市場調査レポート

MRAM市場規模・シェア分析 – 成長トレンドと予測 (2025年~2030年)

グローバル磁気抵抗メモリ(MRAM)市場は、タイプ(トグルMRAM、スピン注入磁化反転MRAM)、アプリケーション(家庭用電化製品、ロボティクス、自動車、エンタープライズストレージ、航空宇宙および防衛)、および地域(北米、欧州、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東およびアフリカ)別に分類されます。市場規模と予測は、上記すべてのセグメントについて、金額(USD百万ドル)で提供されます。
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MRAM市場の概要について、詳細にまとめさせていただきます。

# MRAM市場の概要と成長予測

MRAM(Magneto Resistive RAM:磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)市場は、2025年には32.6億米ドルと推定され、2030年には364.9億米ドルに達すると予測されており、予測期間(2025年~2030年)における年平均成長率(CAGR)は62.12%という驚異的な成長が見込まれています。この市場は、北米が最大の市場であり、アジア太平洋地域が最も急速に成長する市場となる見込みです。市場の集中度は中程度と評価されています。

# MRAM市場の現状と技術的進歩

MRAM業界は、スピンエレクトロニクスと半導体メモリ製造における技術進歩によって変革期を迎えています。主要なファウンドリは、高度なMRAMソリューションの開発と商業化において大きな進展を遂げています。例えば、Samsungの最新のeMRAM技術は、従来のSRAMと比較して40%のサイズ削減を実現しつつ、30~50ナノ秒という競争力のある読み書き速度を維持しています。このような技術的進歩により、MRAMは高性能と信頼性が求められるアプリケーションにおいて、従来のメモリデバイスソリューションに代わる実行可能な選択肢として浮上しています。MRAMと高度な製造プロセスの融合は、様々な電子デバイスやシステムへの統合に向けた新たな可能性を切り開いています。

業界の状況は、主要なファウンドリプレイヤー間の戦略的パートナーシップと製造革新によって再構築されています。Samsung、TSMC、GlobalFoundriesは、組み込みMRAMソリューションの規模を拡大しており、Samsungは2024年にeMRAMのアプリケーションを自動車、ウェアラブル、グラフィックメモリ、エッジAIアプリケーションに拡大しています。これらのファウンドリは、GlobalFoundriesが12nmプロセスに注力し、TSMCがeFlashの代替として22nm eMRAMを提供するなど、先進ノードでのソリューション開発に積極的に取り組んでいます。製造エコシステムの進化は、高性能でエネルギー効率の高い半導体メモリソリューションに対する高まる需要に対応する上で極めて重要です。

MRAMと新興技術の統合は、様々な分野で新たな市場機会を創出しています。Strategy Analyticsによると、接続デバイスの数は2025年までに386億台に達すると予想されており、IoTアプリケーションにおける効率的で不揮発性のメモリデバイスソリューションの需要を牽引しています。MRAMのユニークな特性、例えば放射線耐性、極端な温度での動作能力、耐タンパー性は、軍事および産業アプリケーションに特に適しています。SRAMの速度と不揮発性を組み合わせる能力により、MRAMは次世代コンピューティングアーキテクチャにおける重要なコンポーネントとして位置づけられています。

エンタープライズストレージ分野では、特にデータセンターアプリケーションにおいて、高速キャッシュおよびバッファ操作を必要とするMRAMソリューションの採用が増加しています。Intelの不揮発性メモリソリューショングループは、前年比46%の収益成長を報告しており、エンタープライズストレージアプリケーションにおける高度なメモリデバイスソリューションに対する強い市場需要を示しています。MRAMがスーパーキャパシタやバッテリーを必要とせずに電力損失に対する保護を提供する能力は、重要なデータストレージアプリケーションにとって特に魅力的です。AI、機械学習、エッジコンピューティングにおける新たなワークロードに対応するために、組織がストレージインフラを最適化しようとする中で、より高速なデータアクセスと処理能力を可能にする高度なメモリ技術の役割はますます重要になっています。

