリカード/USBドライブ、産業用・車載エレクトロニクス）、および地理（北米、南米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ）といった多角的なセグメントにわたって分析されています。市場規模と成長予測は、これら全てのセグメントについて金額ベース（USD）で提供されています。

市場の主要な推進要因としては、データセンターにおけるAI/MLストレージ需要の急増、5Gおよび大規模IoTデバイスの普及、PC/コンソールにおけるHDDからSSDへの移行、企業による費用対効果の高いQLC SSDへの転換、各国でのNAND製造工場プログラム、CXL対応計算ストレージの採用が挙げられます。

一方で、高密度セルの耐久性限界、価格の周期性と設備投資負担、輸出規制に起因する機器のボトルネック、高層ファブに対する持続可能性の監視が市場の抑制要因として認識されています。

さらに、業界サプライチェーン分析、規制環境、技術的展望、マクロ経済要因の影響、およびポーターのファイブフォース分析（サプライヤーとバイヤーの交渉力、新規参入の脅威、代替品の脅威、競争の激しさ）を通じて、市場の包括的な理解が深められています。

競争環境については、市場集中度、主要企業の戦略的動向、市場シェア分析が行われています。Samsung Electronics、SK hynix、KIOXIA Holdings Corporation、Western Digital Corporation、Micron Technology, Inc.といった主要なグローバル企業を含む20社以上の企業プロファイルが詳細に記載されており、各社の概要、主要セグメント、財務情報、戦略的情報、市場ランク/シェア、製品・サービス、および最近の動向が網羅されています。

レポートでは、将来の展望としていくつかの重要な洞察が示されています。例えば、AIデータセンターにおけるNANDフラッシュの需要は2031年までに約19,000ペタバイトに達し、エンタープライズSSDの容量は100TBクラスへと向かうと予測されています。ノートPCでは、コントローラーコストの低下に伴い、2026年までにプレミアムおよびミッドレンジモデルのほとんどでPCIe 5.0 SSDが標準化される見込みです。QLCデバイスは、ハイパースケールデータレイクやアーカイブワークロードに牽引され、2031年までに総出荷ビットの約5分の1を占めるまでに拡大すると予測されています。メモリ製造工場への投資が最も急速に成長している地域は中東・アフリカであり、特にサウジアラビアのVision 2030プログラムが牽引し、2031年までの年平均成長率は8.21%と見込まれています。3D NANDの積層技術は進化を続け、商業製品では321層に達し、研究開発サンプルでは400層の閾値を超えており、2031年までに1,000層に到達する軌道に乗っているとされています。

最後に、市場機会と将来の展望、未開拓領域の評価も行われており、市場の成長潜在力と今後の方向性が示されています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提条件と市場の定義
• 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要
• 4.2 市場の推進要因
  • 4.2.1 データセンターにおけるAI/MLストレージの急増
  • 4.2.2 5Gと大規模IoTデバイスの普及
  • 4.2.3 PC/コンソールのHDDからSSDへの移行
  • 4.2.4 企業における費用対効果の高いQLC SSDへの転換
  • 4.2.5 国内NAND製造プログラム
  • 4.2.6 CXL対応計算ストレージの採用
• 4.3 市場の阻害要因
  • 4.3.1 高密度セルの耐久性限界
  • 4.3.2 価格の周期性と設備投資負担
  • 4.3.3 輸出規制による設備ボトルネック
  • 4.3.4 高層ファブにおける持続可能性の精査
• 4.4 業界サプライチェーン分析
• 4.5 規制環境
• 4.6 技術的展望
• 4.7 マクロ経済要因の影響
• 4.8 ポーターの5つの力分析
  • 4.8.1 供給者の交渉力
  • 4.8.2 買い手の交渉力
  • 4.8.3 新規参入の脅威
  • 4.8.4 代替品の脅威
  • 4.8.5 競争の激しさ

