フォトレジスト市場：規模・シェア分析、成長トレンドと予測 (2025-2030年)

フォトレジスト市場は、2025年に26.0億米ドルと推定され、2030年までに44.8億米ドルに達すると予測されており、予測期間（2025年～2030年）中の年平均成長率（CAGR）は11.49%です。この市場の拡大は、10ナノメートル以下の寸法での極端紫外線（EUV）リソグラフィの広範な展開、人工知能（AI）アクセラレータの急速な需要増加、および政府による半導体製造工場（ファブ）へのインセンティブによって支えられています。

市場概要
調査期間は2019年から2030年です。2025年の市場規模は26.0億米ドル、2030年には44.8億米ドルに達し、成長率は11.49%のCAGRが見込まれています。最も急速に成長する市場は北米であり、最大の市場はアジア太平洋地域です。市場の集中度は高く、主要企業としてはDuPont、JSR Corporation、TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.、Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.、FUJIFILM Corporationなどが挙げられます。

台湾、韓国、米国の半導体メーカーは、EUV吸収率が高く、ラインエッジラフネスが低い金属酸化物およびドライフォトレジストをますます採用しており、これによりスループットが向上し、層あたりのレジスト使用量が削減されています。5Gおよびモノのインターネット（IoT）デバイスにおける並行した勢いは、成熟ノードのG線、I線、およびKrF材料の需要を維持しています。一方、チップレット、ファンアウトウェハーレベルパッケージング、コパッケージドオプティクスなどの先進パッケージングアーキテクチャは、銅ピラーおよびTSV（Through-Silicon-Via）構造と互換性のある厚膜レジストを必要としています。先進レジストの約60%を3社の日本企業が占めているため、サプライチェーンのリスクは依然として高く、北米および欧州での地域的な多様化と現地生産能力の追加が促されています。

主要な市場動向と成長要因

* 半導体およびAIアクセラレータからの需要の増加: 大規模言語モデルのトレーニングや推論ワークロードを駆動するハードウェアを製造するチップメーカーは、各デバイス向けに複数の再配線層、インターポーザー、TSVをパターニングしています。NVIDIAのH100および今後のBlackwellシリーズは、以前のモノリシックGPUと比較して、完成品あたりのフォトレジスト消費量が3～5倍になるチップレットレイアウトを採用しています。TSMCのCoWoS生産能力の拡大は、最大50 µmの厚膜レジストの需要を高め、高度な銅ピラーめっきには、3:1を超えるアスペクト比に最適化されたネガ型配合が使用されています。需要の増加はまず台湾と韓国で発生し、2027年までに米国の新しいファブにも波及すると見られています。

* EUVリソグラフィの採用加速とHigh-NAロードマップ: ASMLの0.55-NA EUVスキャナーは、8 nmピッチでの単一露光パターニングを可能にし、コストのかかる多重パターニング工程を不要にします。1.5 nm以下の厳しいラインエッジラフネス目標を達成するため、ファブは有機配合よりも9倍効果的にEUVを吸収するハフニウムおよびジルコニウムクラスターをベースとした金属酸化物レジストを認定しています。これにより、露光量を40 mJ/cm²から20 mJ/cm²未満に削減でき、スループットが向上し、ウェハーあたりのコストが削減されます。サムスンの平沢工場での2025年のパイロット生産は、2026年の2 nmノードでの商業採用を示唆しています。

* 5G/IoTデバイスの普及によるウェハー生産の拡大: 2025年には5Gのグローバル契約数が20億件に達すると予測されており、これにより、より多くの半導体チップが必要となり、ウェハー生産の拡大が促進されます。特に、高性能なRF（無線周波数）コンポーネント、ベースバンドプロセッサ、メモリ、およびセンサーの需要が高まるでしょう。IoTデバイスの多様なアプリケーションも、低消費電力かつ小型のチップに対する需要を押し上げ、既存のファブの稼働率向上と新規ファブへの投資を促しています。これらのデバイスは、自動車、産業用制御、スマートホーム、ウェアラブルなど、幅広い分野で採用されており、半導体市場全体の成長を牽引しています。