# 主要な市場トレンド

電子機器の小型化需要の増加
電子機器市場における小型化は、設計と製造の両方における課題として浮上しており、MRAMのような高度なメモリチップソリューションに対する大きな需要を牽引しています。最終製品の小型化という主要なトレンドは、設計および製造の専門家が、より軽量、小型、低コストでありながら、同時に高速、高機能、信頼性、使いやすさを備えた製品を開発するよう促しています。ポータブル電子機器は、特に航空宇宙や特定の消費者向け電子機器セグメントのような高度に統合された高速アプリケーションにおいて、スペース最適化のためのより小型で薄いパッケージングシステムに対する要求が高まっています。その結果、組み込みメモリパッケージングは電子システム開発の中心的な要素となり、パッケージング研究者が組み込みパッケージングやチップを組み込む新しい方法の開発に積極的に投資しています。

小型化への継続的な推進は、より小さなフットプリントにより多くの処理能力を詰め込むという、コンピューティング電力密度の目覚ましい成果をもたらしています。このトレンドは、トランジスタ密度の増加、チップサイズの縮小、および特定のデバイスに必要なボードサイズの比例的な削減につながっています。材料技術、特に半導体ポリマーの進歩により、より広範なデバイスを表面層に直接印刷できるようになりました。この機能は製造プロセスに革命をもたらし、ユニークなデバイスをボードや導体とともに単一のプロセスで3Dプリントすることを可能にしました。SamsungのeMRAM技術における最近の進展は、このトレンドを象徴しており、最新のMRAMは従来のSRAMよりも40%小型でありながら、eFlashコンピュータメモリよりも1,000倍高速な性能を提供し、小型化と性能維持または向上における大きな進歩を示しています。

RFIDタグでのMRAM利用増加
IIoT(Industrial Internet of Things)、ウェアラブル、人工知能、自動車、ロボティクス、医療機器、ポータブルデザインなどのアプリケーション全体でエッジコンピューティングが普及するにつれて、高速、低遅延、不揮発性、低電力、コスト効率の高いメモリデバイスソリューションに対する前例のない需要が生まれています。MRAMはRFIDタグ、特に病院環境でデータロガーが長期的なデータ蓄積に対応するために複数のメガビットの不揮発性メモリを必要とする場合に重要なアプリケーションを見出しています。これらのアプリケーションは通常、バッテリー電源またはエネルギーハーベスティングに依存しており、MRAMの低電力特性は特に価値があります。電力損失時にデータを無期限に保持する能力と、無制限の耐久性を兼ね備えているため、データロギングアプリケーションにとって理想的なソリューションとなっています。

Armによる画期的なイニシアチブであるProject Triffidは、IoT実装のためのRFIDタグの革新的なアプリケーションを模索しています。このプロジェクトは、IoTアプリケーションに適した非常に低電力またはバッテリーレスのMCUをRFIDタグ内に組み込むことを目指しており、従来のパッシブRFIDのように情報を捕捉・保存するだけでなく、それを処理して行動することも可能にします。この開発は、2025年までに386億台のデバイスが接続されると予測されるIoTエコシステムにおけるインテリジェントで自律的なデバイスに対する高まるニーズに対応するため、特に重要です。このプロジェクトが、不規則性を検出する回路、適応型ソフトウェア、データストレージ用の不揮発性メモリの開発に焦点を当てていることは、RFID技術における大きな進歩を表しており、次世代IoTメモリアプリケーションにおけるMRAMの利用方法に革命をもたらす可能性があります。

# セグメント分析

タイプ別

* STT-MRAM(Spin-transfer Torque MRAM)セグメント:
STT-MRAMは、世界の磁気抵抗RAM市場において支配的な技術として浮上しており、2024年には市場全体の約79%を占めています。この技術は、SRAMの速度とフラッシュの不揮発性を兼ね備え、無制限の耐久性を提供するため、消費者向け電子機器からエンタープライズストレージまで、様々なアプリケーションに理想的です。STT-MRAMは、Toggle MRAMと比較してスイッチングエネルギーが低く、より高い密度、高い耐久性、より速い書き込み時間を実現できます。10nm以下に良好にスケーリングし、フラッシュメモリの低コストに挑戦する能力により、次世代の永続メモリアプリケーションにとって特に魅力的です。Samsung、TSMC、GlobalFoundriesなどの主要なファウンドリは、特に自動車、IoT、エッジコンピューティング分野の組み込みアプリケーションに焦点を当て、STT-MRAMソリューションの開発と商業化に積極的に取り組んでいます。

