スパッタリング装置用陰極市場規模と展望、2023-2031年

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世界のスパッタリング装置用陰極市場は、2022年に10億9,010万米ドルの規模に達しました。予測期間(2023年~2031年)中に年平均成長率(CAGR)6.05%で成長し、2031年までに18億4,953万米ドルに達すると予測されています。スパッタリングとは、真空環境下で高エネルギー粒子をターゲット材料またはソース材料の原子に衝突させ、その原子を「叩き出し」または「スパッタリング」させて、シリコンウェハー、ソーラーパネル、光学デバイスなどの基板上に薄膜として堆積させる物理気相成長(PVD)プロセスの一種です。この技術は、現代の半導体、CD、ディスクドライブ、光学デバイスの中核をなす薄膜形成において不可欠な役割を果たしています。半導体の用途が多岐にわたるため、様々な産業でスパッタリング装置用陰極への需要が高まっており、これが市場成長の主要因となっています。
**市場の推進要因**
スパッタリング装置用陰極市場の成長を牽引する主な要因は多岐にわたり、技術革新、産業需要の拡大、および政府の支援が複合的に作用しています。
* **半導体需要の急増:**
* **人工知能(AI)の進化:** AI技術の急速な発展は、エレクトロニクス、航空宇宙、データセンターなどの産業において、高性能半導体の需要を劇的に増加させています。AIシステムの演算能力向上には、より複雑で高度な半導体が不可欠であり、その製造プロセスにおいてスパッタリング装置用陰極が重要な役割を担います。
* **仮想現実(VR)の普及:** ビデオゲームやその他のアプリケーションにおける仮想現実(VR)技術の採用拡大は、高性能グラフィック処理ユニット(GPU)やその他の専用半導体への需要をさらに刺激しています。VRデバイスやプラットフォームの進化には、高度な半導体技術が不可欠であり、その製造にはスパッタリングプロセスが広く用いられています。
* **IoTデバイスの増加:** インターネット・オブ・シングス(IoT)デバイスの数が爆発的に増加しており、これに伴い半導体製造への投資が促されています。スマートホーム、産業用IoT、ウェアラブルデバイスなど、あらゆる分野でIoTデバイスが普及するにつれて、半導体部品の需要が高まり、結果としてスパッタリング装置用陰極市場の成長を後押ししています。
* **自動車産業の変革:** 自動運転車や電気自動車(EV)といったトレンドが普及するにつれて、1台あたりの自動車に搭載される半導体部品の数と複雑性が著しく増加しています。これらの先進的な車両システムには、センサー、制御ユニット、パワーエレクトロニクスなど、多種多様な半導体が不可欠であり、その製造にはスパッタリング技術が広く用いられています。特に、駆動系ベアリングやコンポーネントのコーティングにもスパッタリング装置が利用されています。
* **5Gネットワークの展開:** 第5世代移動通信システム(5G)ネットワークの世界的拡大は、ワイヤレス通信産業に大きな影響を与えています。消費者が5G対応のスマートフォンやその他のガジェットにアップグレードする可能性が高まることで、世界的な半導体需要が加速し、スパッタリング装置用陰極の需要も増加しています。
* **政府による半導体製造投資:** 多くの政府が、地域の高まる半導体需要に対応し、サプライチェーンの強靭化を図るため、半導体生産への大規模な投資プログラムを開始しています。このような政策的支援は、半導体産業の拡大を促進し、スパッタリング装置用陰極市場の成長に寄与する重要な機会を提供しています。
* **燃料電池技術の進展:**
* 米国における公共交通機関を中心に、業務用固体燃料電池への需要が高まっています。これに加え、燃料電池メーカーの製造能力が拡大していることから、燃料電池の電極やセパレーターなどのコーティング需要が増加し、市場の拡大につながっています。
* **マグネトロンスパッタリングの普及:** 自動車用途の燃料電池における薄膜コーティングにマグネトロンスパッタリングが広く採用されるにつれて、マグネトロン陰極の需要が高まっています。この技術は、異なる陰極材料を持つ複数のマグネトロンの使用を可能にし、スパッタリング装置の生産能力向上に貢献し、結果として市場の成長を推進しています。