5. 市場規模と成長予測（金額）

• 5.1 タイプ別
  • 5.1.1 SLC (シングルレベルセル)
  • 5.1.2 MLC (マルチレベルセル)
  • 5.1.3 TLC (トリプルレベルセル)
  • 5.1.4 QLC (クアッドレベルセル)
• 5.2 構造別
  • 5.2.1 2D (プレーナー) NAND
  • 5.2.2 3D NAND
• 5.3 インターフェース別
  • 5.3.1 SATA
  • 5.3.2 PCIe / NVMe
  • 5.3.3 UFS / eMMC
• 5.4 用途別
  • 5.4.1 スマートフォン
  • 5.4.2 ソリッドステートドライブ (PCおよびコンソール)
  • 5.4.3 エンタープライズ / データセンターSSD
  • 5.4.4 メモリーカードおよびUSBドライブ
  • 5.4.5 産業用および車載用電子機器
• 5.5 地域別
  • 5.5.1 北米
  • 5.5.1.1 米国
  • 5.5.1.2 カナダ
  • 5.5.1.3 メキシコ
  • 5.5.2 南米
  • 5.5.2.1 ブラジル
  • 5.5.2.2 アルゼンチン
  • 5.5.2.3 その他の南米地域
  • 5.5.3 ヨーロッパ
  • 5.5.3.1 ドイツ
  • 5.5.3.2 イギリス
  • 5.5.3.3 フランス
  • 5.5.3.4 イタリア
  • 5.5.3.5 スペイン
  • 5.5.3.6 ロシア
  • 5.5.3.7 その他のヨーロッパ地域
  • 5.5.4 アジア太平洋
  • 5.5.4.1 中国
  • 5.5.4.2 日本
  • 5.5.4.3 インド
  • 5.5.4.4 韓国
  • 5.5.4.5 東南アジア
  • 5.5.4.6 その他のアジア太平洋地域
  • 5.5.5 中東およびアフリカ
  • 5.5.5.1 中東
  • 5.5.5.1.1 サウジアラビア
  • 5.5.5.1.2 アラブ首長国連邦
  • 5.5.5.1.3 トルコ
  • 5.5.5.1.4 その他の中東地域
  • 5.5.5.2 アフリカ
  • 5.5.5.2.1 南アフリカ
  • 5.5.5.2.2 ナイジェリア
  • 5.5.5.2.3 その他のアフリカ地域

6. 競合状況

• 6.1 市場集中度
• 6.2 戦略的動向
• 6.3 市場シェア分析
• 6.4 企業プロファイル（グローバル概要、市場概要、主要セグメント、利用可能な財務情報、戦略情報、主要企業の市場ランク/シェア、製品とサービス、および最近の動向を含む）
  • 6.4.1 Samsung Electronics Co., Ltd.
  • 6.4.2 SK hynix Inc.
  • 6.4.3 KIOXIA Holdings Corporation
  • 6.4.4 Western Digital Corporation
  • 6.4.5 Micron Technology, Inc.
  • 6.4.6 Nanya Technology Corporation
  • 6.4.7 Powerchip Technology Corporation
  • 6.4.8 Winbond Electronics Corporation
  • 6.4.9 Macronix International Co., Ltd.
  • 6.4.10 Silicon Motion Technology Corp.
  • 6.4.11 Phison Electronics Corp.
  • 6.4.12 Kingston Technology Company, Inc.
  • 6.4.13 ADATA Technology Co., Ltd.
  • 6.4.14 Transcend Information, Inc.
  • 6.4.15 GigaDevice Semiconductor Inc.
  • 6.4.16 SK Group (ソリッドステートストレージ部門)
  • 6.4.17 PNY Technologies, Inc.
  • 6.4.18 Team Group Inc.
  • 6.4.19 Longsys Electronics Co., Ltd.
  • 6.4.20 Smart Modular Technologies, Inc.

7. 市場機会と将来展望