* Toggle MRAMセグメント:
Toggle MRAMは、磁場変化を利用してビットをプログラム/書き込みする第一世代の磁気RAM技術です。この技術は開発の簡素さという利点がある一方で、STT-MRAMと比較してスケーリングの課題に直面しています。Toggle MRAMは、電力損失時にデータ維持を必要とするシステムでSRAMバッテリーの組み合わせを置き換えるなど、そのユニークな特性が利点となる特定のアプリケーションで引き続き利用されています。特に、衛星や航空宇宙システムなど、かなりの放射線にさらされるアプリケーションでニッチな市場を見出しており、その放射線耐性と信頼性から理想的な選択肢となっています。Toggle MRAMが-40°Cから150°Cの温度範囲で長期間データを保持する能力は、特殊な産業および軍事アプリケーションにおけるその関連性を維持しています。

提供形態別

* 組み込みMRAMセグメント:
組み込みメモリセグメントは、世界のMRAM市場において支配的な勢力として浮上しており、2024年には市場全体の約76%を占めています。このセグメントのリーダーシップは、IoTデバイス、自動車システム、エッジAIアプリケーションなど、様々なアプリケーションにおける組み込みメモリソリューションの採用増加によって牽引されています。Samsung、TSMC、GlobalFoundriesなどの主要なファウンドリは、組み込みMRAMソリューションの規模を拡大しており、多くが28nm/22nmプロセスで先進ノードを提供しています。高度な製造技術を使用して構築されたデバイスにおいて、組み込みフラッシュ(eFlash)を置き換えるMRAMの能力が、その市場支配の主要な要因となっています。さらに、このセグメントは2024年から2029年にかけて約82%という目覚ましい成長率を予測されており、高速な読み書き時間、高い耐久性、SoCにおける組み込みNORとSRAMの両方を置き換える可能性といったMRAMの利点によって牽引されています。

* スタンドアロンMRAMセグメント:
スタンドアロンMRAMセグメントは、世界のMRAM市場の残りの市場シェアを占めており、主にNVMe SSD、NVDIMM、モバイルアプリケーションなどのアプリケーションにサービスを提供しています。このセグメントの成長は、業界の主要プレイヤーによって製造される低密度STT-MRAMデバイスによって主に牽引されています。バッテリーやコンデンサのバックアップなしでデータ破損を防ぐ能力や、非常に低い遅延特性など、MRAM固有の利点は、エンタープライズストレージアプリケーションに特に適しています。しかし、MRAMがコストや密度でDRAMに匹敵できないこと、および低容量帯(256MB以下)でNORとの競争があることが市場浸透に影響を与え、このセグメントは特定の課題に直面しています。

アプリケーション別

* エンタープライズストレージセグメント:
エンタープライズストレージは、世界のMRAM市場において最大のセグメントであり、2024年には市場全体の約42%を占めています。この支配的な地位は、高速エンタープライズストレージキャッシュにおけるMRAMの採用増加によって牽引されており、その書き込み耐久性、データ保持、DRAMのような低遅延アクセスというユニークな組み合わせが、重要なキャッシュデータを保持するのに理想的です。このセグメントの成長は、人工知能、ビッグデータ分析、仮想化、高性能コンピューティングアプリケーションにおける要求の厳しいワークロードによってさらに加速されています。主要なテクノロジー企業は、特に高性能の永続メモリが重要となるシナリオにおいて、システム信頼性とパフォーマンスを向上させるために、インフラストラクチャおよびデータセンタープロバイダー向けに特別に設計されたMRAMソリューションを積極的に開発しています。

* 消費者向け電子機器セグメント:
消費者向け電子機器セグメントは、MRAM市場において最も急速に成長しているアプリケーション分野として浮上しており、2024年から2029年の間に堅調な成長が予測されています。この例外的な成長は、技術進歩、IoTデバイスの普及増加、5G技術の出現、およびメモリ容量と電力効率を向上させるための様々なデバイスにおける継続的な革新によって牽引されています。このセグメントの拡大は、スマートフォン、ラップトップ、スマートウェアラブル、デジタルカメラで特に顕著であり、MRAMの不揮発性、低消費電力、高速性、高耐久性の組み合わせが次世代デバイスにとって理想的な選択肢となっています。フレキシブルおよびウェアラブルエレクトロニクスの開発への注力が高まっていることも、MRAMの採用をさらに加速させています。MRAMは、電源切断後のデータ保持能力と処理速度の点で従来のNANDメモリを上回るためです。