このレポートは、フォトレジスト市場に関する詳細な分析を提供しています。フォトレジストは、フォトリソグラフィプロセスにおいて、エッチングを通じて下層基板に画像を転写するためのマスキング材料として使用される感光性ポリマー樹脂です。半導体、エレクトロニクス、自動車産業におけるフォトレジストの需要増加が、市場成長を牽引しています。本レポートでは、フォトレジスト市場をタイプ、用途、最終用途産業、および地域別にセグメント化し、主要地域15カ国における市場規模と予測を金額（USD百万）ベースで提供しています。

市場の主要な成長要因としては、半導体およびAIアクセラレータからの需要増加が挙げられます。また、EUVリソグラフィの採用加速とHigh-NAロードマップの進展、5G/IoTデバイスの普及によるウェハー生産の拡大も市場を後押ししています。さらに、米国およびEUのCHIPS法などの政府によるファブインセンティブプログラムや、ドライデポジション型金属酸化物レジストによるEUVスループットの向上も重要な推進力となっています。

一方で、市場にはいくつかの制約も存在します。溶剤や光酸発生剤に対する厳格なHSE（健康・安全・環境）規制、サプライチェーンの集中と輸出規制への露出、EU REACH規制やFガス規制によるフッ素系溶剤の段階的廃止などが挙げられます。

本レポートでは、市場を以下の通り詳細に分析しています。
* レジストタイプ別: ArF液浸、ArFドライ、KrF、Gライン、Iライン、EUV金属酸化物およびドライレジスト、その他。
* トーン別: ポジティブ、ネガティブ。
* 用途別: 半導体およびIC、アドバンストパッケージング（ファンアウトWLP、RDL）、フラットパネルディスプレイ（LCD/OLED）、プリント基板、MEMSおよびセンサー、その他。
* 最終用途産業別: エレクトロニクスおよび電気、自動車およびモビリティ、航空宇宙および防衛、消費財（パッケージング）、その他。
* 地域別: アジア太平洋（中国、日本、韓国、台湾、インドなど）、北米（米国、カナダ、メキシコ）、欧州（ドイツ、英国、フランスなど）、南米、中東およびアフリカ。

市場規模と成長予測に関して、フォトレジスト市場は2025年に26億米ドルに達し、2025年から2030年にかけて年平均成長率（CAGR）11.49%で着実に拡大すると予測されています。
最も急速に成長するレジストタイプはEUV金属酸化物およびドライレジストであり、2030年までのCAGRは13.12%と見込まれています。
アドバンストパッケージングは、チップレットやファンアウトウェハーレベル設計において複数の厚膜リソグラフィ工程を必要とするため、フォトレジスト消費量を12.12%のCAGRで増加させる重要な要素です。
地域別では、北米が最も速い成長を示しており、米国のCHIPS法によるファブ投資に牽引され、11.67%のCAGRを記録すると予測されています。

競争環境については、市場集中度、戦略的動向、市場シェア分析、および主要企業のプロファイル（ALLRESIST GmbH、旭化成、Avantor, Inc.、Brewer Science, Inc.、DJ MicroLaminates、DONGJIN SEMICHEM CO. LTD、DuPont、Eternal Materials Co., Ltd.、富士フイルム、Inpria、JSR、SEMI、Kolon Industries, Inc.、LG Chem、Merck KGaA、micro resist technology GmbH、Microchemicals GmbH、信越化学工業、住友化学、東京応化工業、Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.など）が含まれています。また、市場の機会と将来の展望、未開拓分野の評価も行われています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提と市場の定義

