日本のディスクリート半導体市場規模/シェア分析/成長動向(2025~2030年)

※本ページに記載されている内容は英文レポートの概要と目次を日本語に自動翻訳したものです。英文レポートの情報と購入方法はお問い合わせください。
*** 本調査レポートに関するお問い合わせ ***
日本のディスクリート半導体市場規模は2025年に45億米ドルと推定され、予測期間(2025-2030年)のCAGRは5.59%で、2030年には59億米ドルに達すると予測されます。
ディスクリート半導体は、特に車載電子機器、再生可能エネルギーシステム、民生用電子機器などの技術進歩において極めて重要です。IoT、電気自動車、スマート装置などの新たなトレンドが、特殊なディスクリート半導体の需要を促進しています。さらに、これらの半導体のメーカーはグローバルに事業を展開しているため、さまざまな通貨で材料を調達し、販売を行うことがよくあります。そのため、為替レートの変動は収益性や競争力に大きな影響を与えます。
ディスクリート半導体、またはディスクリート部品や装置は、電子回路内で特定の機能を果たすように設計された個々の電子部品であり、統合されることなく独立して動作します。ディスクリート半導体の一般的な例としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどがあります。これらの部品は通常、回路接続用に2本以上のリード線(ピン)を備えたパッケージに収められています。ディスクリート半導体は、電源や増幅器から制御回路や信号処理に至るまで、電子機器全体に幅広く応用されています。
ディスクリート半導体は、強化された柔軟性、カスタマイズ性、優れた電力処理能力など、集積回路に比べて大きな利点を提供します。設計者は、回路設計と性能を正確に制御し、より高い電圧・電流レベルに対応することができます。しかし、ディスクリート部品は、集積回路に比べて基板スペースが広くなり、組み立て工程が増える可能性があります。
さらに、商品価格、特に金属、シリコン、希土類元素などの原材料価格の変動は、ディスクリート半導体の製造コストに直接影響します。こうした変動は利益率に大きな影響を与え、価格戦略の調整が必要となります。
効率的な電力管理は、ディスクリート半導体の重要な推進要因のひとつです。先進的なシステム・アーキテクチャは、AC-DC電源アダプタの効率を高めると同時に、そのサイズと部品点数を削減しています。さらに、パワー・オーバー・イーサネット(PoE)規格の更新により、より高い電力転送がサポートされるようになり、コネクテッド照明などの革新的な装置の開発が容易になりました。
ウェアラブル装置は、その基本的な物理学からエンドユーザーの体験に至るまで、消費者の普及を促進する上で極めて重要です。ディスクリート半導体企業は、製品設計中に市場動向と課題を注意深く監視し、競争力を確実に維持することで、大きな利益を得ることができます。移動度が向上し、臨界破壊電界を持つ半導体、特に炭化ケイ素(SiC)の採用が牽引力となっています。この傾向はトランジスタの分野で特に顕著で、ショットキーバリアダイオード(SBD)、接合型電界効果トランジスタ(JFET)、MOSFETトランジスタなどのパワー電子装置にも及んでいます。
ロシアのウクライナ侵攻、中国とアメリカの競争、選挙、イスラエルでの戦争などの地政学的課題は、グローバル・サプライチェーン、特に伝統産業、防衛、ハイテク分野、航空宇宙、グリーンエネルギーに不可欠な重要原材料に大きな影響を与えます。ロシア・ウクライナ戦争と景気減速は半導体産業に大きな混乱をもたらしました。インフレと金利の上昇は個人消費を減少させ、業界の需要を妨げ、ディスクリート半導体市場の成長鈍化につながりました。
日本ディスクリート半導体市場動向
パワートランジスタが大きな市場シェアを占める見込み
- MOSFETは、主に電子信号のスイッチングや増幅に使われる半導体装置。電界効果トランジスタ(FET)に属し、電界を利用して2つの端子間の電流の流れを制御する能力で知られています。低電圧で機能する一方で、素早いスイッチングと最大限の効率を実現します。
- 従来のパワーアンプの電力損失は、入力または出力インピーダンス整合回路を内蔵し、出力電力性能を検証したRFハイパワーMOSFETモジュールの需要を生み出しています。三菱電機などの主要ベンダーは、新型MOSFETを搭載した900MHzモジュールを来年中に発売し、周波数帯域を拡大する予定。同社によると、763MHzから870MHz帯で50Wの出力を持ち、総合効率40%のこのモデルは、消費電力の削減と無線通信範囲の拡大に役立つと予測されています。
- 電子業界では、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、スマートウェアラブル、IoT機器など、さまざまな電子機器の需要が急増しています。これらの装置は、さまざまな機能のためにパワートランジスタを必要とします。消費者層の拡大と新しい電子装置の継続的な導入が、パワートランジスタの需要を促進しています。
- 民生用電子機器分野は、国内の大規模な製造現場と、ソニーやパナソニックなどの確立された民生用電子機器企業に支えられ、市場の成長に大きく貢献するでしょう。これにより、民生用電子分野で使用される電子部品の製造におけるディスクリート半導体の需要が高まり、日本の市場成長が促進されるでしょう。