* その他のMRAM市場アプリケーションセグメント:
MRAM市場には、自動車メモリ、ロボティクス、航空宇宙・防衛、その他のアプリケーションなど、いくつかの重要なアプリケーションセグメントが含まれています。自動車セグメントは、MRAMが極端な温度条件で動作する能力と、エンジン制御ユニット、高度なトランスミッション制御、車載エンターテイメントシステムへの応用により、牽引力を増しています。ロボティクスセグメントは、産業オートメーションアプリケーションにおける制御コード、設定ファイル、設定の制御にMRAMを利用しています。航空宇宙・防衛セグメントは、MRAMの放射線耐性特性と高温データストレージ能力を重要なアプリケーションに活用しています。その他のアプリケーションには、エネルギー・電力、ヘルスケア、農業、小売セクターが含まれ、MRAMのユニークな特性が様々な革新的なソリューションを可能にしています。

# 地域別市場分析

* 北米のMRAM市場:
北米はMRAM技術にとって重要な市場であり、2024年には世界の市場シェアの約26%を占めています。この地域の優位性は、堅牢な半導体メモリ市場インフラと主要なテクノロジー企業の強力な存在によって牽引されています。市場は特にエンタープライズストレージ市場、自動車アプリケーション、消費者向け電子機器セクターで強力です。主要な研究機関と技術革新センターの存在が、MRAM技術の進歩を継続的に推進しています。データセンター、人工知能、IoTアプリケーション向けの次世代メモリソリューションの開発に焦点を当てていることも、その市場地位をさらに強化しています。さらに、軍事および航空宇宙アプリケーション、特に放射線硬化環境におけるMRAMの採用増加が市場成長に貢献しています。強力な知的財産枠組みとR&D活動への継続的な投資が、北米の主要なMRAM市場としての地位をさらに確固たるものにしています。

* 欧州のMRAM市場:
欧州のMRAM市場は、2019年から2024年にかけて約101%のCAGRを達成し、目覚ましい成長を示しています。この地域の市場は、特にドイツやフランスなどの国々における強力な研究開発イニシアチブによって特徴づけられています。欧州の半導体メーカーは、自動車アプリケーション、産業オートメーション、IoTデバイス向けに高度なMRAMソリューションを積極的に開発しています。この地域の強力な自動車セクターは、特に電気自動車や先進運転支援システムにおいて、MRAM採用の主要な推進力となっています。世界クラスの研究機関の存在と、学術界と産業界のプレイヤー間の協力が、MRAM技術の革新を促進しています。欧州企業は、この地域の持続可能性目標に沿ったエネルギー効率の高いMRAMソリューションの開発に特に注力しています。市場はまた、半導体研究開発イニシアチブに対する強力な政府支援と資金提供からも恩恵を受けています。

* アジア太平洋地域のMRAM市場:
アジア太平洋地域のMRAM市場は、2024年から2029年の間に約64%のCAGRが予測されており、例外的な成長が見込まれています。この地域の市場ダイナミクスは、世界のエレクトロニクス製造とメモリチップ市場生産におけるその支配的な地位によって形成されています。中国、韓国、台湾などの国々がMRAM技術の採用と開発をリードしています。この地域の堅牢なエレクトロニクス製造エコシステムは、様々なアプリケーションにおけるMRAM統合のための強力な基盤を提供しています。主要な半導体ファウンドリの存在と、MRAM生産能力への注力が高まっていることが、市場の見通しを強化しています。この地域におけるスマートフォン、ウェアラブル、IoTデバイスに対する需要の増加は、MRAM展開に大きな機会を創出しています。さらに、人工知能とエッジコンピューティングアプリケーションへの投資増加が、この地域の市場拡大をさらに推進しています。

* ラテンアメリカのMRAM市場:
ラテンアメリカのMRAM市場は、デジタル化と産業近代化の取り組みの増加によって牽引され、有望な成長地域として浮上しています。この地域の市場は、自動車エレクトロニクスと産業オートメーションアプリケーションにおける採用増加によって特徴づけられています。ブラジルとメキシコなどの国々が、特に製造業と電気通信セクターにおいて、MRAM技術の地域的な採用をリードしています。スマート製造能力とIndustry 4.0イニシアチブの開発への注力が高まっていることが、MRAM展開のための新たな機会を創出しています。この地域の成長する消費者向け電子機器市場とスマートフォン普及率の増加も、市場成長に貢献しています。さらに、この地域におけるデータセンターインフラストラクチャとクラウドコンピューティングサービスの拡大が、MRAMのような高度なメモリソリューションの需要を牽引しています。市場はまた、電気通信インフラストラクチャと5Gネットワーク展開への投資増加からも恩恵を受けています。