* **技術革新と製造プロセスの進化:**
* 無線技術(5G)、人工知能、自動化といった技術革新は、様々な産業分野を刺激し、次世代製造技術の採用を促しています。企業は、半導体の効率と品質を向上させるため、マグネトロンスパッタリング技術などの先進的な製造プロセスへの移行を加速させています。
* **マグネトロンスパッタリングの利点:** マグネトロンスパッタリングは、金属、合金、化合物を様々な材料に最大1ミリメートルの厚さで高精度に堆積させる高速真空コーティングプロセスです。この技術は、高い成膜速度、高純度膜、非常に高い膜密着性、ステップや微細構造への優れた被覆性、熱に敏感な基板へのコーティング能力、自動化の容易さ、大面積基板に対する高い均一性など、数多くの利点を提供します。これらの利点により、半導体製造におけるマグネトロンスパッタリング技術の採用頻度が増加しています。
* **プラズマアシスト反応性マグネトロンスパッタリング:** 高品質の光学コーティングを可能にするプラズマアシスト反応性マグネトロンスパッタリングターゲットは、製造プロセス全体で最大6Nの超微細粒構造と純度を保証し、再現性の高い成膜を実現します。
* **研究開発の進展:** 中国のハルビン工業大学(HIT)の研究チームは最近、高出力パルス反応性マグネトロンスパッタリングの反応モードに関する研究を行い、キャリア濃度を低下させ、移動度を14.93 cm²/Vsに増加させ、4μmでのIR透過率を向上させることに成功しました。このような技術的進歩、性能向上による応用範囲の拡大、および追加的なプロセス上の利点が、これらの先進技術の利用需要を継続的に生み出しています。
**市場の阻害要因と克服(機会への転換)**
スパッタリング装置用陰極市場には、熱蒸着(Thermal Evaporation)のような代替薄膜堆積技術が存在しますが、その影響は限定的であり、スパッタリング技術の優位性が市場成長を後押しする機会となっています。
* **熱蒸着(PVD)の存在:**
* **プロセス:** 熱蒸着は、物理気相成長(PVD)の最も一般的でシンプルな手法の一つです。抵抗加熱源を用いて、真空中で固体物質を蒸発させることで薄膜を形成します。物質は高真空チャンバー内で蒸気圧が発生するまで加熱され、蒸発した材料、すなわち蒸気流が真空チャンバー内を熱的に移動し、基板上にコーティングされます。
* **用途:** この技術は、電気接続用途に適しており、アルミニウム、クロム、金、インジウムなど、様々な金属および非金属の成膜が可能です。薄膜デバイス(OLED、太陽電池、薄膜トランジスタ)、ウェハーボンディング(インジウムバンプ堆積が必要な場合)、異なるるつぼの温度を調整することによる多成分の共蒸着などにも有効です。
* **利点:** 熱蒸着には、約50オングストローム/秒の高い成膜速度、他のPVDプロセスと比較して低コスト、イオンアシスト源との互換性、惑星型基板固定治具や均一性マスクを使用した場合の優れた均一性など、いくつかの利点があります。
* **スパッタリングによる優位性の確立:**
* 熱蒸着の利点にもかかわらず、スパッタリングは、より優れたステップカバレッジ、高い充填密度、そして応力が低い場合のより良好な密着性という点で明確な優位性を持っています。これらの特性は、特に高性能半導体や精密デバイスの製造において極めて重要です。
* さらに、スパッタリングにおけるプロセス変数はより一貫性があり予測可能であるため、自動化が容易です。これにより、製造プロセスの安定性と再現性が向上し、大量生産におけるコスト効率と品質管理が最適化されます。
* 結論として、熱蒸着という代替技術が市場に与える影響は最小限であると見なされています。企業が次世代の生産技術への移行を進める中で、効率と品質向上のためにマグネトロンスパッタリング技術などの先進プロセスをますます採用しており、スパッタリング装置用陰極市場は成長の機会を捉え続けています。
**セグメント分析**
**1. 地域別分析**
世界のスパッタリング装置用陰極市場は、北米、欧州、アジア太平洋、LAMEA(ラテンアメリカ、中東、アフリカ)の4つの主要地域に区分されています。
* **アジア太平洋地域:**