- さらに、2023年の日本の電子産業は、経済産業省の報告によると、電子部品と装置の総生産額が約6兆9,700億円(0兆4,970億米ドル)に達しています。この期間の日本の電子産業全体の生産額は約10.7兆円(0.076兆米ドル)に達しました。
著しい市場成長が期待される自動車産業
- ディスクリート半導体は、個別の電子機能に合わせて調整され、切り離すことができないため、自動車用電子機器を変革する上で極めて重要です。機能を組み合わせる集積回路(IC)とは異なり、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどのディスクリート半導体は自律的に動作し、自動車の機能、安全性、接続性を強化します。このシフトは技術進歩の新時代を告げるものであり、自動車の性能と機能のベンチマークを高めるものです。
- 自動車の需要は、主にディスクリート部品、特にパワートランジスタと整流器の市場に拍車をかけています。従来の自動車は何十年もの間、12V バッテリー・システムに依存してきましたが、現在では最新の自動車の電子的要求の高まりを支えるのに苦労しており、よりエネルギー効率の高いソリューションの必要性が浮き彫りになっています。
- 日本政府は2050年までに、日本で新たに販売される自動車をすべて電気自動車またはハイブリッド車にするという目標を掲げています。日本政府は、電気自動車用のバッテリーとモーターの進歩を促進するため、民間企業に補助金を提供する意向です。二酸化炭素排出量を削減するため、日本政府は電気自動車(EV)の利用を積極的に推進しており、EVインフラ整備に多額の投資を行っています。EV購入者に対する政府の補助金の結果、日本では電気自動車の増加に対応するため、EV充電ステーションの数が急増しています。
- さらに、日本自動車販売協会連合会と軽自動車二輪車協会が発表したデータによると、2023年には標準サイズの電気自動車(EV)が43,991台、日本の有名な軽量軽自動車の電気自動車バージョンが44,544台販売される予定です。
日本のディスクリート半導体産業の概要
日本のディスクリート半導体市場は細分化されており、STMicroelectronics、Infineon Technologies、NXP Semiconductor、Diodes Incorporatedなどの主要企業が参入しています。市場参加者は、製品ポートフォリオを強化し、持続可能な競争力を確立するために、戦略的にパートナーシップや買収を活用しています。
- 2024年6月 三菱電機がウェブベースのサービス導入計画を発表。このサービスは、新しいインバータの設計と検証に関する重要なデータを提供するものです。このインバータは、LV100絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を3個搭載したモジュールが特徴。その主な目的は、太陽光発電システムなどの用途に特化したハイパワーインバータの開発を促進することです。インバータのプロトタイプは、LV100産業用IGBTを3個並列に搭載したモジュールで、ハイパワーインバータシステムの標準サイズである100mm x 140mmのコンパクトなフレームに収められています。
- 2024年3月:インフィニオンテクノロジーズは、新しいOptiMOS 7 80VパワーMOSFET技術のデビューとなる最新製品IAUCN08S7N013を発表しました。この新製品は、電力密度の顕著な向上を誇り、弾力性があり大電流のSSO8 5 x 6 mm² SMDパッケージに収められています。急成長している48Vボードネットアプリケーション向けに設計されたOptiMOS 7 80Vは、自動車部門に最適です。EV、48 Vモーター制御(電動パワーステアリング(EPS)、48 Vバッテリースイッチ、電動2輪車および3輪車などのアプリケーションを含む)の車載DC-DCコンバータの厳しい基準を満たすように設計されています。
日本のディスクリート半導体市場ニュース
- 2024年5月:Infineon Technologiesは、SiC MOSFETの開発を650V以下の電圧にまで拡大しています。同社は、今年初めにデビューした第2世代(G2)技術をベースにした最新のCoolSiCMOSFET 400Vファミリーを発表しました。この新しいMOSFETラインアップは、AIサーバーのAC/DCステージ向けに設計されており、インフィニオンの最近のPSUロードマップに沿ったものです。これらの装置は、サーバー・アプリケーション以外にも、インバーター・モーター制御、ソーラー・エネルギー貯蔵システム、SMPS、さらには家庭用ソリッド・ステート・サーキット・ブレーカーなどにも適しています。
- 2024年4月 富士電機 (FE)は、最新の製品であるHPnCSシリーズを発表しました。この新しい製品ラインは、太陽光発電や風力発電システムの電力変換器などの用途向けに特別に設計された大容量の産業用IGBTモジュールを特長としています。電流定格と電圧定格の両方を向上させることで、これらの製品は容量を高め、組み込まれるパワー・コンバータの設置面積を縮小します。これにより、発電コストの削減に貢献します。
日本のディスクリート半導体市場レポート – 目次
1. はじめに
- 1.1 前提条件と市場定義
- 1.2 調査範囲
2. 調査方法
3. エグゼクティブサマリー
4. 市場インサイト
- 4.1 市場概要