* 中東・アフリカのMRAM市場:
中東・アフリカのMRAM市場は、デジタルインフラストラクチャと産業オートメーションへの投資増加によって着実な成長を遂げています。この地域の市場は、特に湾岸協力会議(GCC)諸国で強力であり、スマートシティイニシアチブと産業近代化プロジェクトが高度なメモリソリューションの需要を創出しています。地元の半導体能力とエレクトロニクス製造の開発への注力が高まっていることが、市場拡大に貢献しています。この地域の自動車セクター、特にUAEやサウジアラビアなどの国々では、車両エレクトロニクスにおけるMRAM採用の機会があります。産業アプリケーションにおけるIoTデバイスとスマート製造ソリューションの採用増加が市場成長を牽引しています。この地域がテクノロジー採用を通じて石油依存経済からの多角化に焦点を当てていることが、MRAM市場開発に有利な条件を創出しています。さらに、電気通信インフラストラクチャとデータセンターへの投資増加が市場拡大を支えています。

# 競争環境

MRAM市場には、Samsung、Intel、Qualcomm、Everspin Technologiesなどの企業がイノベーションをリードしており、確立された半導体大手と専門の半導体メモリ技術プロバイダーが共存しています。これらの市場リーダーは、MRAM製品ポートフォリオを強化するために研究開発に積極的に投資しており、特に組み込みMRAMソリューションとスタンドアロンデバイスに焦点を当てています。企業は、製造能力を強化し、新技術の商業化を加速するために、ファウンドリサービスプロバイダーとの戦略的パートナーシップを形成しています。製品革新は、高密度MRAMソリューションの開発、電力効率の向上、データ保持能力の強化に集中しています。運用戦略には、専用の生産ラインの確立、高度な製造プロセスへの投資、グローバルな流通ネットワークの拡大が含まれます。市場拡大の取り組みは、主に自動車、IoT、航空宇宙、エンタープライズストレージ分野の新興アプリケーションをターゲットにすることに焦点を当てており、研究機関やテクノロジーパートナーとの戦略的協力が技術進歩を推進しています。

MRAM市場構造は、大規模な半導体コングロマリットと専門のメモリ技術プロバイダーが混在しており、グローバルプレイヤーが市場を支配しています。主要な半導体企業は、その広範な製造能力と確立された流通ネットワークを活用して市場リーダーシップを維持し、専門プロバイダーは特定のアプリケーション向けに革新的な磁気メモリソリューションの開発に注力しています。市場は中程度の統合を示しており、主要プレイヤーはバリューチェーン全体でその地位を強化するために垂直統合戦略を積極的に追求しています。IPプロバイダー、ファウンドリサービス、機器メーカー間の戦略的パートナーシップとライセンス契約がますます一般的になり、相互依存的なステークホルダーの複雑なエコシステムを形成しています。

市場は活発なM&A活動を示しており、特に専門のMRAM技術プロバイダーと知的財産の買収に焦点を当てています。大規模な半導体企業は、MRAM能力を拡大し、市場参入を加速するために、小規模で革新的な企業を戦略的に買収しています。研究機関、テクノロジープロバイダー、製造パートナー間の協力が業界の統合を推進しており、主要プレイヤー間の共同開発契約が新製品の開発コストを共有し、市場投入までの時間を短縮するためにますます一般的になっています。

MRAM市場での成功には、技術革新、戦略的パートナーシップ、市場ポジショニングを組み合わせた多面的なアプローチが必要です。既存のプレイヤーは、電力効率、密度向上、コスト削減などの分野で継続的な製品革新に注力し、ファウンドリパートナーや機器メーカーとの強力な関係を維持する必要があります。堅牢な知的財産ポートフォリオを確立し、特定のアプリケーション向けにカスタマイズされたソリューションを開発することは、競争優位性を維持するために不可欠です。企業はまた、製造能力と流通ネットワークの拡大に投資し、高成長セクターの主要顧客との関係を育成する必要があります。