* **最大の収益貢献者であり、予測期間中にCAGR 6.40%を記録すると予想されています。** この地域は、中国を中心とした半導体消費の増加により、市場成長の強力な牽引役となっています。中国では、多様な国際的電子機器の輸入が継続しており、半導体需要が拡大しています。世界のスマートフォンメーカー上位5社のうち3社がこの地域に拠点を置いており、半導体採用の膨大な機会を生み出しています。中国工業情報化部によると、2021年2月末までに中国の通信事業者は79万2,000基もの5G基地局を設置し、5G端末の接続数は2億6,000万に達しました。さらに、同国の電気自動車市場の急速な拡大は、最先端半導体の普及を刺激し、スパッタリング装置用陰極市場の発展を強力に推進しています。
* **北米地域:**
* **予測期間中にCAGR 4.70%を示すと予想されています。** この地域では、軍事および航空宇宙分野向けの電子部品製造を強化するため、業界ベンダーが合併・買収(M&A)活動に積極的に取り組んでいます。例えば、2021年4月には、高エネルギー密度コンデンサのサプライヤーであるエヴァンス・キャパシター・カンパニーが、アークライン・インベストメント・マネジメント・カンパニーのポートフォリオ企業であるクアンティック・エレクトロニクス・カンパニーと合併しました。これは、軍事および航空宇宙市場向けのミッションクリティカルな製品を開発する専門エレクトロニクスメーカーのために、最も電力密度の高いコンデンサ技術を創出することを目的としています。このような業界再編は、スパッタリング装置用陰極市場を牽引するでしょう。また、ジョー・バイデン大統領は2021年2月に、国内での半導体生産が政権の目標であると宣言しており、これも市場成長への強力な追い風となる機会を提供しています。
* **欧州地域:**
* ドイツは、5Gサービスの開発を加速させるための地方イニシアチブを支援するために多額の投資を行っています。ドイツテレコムによると、2020年7月以降、5Gネットワークは約4,000万人の人々にサービスを提供してきました。ドイツはまた、地域的な5Gアプリケーションのためのネットワーク開発においても主導的な役割を果たしています。多くの企業が5G技術の進歩に力を入れています。2022年1月現在、ノルトライン=ヴェストファーレン州(NRW)とバーデン=ヴュルテンベルク州は、特定の開発プロジェクトに対して太陽光発電(PV)技術を義務付けた最初のドイツの州となりました。NRWでは、35台以上の駐車スペースを持つ商業駐車場にPVシステムの設置が義務付けられています。ドイツ政府は、将来の半導体需要に対する輸入依存度を減らすことを主な目的として、新たな半導体製造施設の建設に資金を投入する予定であり、これがスパッタリング装置用陰極市場の需要を喚起する重要な機会となります。
* **LAMEA(ラテンアメリカ、中東、アフリカ)地域:**
* 予測期間を通じて、様々な産業で半導体の幅広い採用が期待されています。この地域の自動車産業の発展は、市場拡大に大きな機会をもたらすと予想されます。例えば、ドバイは2030年までにアラブ首長国連邦の道路に42,000台の電気自動車を導入する取り組みを開始しました。政府はEV所有者に対してインセンティブを提供しており、UAEにおけるEV需要を押し上げ、地域における半導体デバイス市場を活性化させています。EV開発の増加は、駆動系ベアリングやコンポーネントのコーティングにスパッタリング装置が利用されるため、スパッタリング装置用陰極市場に影響を与える可能性があります。また、CIGSベースの太陽電池デバイスにおける全ての構造を成膜するためにマグネトロンスパッタリング技術を採用するアプローチも提案されており、再生可能エネルギー分野での需要拡大も期待されます。
**2. 製品タイプ別分析**
世界のスパッタリング装置用陰極市場は、製品タイプに基づいてリニア型と円筒型に二分されます。
* **円筒型セグメント:**