• 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要

• 4.2 市場促進要因
  • 4.2.1 半導体およびAIアクセラレータからの需要増加

  • 4.2.2 EUVリソグラフィの採用加速とHigh-NAロードマップ

  • 4.2.3 5G / IoTデバイスの普及によるウェハ投入の拡大

  • 4.2.4 政府のファブインセンティブプログラム（米国/EUチップ法）

  • 4.2.5 乾式成膜金属酸化物レジストによるEUVスループットの向上

• 4.3 市場抑制要因
  • 4.3.1 溶剤および光酸発生剤に対する厳格なHSE規制

  • 4.3.2 サプライチェーンの集中と輸出管理への露出

  • 4.3.3 フッ素系溶剤を対象としたEU REACHおよびFガス段階的廃止

• 4.4 バリューチェーン分析

• 4.5 規制環境

• 4.6 ポーターのファイブフォース
  • 4.6.1 供給者の交渉力

  • 4.6.2 買い手の交渉力

  • 4.6.3 新規参入の脅威

  • 4.6.4 代替品の脅威

  • 4.6.5 競争の程度

5. 市場規模 & 成長予測（金額）

• 5.1 レジストタイプ別
  • 5.1.1 ArF液浸

  • 5.1.2 ArFドライ

  • 5.1.3 KrF

  • 5.1.4 G線

  • 5.1.5 I線

  • 5.1.6 EUV金属酸化物およびドライレジスト

  • 5.1.7 その他のタイプ

• 5.2 トーン別
  • 5.2.1 ポジティブ

  • 5.2.2 ネガティブ

• 5.3 用途別
  • 5.3.1 半導体およびIC

  • 5.3.2 高度パッケージング（ファンアウトWLP、RDL）

  • 5.3.3 フラットパネルディスプレイ（LCD/OLED）

  • 5.3.4 プリント基板

  • 5.3.5 MEMSおよびセンサー

  • 5.3.6 その他の用途

• 5.4 エンドユーザー産業別
  • 5.4.1 電子機器および電気機器

  • 5.4.2 自動車およびモビリティ

  • 5.4.3 航空宇宙および防衛

  • 5.4.4 消費財（パッケージング）

  • 5.4.5 その他の産業

• 5.5 地域別
  • 5.5.1 アジア太平洋

  • 5.5.1.1 中国

  • 5.5.1.2 日本

  • 5.5.1.3 韓国

  • 5.5.1.4 台湾

  • 5.5.1.5 インド

  • 5.5.1.6 その他のアジア太平洋地域

  • 5.5.2 北米

  • 5.5.2.1 米国

  • 5.5.2.2 カナダ

  • 5.5.2.3 メキシコ

  • 5.5.3 ヨーロッパ

  • 5.5.3.1 ドイツ

  • 5.5.3.2 イギリス

  • 5.5.3.3 フランス

  • 5.5.3.4 イタリア

  • 5.5.3.5 ロシア

  • 5.5.3.6 その他のヨーロッパ地域

  • 5.5.4 南米

  • 5.5.4.1 ブラジル

  • 5.5.4.2 アルゼンチン

  • 5.5.4.3 その他の南米地域

  • 5.5.5 中東およびアフリカ

  • 5.5.5.1 サウジアラビア

  • 5.5.5.2 アラブ首長国連邦

  • 5.5.5.3 南アフリカ

  • 5.5.5.4 その他の中東およびアフリカ地域

6. 競合情勢

• 6.1 市場集中度

• 6.2 戦略的動向

• 6.3 市場シェア (%)/ランキング分析

• 6.4 企業プロファイル (グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、主要セグメント、財務、戦略情報、市場ランク/シェア、製品&サービス、最近の動向を含む)
  • 6.4.1 ALLRESIST GmbH

  • 6.4.2 Asahi Kasei Corporation

  • 6.4.3 Avantor, Inc.

  • 6.4.4 Brewer Science, Inc.

  • 6.4.5 DJ MicroLaminates

  • 6.4.6 DONGJIN SEMICHEM CO. LTD

  • 6.4.7 DuPont

  • 6.4.8 Eternal Materials Co., Ltd.

  • 6.4.9 FUJIFILM Corporation

  • 6.4.10 Inpria

  • 6.4.11 JSR Corporation

  • 6.4.12 SEMI

  • 6.4.13 Kolon Industries, Inc.

  • 6.4.14 LG Chem

  • 6.4.15 Merck KGaA

  • 6.4.16 micro resist technology GmbH

  • 6.4.17 Microchemicals GmbH

  • 6.4.18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  • 6.4.19 Sumitomo Chemical Co., Ltd.

  • 6.4.20 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  • 6.4.21 Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.

7. 市場機会と将来展望