新規参入者や挑戦者にとって、成功は、専門ソリューションや優れた高度なメモリ技術を通じて差別化できる特定の市場ニッチを特定し、ターゲットにすることにかかっています。特に製造と流通において、確立された企業との提携や戦略的アライアンスを模索することも有効な戦略です。これにより、新規参入者は市場への参入障壁を克服し、既存のインフラストラクチャと専門知識を活用することができます。全体として、MRAM市場は、技術の進歩、戦略的協力、そして市場の需要への適応を通じて、今後数年間で大幅な成長と進化を遂げると予想されます。

このレポートは、グローバルMRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)市場に関する包括的な分析を提供しています。MRAMは、従来のDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)やSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)とは異なり、電源が供給されなくてもデータを保持できる不揮発性メモリです。電気的な電荷ではなく、磁気状態を利用してデータを保存するという独自の特性を持っており、これにより高速性、低消費電力、高耐久性といった多くの利点を提供します。

市場規模に関して、MRAM市場は急速な成長を遂げています。2024年には12.3億米ドルと推定されており、2025年には32.6億米ドルに達すると予測されています。さらに、2025年から2030年にかけては年平均成長率(CAGR)62.12%という非常に高い成長率で拡大し、2030年には364.9億米ドルという大規模な市場に成長すると見込まれています。この驚異的な成長は、MRAM技術が次世代メモリとして広く認識され、様々な産業での採用が進んでいることを示しています。

市場の成長を牽引する主な要因としては、電子デバイスの小型化に対する需要の増加が挙げられます。スマートフォン、ウェアラブルデバイス、IoT機器など、より高性能でコンパクトなデバイスが求められる現代において、MRAMの小型・高密度な特性は非常に有利です。また、RFID(Radio Frequency Identification)タグにおけるMRAMの使用拡大も重要なドライバーの一つです。RFIDタグは物流、小売、医療など多岐にわたる分野で利用されており、MRAMの不揮発性と高速性はこれらのアプリケーションに新たな価値をもたらしています。一方で、市場には課題も存在します。特に、電磁干渉問題に伴う高い設計コストは、MRAMのさらなる普及に向けた克服すべき障壁となっています。

本レポートでは、MRAM市場を多角的にセグメント化し、詳細な分析を行っています。
タイプ別では、主に「トグルMRAM」と、より高速で低消費電力な「スピン注入磁化反転MRAM(STT-MRAM)」に分類されます。STT-MRAMは、その優れた性能から今後の市場成長の主要な牽引役となると期待されています。
提供形態別では、単体で機能する「スタンドアロン型」と、他の半導体チップに組み込まれて使用される「組み込み型」に分けられます。組み込み型MRAMは、SoC(System-on-a-Chip)などの高性能デバイスにおいて、キャッシュメモリやコードストレージとしての利用が拡大しています。
アプリケーション別では、広範な分野が対象となります。具体的には、スマートフォンやタブレットなどの「家電製品」、産業用ロボットや協働ロボットなどの「ロボット工学」、データセンターやクラウドサービスを支える「エンタープライズストレージ」、自動運転や車載インフォテインメントシステム向けの「自動車」、そして高い信頼性が求められる「航空宇宙・防衛」分野、その他様々なアプリケーションが含まれます。

地域別の動向を見ると、2025年には北米がMRAM市場において最大の市場シェアを占めると予測されています。これは、同地域における技術革新の進展と、主要な半導体メーカーや研究機関の存在が背景にあると考えられます。一方、アジア太平洋地域は予測期間(2025年~2030年)において最も高いCAGRで成長すると推定されており、中国、日本、韓国などの国々における電子機器製造業の発展と、MRAM技術への投資拡大がその成長を後押しすると見られています。

主要な市場プレイヤーとしては、Avalanche Technology Inc.、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、HFC Semiconductor Corporation、Tower Semiconductor、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Transfer Technologies、Numemなどが挙げられます。これらの企業は、MRAM技術の研究開発、製品化、市場展開において重要な役割を担い、激しい競争を繰り広げています。

レポートでは、市場の概要に加え、ポーターのファイブフォース分析による業界の魅力度評価、バリューチェーン分析、そしてCOVID-19パンデミックが業界に与えた影響の評価など、多角的な視点から市場のインサイトを提供しています。また、詳細な調査方法論、エグゼクティブサマリー、投資分析、市場の将来性に関する展望も含まれており、MRAM市場の全体像を包括的に理解するための貴重な情報源となっています。