* **市場の主要な貢献者であり、予測期間中にCAGR 5.65%を示すと推定されています。** 円筒型スパッタリングシステムでは、10~100 kHzの周波数範囲のAC電源を使用する2つの回転する円筒形マグネトロンが用いられます。回転する円筒形マグネトロンは、ターゲットに適用された誘電体材料を除去し、基板上に誘電体層を形成します。これにより、ターゲットの誘電体層がコンデンサとして機能することを防ぎ、アーク放電の発生を抑制することができます。アーク放電を防ぐために、ターゲットとインピーダンス制限コンデンサを直列接続することも可能です。このインピーダンス制限コンデンサは、高周波スパッタリングシステムで電源とターゲットを接続するために使用されるコンデンサよりもはるかに大きな値を持っています。
* **円筒型ターゲットの利点:** ロータリーターゲットは表面積が大きいため、マグネトロン出力が一定の時間内でより広い領域をカバーできます。これにより、ノジュールの成長を防ぎ、ターゲットをより低い温度に保ち、アーク放電を減少させます。回転スパッタリングはノジュールの生成を抑制するため、ターゲットは長期間連続して稼働できます。一般的にプレーナーターゲットが使用されるのは稼働時間の30%程度であるのに対し、ロータリーターゲットは80%使用されるため、スクラップが少なく、稼働時間が長くなります。ロータリーターゲットは連続スパッタリング用途に最適です。連続処理は、スパッタリングチャンバーのセットアップにかかる時間を短縮するため、スループットを向上させます。市場の企業は、エンドユーザーの需要の増加とロータリー技術がリニア技術に対して持つ利点を見越して、新製品を積極的に組み込み、開発しており、これが市場の成長機会を創出しています。
* **リニア型セグメント:**
* リニア型スパッタリング装置の用途には、半導体、太陽エネルギー、ディスプレイ、データストレージなどが含まれます。例えば、ボッシュは2021年12月に、世界中の自動車メーカーに供給するため、SiCベースのパワー半導体の量産を開始しました。このようなチップへの需要の高まりに対応するため、ボッシュのロイトリンゲン工場にあるクリーンルーム面積は2021年にすでに1,000平方メートル拡張されました。半導体は、高い電子移動度、広い温度範囲、最小限のエネルギー要件といった特性により、エレクトロニクス分野における重要な革新の一つです。半導体産業協会(SIA)は、2021年の世界半導体産業売上高が5,559億米ドルに達し、2020年の4,404億米ドルから26.2%増加し、過去最高の年間総額になると予測しました。
* **プレーナーマグネトロンスパッタリング装置:** この装置は、陰極板のエロージョン領域全体に垂直かつ遍在する追加の可変磁場を生成します。以前の可変磁場が、磁力線が陰極板と平行になる位置の一般的な場所を常に変化させる結果、最大陰極板エロージョンも変化します。これにより、より広い陰極板領域にわたってよりシャープではないエロージョンパターンが生成され、より多くの陰極板材料が任意のプレーナー陰極板からスパッタリングされることが可能になり、材料利用効率の向上と成膜の均一性改善に寄与します。


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- Soleras Advanced Coatings
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- Angstrom Engineering Inc
- Kurt J. Lesker Company
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スパッタリング装置用陰極は、薄膜形成技術であるスパッタリングプロセスにおいて、プラズマを生成し、ターゲット材料から原子を叩き出すための中心的な役割を果たす重要な部品でございます。この陰極は、真空容器内で放電を発生させ、アルゴンなどの不活性ガスをイオン化してプラズマ状態を作り出します。生成されたガス陽イオンは、陰極に印加された負の電圧によって加速され、陰極表面に設置されたターゲット材料に衝突いたします。その結果、ターゲット材料の原子が弾き出され、対向する基板上に堆積することで薄膜が形成される仕組みとなっております。
スパッタリングの原理は、この陰極によって生成されるプラズマと、それに伴うイオンの運動に深く依存しております。陰極は、ターゲット材料を保持するだけでなく、プラズマの安定性や均一性、さらにはスパッタリング効率を大きく左右するため、その設計や材料選定が極めて重要でございます。効率的な薄膜形成には、安定したプラズマの維持と、ターゲット材料への均一なイオン照射が不可欠であり、陰極はそのための核となる機能を提供いたします。