- 4.2 産業の魅力 – ポーターのファイブフォース分析
- 4.2.1 サプライヤーの交渉力
- 4.2.2 消費者の交渉力
- 4.2.3 新規参入者の脅威
- 4.2.4 代替製品の脅威
- 4.2.5 競争ライバルの激しさ
- 4.3 産業バリューチェーン分析
- 4.4 COVID-19の後遺症とその他のマクロ経済要因が市場に与える影響
5. 市場ダイナミクス
- 5.1 市場促進要因
- 5.1.1 自動車・電子セグメントにおける高エネルギー・省電力の装置需要の増加
- 5.1.2 グリーンエネルギー発電の需要増加が市場を牽引
- 5.2 市場の課題
- 5.2.1 集積回路の需要増加
6. 市場区分
- 6.1 種類別
- 6.1.1 ダイオード
- 6.1.2 小信号トランジスタ
- 6.1.3 パワートランジスタ
- 6.1.3.1 MOSFETパワートランジスタ
- 6.1.3.2 IGBTパワートランジスタ
- 6.1.3.3 その他のパワートランジスタ
- 6.1.4 整流器
- 6.1.5 サイリスタ
- 6.2 エンドユーザー分野別
- 6.2.1 自動車
- 6.2.2 電子機器
- 6.2.3 通信機器
- 6.2.4 産業用
- 6.2.5 その他のエンドユーザー分野
7. 競争環境
- 7.1 企業プロフィール
-
- 7.1.1 On Semiconductor Corporation
- 7.1.2 Infineon Technologies AG
- 7.1.3 STMicroelectronics NV
- 7.1.4 NXP Semiconductors NV
- 7.1.5 Diodes Incorporated
- 7.1.6 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- 7.1.7 ABB Ltd.
- 7.1.8 Nexperia BV
- 7.1.9 Semikron Danfoss Holding A/S (Danfoss A/S)
- 7.1.10 Eaton Corporation PLC
- 7.1.11 Hitachi Energy Ltd. (Hitachi Ltd.)
- 7.1.12 Mitsubishi Electric Corp.
- 7.1.13 Fuji Electric Co Ltd
- 7.1.14 Analog Devices, Inc.
- 7.1.15 Vishay Intertechnology Inc.
- 7.1.16 Renesas Electronics Corporation
- 7.1.17 ROHM Co. Ltd
- 7.1.18 Microchip Technology
- 7.1.19 Qorvo Inc.
- 7.1.20 Wolfspeed Inc.
- 7.1.21 Texas Instruments Inc.
- 7.1.22 Littelfuse Inc
- 7.1.23 WeEn Semiconductors
8. 投資分析
9. 市場の将来性
日本のディスクリート半導体産業区分
ディスクリート半導体は、必要不可欠な電子機能を果たす装置です。市場推計のために、ダイオード、スモールシグナルトランジスタ、パワートランジスタ、整流器などの様々な種類のディスクリート半導体の売上高を追跡しており、これらの半導体は日本全国の自動車、家電、通信、産業、その他などの複数のエンドユーザー垂直分野で採用されています。
日本のディスクリート半導体市場は、種類別(ダイオード、小信号トランジスタ、パワートランジスタ[MOSFETパワートランジスタ、IGBTパワートランジスタ、その他のパワートランジスタ]、整流器、サイリスタ)、エンドユーザー垂直市場(自動車、家電、通信、産業、その他のエンドユーザー垂直市場)に分類されます。本レポートでは、上記の全セグメントの市場規模と予測を金額(米ドル)で提供しています。
日本のディスクリート半導体市場に関する調査FAQ
日本のディスクリート半導体市場の規模は?
日本のディスクリート半導体市場規模は、2025年には45億米ドルに達し、年平均成長率5.59%で成長し、2030年には59億米ドルに達すると予測されます。
現在の日本ディスクリート半導体市場規模は?
2025年、日本のディスクリート半導体市場規模は45億米ドルに達する見込みです。
日本ディスクリート半導体市場の主要プレイヤーは?
On Semiconductor Corporation、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics NV、NXP Semiconductors NV、Diodes Incorporatedが日本のディスクリート半導体市場で事業を展開している主要企業です。
この日本ディスクリート半導体市場の対象年、2024年の市場規模は?
2024年の日本ディスクリート半導体市場規模は42.5億米ドルと推定されます。本レポートでは、日本のディスクリート半導体市場の2020年、2021年、2022年、2023年、2024年の過去の市場規模を調査しています。また、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年、2030年の日本ディスクリート半導体市場規模を予測しています。
*** 本調査レポートに関するお問い合わせ ***