MRAM市場は、その革新的な技術特性と幅広い応用可能性により、今後も持続的な成長が期待される重要な分野であり、デジタル社会の進化を支える基盤技術の一つとして注目されています。


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1. はじめに

  • 1.1 調査の前提条件と市場の定義

  • 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場の洞察

  • 4.1 市場概要

  • 4.2 業界の魅力度 – ポーターの5つの力分析

    • 4.2.1 新規参入者の脅威

    • 4.2.2 消費者の交渉力

    • 4.2.3 供給者の交渉力

    • 4.2.4 代替品の脅威

    • 4.2.5 競争の激しさ

  • 4.3 バリューチェーン分析

  • 4.4 業界へのCOVID-19の影響評価

5. 市場の動向

  • 5.1 市場の推進要因

    • 5.1.1 電子デバイスの小型化需要の増加

    • 5.1.2 RFIDタグにおけるMRAMの使用増加

  • 5.2 市場の課題

    • 5.2.1 電磁干渉問題による高い設計コスト

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 タイプ

    • 6.1.1 トグルMRAM

    • 6.1.2 スピン注入磁化反転MRAM

  • 6.2 提供形態

    • 6.2.1 スタンドアロン

    • 6.2.2 組み込み

  • 6.3 アプリケーション

    • 6.3.1 家庭用電化製品

    • 6.3.2 ロボティクス

    • 6.3.3 エンタープライズストレージ

    • 6.3.4 自動車

    • 6.3.5 航空宇宙および防衛

    • 6.3.6 その他のアプリケーション

  • 6.4 地域

    • 6.4.1 北米

    • 6.4.2 ヨーロッパ

    • 6.4.3 アジア太平洋

    • 6.4.4 ラテンアメリカ

    • 6.4.5 中東およびアフリカ

7. 競合情勢

  • 7.1 企業プロファイル

    • 7.1.1 アバランチ・テクノロジー社

    • 7.1.2 NVEコーポレーション

    • 7.1.3 クアルコム・インコーポレイテッド

    • 7.1.4 クロッカス・ナノ・エレクトロニクスLLC

    • 7.1.5 エバースピン・テクノロジーズ社

    • 7.1.6 HFCセミコンダクター・コーポレーション

    • 7.1.7 タワー・セミコンダクター

    • 7.1.8 ハネウェル・インターナショナル社

    • 7.1.9 インフィニオン・テクノロジーズAG

    • 7.1.10 インテル・コーポレーション

    • 7.1.11 サムスン電子株式会社

    • 7.1.12 スピン・トランスファー・テクノロジーズ

    • 7.1.13 ニューメム

  • *リストは網羅的ではありません

8. 投資分析

9. 市場の将来性

利用可能状況による


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グローバル市場調査レポート販売と委託調査

[参考情報]
MRAM(MRAM)は、Magnetoresistive Random-Access Memoryの略称であり、磁気抵抗効果を利用した不揮発性メモリの一種でございます。データの書き込みは磁化の方向転換によって行われ、データの読み出しは磁気抵抗素子の抵抗値の変化を検出することで実現されます。SRAMに匹敵する高速性、DRAMに迫る高密度、そしてFlashメモリのような不揮発性を兼ね備えることから、「ユニバーサルメモリ」として大きな期待が寄せられております。その基本的な構造は、強磁性層、非磁性絶縁層、強磁性層からなるMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子であり、この素子の磁化の向きによって抵抗値が変化する現象を利用して情報を記憶いたします。MRAMの主な特徴は、電源を切ってもデータが保持される不揮発性、非常に高速な読み書き速度、高い書き換え耐久性、そして低消費電力である点でございます。

MRAMにはいくつかの種類がございます。初期に開発されたMRAMは、外部磁場を利用して磁化を反転させる方式であり、Toggle MRAMなどと呼ばれておりました。この方式は書き込み電流が大きく、微細化が難しいという課題がございました。その後、スピン偏極電流を直接MTJ素子に流し込むことで磁化を反転させるSTT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)が登場し、現在のMRAMの主流となっております。STT-MRAMは、低消費電力で微細化が容易であるという利点がございます。さらに、次世代のMRAMとして、スピン軌道トルクを利用するSOT-MRAM(Spin-Orbit Torque MRAM)や、電圧制御磁気異方性(VCMA)効果を利用するVC-MRAM(Voltage-Controlled MRAM)の研究開発が進められております。SOT-MRAMはSTT-MRAMよりも高速かつ高耐久性、低消費電力の可能性を秘めており、VC-MRAMは超低消費電力化が期待されております。