一般的なスパッタリング装置用陰極は、ターゲット材料、バッキングプレート、冷却機構、そしてマグネットアレイ(マグネトロンスパッタリングの場合)といった主要な部品で構成されております。ターゲット材料は、形成したい薄膜の材料そのものであり、陰極の表面に固定されます。バッキングプレートは、ターゲットを冷却し、電気的に接続するための台座であり、通常は熱伝導性の高い銅などが用いられます。冷却機構は、スパッタリング中に発生するターゲットの熱を効率的に除去し、ターゲットの損傷を防ぎ、安定したプロセスを維持するために不可欠でございます。
スパッタリング方式によって陰極の種類も多様でございます。直流(DC)スパッタリング用陰極は、導電性のターゲット材料に直流電圧を印加する最も基本的なタイプで、比較的単純な構造をしております。一方、高周波(RF)スパッタリング用陰極は、絶縁性のターゲット材料を用いる際に必要となり、高周波電源と整合回路を介してターゲットに交流電圧を印加します。特に広く利用されているのがマグネトロンスパッタリング用陰極であり、これは陰極の裏側に配置された磁石によってターゲット表面近くに磁場を形成し、電子を閉じ込めてプラズマ密度を高めることで、高い成膜速度と低基板損傷を実現いたします。
形状による分類では、平面型陰極が最も一般的で、広範囲の基板に対応可能です。これに対し、回転型(ロータリー型、円筒型)陰極は、ターゲット材料の利用効率が高く、長寿命であるため、大量生産や大面積成膜に適しております。ターゲットが回転することで均一な消耗が促され、パーティクルの発生も抑制される利点がございます。また、直線型陰極は、ロールツーロールプロセスや大型ディスプレイ製造など、特に大面積の基板に対して均一な成膜を行うために用いられます。
陰極に装着されるターゲット材料は、薄膜の機能や用途に応じて多岐にわたります。アルミニウム、銅、チタン、クロム、銀、金などの金属や合金、さらには酸化インジウムスズ(ITO)、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどのセラミックス、窒化物、炭化物などが使用されます。これらのターゲット材料は、高純度であることや、結晶粒径が均一であることなどが求められ、薄膜の品質に直接影響いたします。陰極本体の材料としては、熱伝導性と電気伝導性に優れた無酸素銅が一般的に採用されております。
スパッタリング装置用陰極は、現代社会を支える様々な分野で不可欠な技術となっております。半導体製造においては、配線材料、拡散バリア膜、ゲート電極などの形成に用いられます。ディスプレイ分野では、透明導電膜(ITO膜)や反射防止膜、カラーフィルターなど、多種多様な薄膜の形成に利用されております。光学分野では、反射防止膜、高反射膜、各種フィルターなどがスパッタリングによって作製されます。装飾分野や工具分野では、硬質膜(窒化チタン、窒化クロムなど)や耐摩耗膜、耐食膜として、製品の機能性や意匠性を高めるために活用されております。
関連する技術としては、まず超高真空を維持するための真空ポンプや真空計といった真空技術がございます。また、プラズマを生成・維持するための直流電源、高周波電源、パルスDC電源、高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)電源といった各種電源技術も重要でございます。さらに、スパッタリングガスとしてアルゴンなどの不活性ガス、反応性スパッタリングを行う場合には酸素や窒素などの反応ガスを供給するガス供給システムも不可欠でございます。冷却システムは、ターゲットや陰極本体の過熱を防ぎ、安定したプロセスを維持するために重要な役割を担います。
今後も、スパッタリング装置用陰極の技術は、より大面積、高成膜レート、高効率な薄膜形成が求められる中で進化を続けるでしょう。ターゲット材料の利用効率の向上、プラズマのさらなる制御技術、より高品質な薄膜を実現するための新しい電源技術(例えばHIPIMSの普及)などが研究開発の焦点となっております。環境負荷の低減やコスト削減も重要な課題であり、持続可能な製造プロセスへの貢献が期待されております。