MRAMの用途は多岐にわたります。まず、組み込みメモリとしての利用が先行しております。マイクロコントローラ(MCU)やシステムオンチップ(SoC)のキャッシュメモリ、あるいはコードストレージとして、従来のFlashメモリやSRAMの置き換えが進んでおります。特に、IoTデバイスにおいては、低消費電力と不揮発性というMRAMの特性が非常に重要でございます。また、車載用途では、高温耐性、高信頼性、高速性が求められるADAS(先進運転支援システム)や自動運転システムにおいて、MRAMの採用が拡大しております。産業機器においても、データロギングや設定情報の保存など、電源喪失時にもデータを保持する必要がある場面で活用されております。将来的には、DRAMの代替やNAND Flashの代替として、スタンドアロンメモリとしての利用も期待されております。データセンターにおけるストレージクラスメモリ(SCM)として、高速ストレージや永続メモリとしての活用、さらにはAI/MLアクセラレータにおける高速なオンチップメモリとしての需要も高まっていくと見込まれております。

関連技術としては、他の様々なメモリと比較検討されます。SRAMは高速ですが揮発性で高コスト、低密度であるため、MRAMはSRAMのキャッシュ代替として注目されております。DRAMは高速ですが揮発性でリフレッシュ動作が必要であり、MRAMはDRAMのメインメモリ代替の可能性を秘めております。NAND Flashは不揮発性で高密度、低コストですが、読み書き速度が遅く、書き換え回数に制限があるため、MRAMはFlashのコードストレージ代替や高速ストレージとして優位性がございます。NOR Flashは不揮発性で高速読み出しが可能ですが、低密度で高コストであるため、MRAMがその代替となるケースもございます。また、FeRAM(強誘電体メモリ)、ReRAM(抵抗変化型メモリ)、PRAM(相変化メモリ)といった他の次世代不揮発性メモリとも競合関係にございますが、MRAMは高速性、高耐久性、低消費電力、不揮発性という特性をバランス良く兼ね備えている点で優位性を持つと評価されております。

MRAMの市場背景としましては、現在、組み込みMRAMが市場を牽引しております。Samsung、TSMC、GlobalFoundriesといった大手ファウンドリがMRAMのプロセス技術を提供しており、Everspin、NXP、STMicroelectronics、Renesasなどの半導体メーカーが製品開発を進めております。市場成長の主なドライバーは、IoTデバイスの爆発的な増加に伴う低消費電力かつ不揮発性メモリの需要、車載エレクトロニクスの高度化による高信頼性・高速メモリの需要、そしてAI/MLの普及による高速オンチップメモリや永続メモリの需要でございます。また、データセンターにおけるSCMの需要もMRAM市場の拡大を後押ししております。一方で、課題も存在いたします。現状ではFlashやDRAMに比べてコストが高いこと、MTJ素子の安定性や歩留まりに関する微細化の限界、特にSTT-MRAMにおける書き込み電流のさらなる低減、そしてスタンドアロン用途での競争力を高めるための大容量化が挙げられます。

MRAMの将来展望としましては、技術のさらなる進化と市場の拡大が期待されております。技術面では、SOT-MRAMやVC-MRAMの実用化により、さらなる高速化、低消費電力化、高耐久性化が進むと見込まれております。また、3D積層技術の導入により、大容量化と高密度化が実現され、MTJ素子の材料開発によって性能向上と安定性向上が図られるでしょう。市場面では、組み込み市場におけるFlashやSRAMの置き換えが加速し、MRAMの浸透がさらに進むと予想されます。スタンドアロン市場への本格的な参入も期待されており、データセンターにおけるSCMとしての地位を確立する可能性がございます。長期的には、ニューロモルフィックコンピューティングや量子コンピューティングといった次世代コンピューティング分野への応用も視野に入れられております。これらの技術革新と市場拡大を通じて、MRAMはコストダウン、大容量化、信頼性向上といった課題を克服し、「ユニバーサルメモリ」としての地位を確立していくものと期待されております。