DRAM市場規模・シェア分析 – 成長トレンドと予測（2026-2031年）

Dynamic Random Access Memory（DRAM）市場は、2026年から2031年の予測期間において、年平均成長率（CAGR）16.22%で成長し、2026年の1,263.1億米ドルから2031年には2,677.7億米ドルに達すると予測されています。AI中心のサーバーの採用加速、高帯域幅メモリ（HBM）の急増、自動車向け要件の厳格化により、DRAMの購買基準は容量だけでなく、帯域幅、電力、熱性能のバランスに重点を置くように変化しています。ハイパースケールクラウド事業者によるDDR5およびHBM3Eモジュールへの刷新、アジアの携帯電話OEMによるLPDDR5Xへの移行、電気自動車におけるメモリコンテンツの増加などが、市場の成長を牽引しています。一方で、HBM3EとレガシーDDR4ライン間の供給配分問題は価格高騰を引き起こし、PC、スマートフォン、産業用IoTボードのコストパフォーマンスに影響を与えています。

市場概要（数値と主要動向）
本レポートの調査期間は2020年から2031年です。2025年の市場規模は1,086.8億米ドル、2026年には1,263.1億米ドル、そして2031年には2,677.7億米ドルに達すると見込まれています。予測期間（2020年から2031年）において、年平均成長率（CAGR）16.22%で成長すると予測されています。

主要な市場動向：
DRAM市場は、AI、HPC（高性能コンピューティング）、自動車、5G、IoTなどの新興技術の進展により、大きな変革期を迎えています。特に、AIアプリケーションの普及は、DRAMの需要を劇的に押し上げています。AIモデルのトレーニングと推論には、膨大なデータ処理能力と高速なメモリアクセスが必要であり、これがHBM（高帯域幅メモリ）のような高性能DRAMソリューションの採用を加速させています。

HBMの需要急増：
AIサーバーの需要増加に伴い、HBMの需要が急増しています。HBMは、従来のDDRメモリと比較して、はるかに高い帯域幅と電力効率を提供するため、AIアクセラレータやGPUに不可欠なコンポーネントとなっています。HBM3Eのような最新世代のHBMは、さらなる性能向上を実現し、市場の成長を牽引しています。しかし、HBMの生産には高度な技術と設備が必要であり、供給能力が限られているため、価格高騰の一因となっています。

DDR5およびLPDDR5Xへの移行：
ハイパースケールクラウド事業者やデータセンターでは、より高速で効率的なDDR5モジュールへの移行が進んでいます。DDR5は、DDR4と比較して帯域幅が大幅に向上し、消費電力も削減されるため、データセンターの運用効率向上に貢献しています。また、スマートフォン市場では、アジアの携帯電話OEMを中心にLPDDR5Xへの移行が進んでおり、モバイルデバイスの性能向上とバッテリー寿命の延長に寄与しています。

自動車分野におけるメモリコンテンツの増加：
電気自動車（EV）や自動運転技術の進化により、自動車1台あたりのメモリコンテンツが増加しています。ADAS（先進運転支援システム）やインフォテインメントシステム、車載AIなどの機能は、大量のデータをリアルタイムで処理する必要があり、高性能なDRAMが不可欠です。これにより、自動車分野はDRAM市場の新たな成長ドライバーとなっています。

供給配分問題と価格高騰：
HBM3Eのような高性能DRAMとレガシーDDR4ライン間の供給配分問題は、市場全体の価格高騰を引き起こしています。DRAMメーカーは、収益性の高いHBM生産に注力する傾向があるため、PC、スマートフォン、産業用IoTボードなどで使用される汎用DRAMの供給が逼迫し、コストパフォーマンスに影響を与えています。この供給の不均衡は、短期的には市場の変動要因となる可能性があります。

地域別分析：
アジア太平洋地域は、DRAM市場において最大のシェアを占めており、今後も高い成長率を維持すると予測されています。これは、中国、韓国、台湾などの主要な半導体製造国が存在することに加え、スマートフォン、PC、データセンター、自動車などの主要なDRAM消費市場が集中しているためです。特に、中国におけるAIインフラ投資の拡大とEV市場の成長は、この地域のDRAM需要をさらに押し上げると予想されます。北米とヨーロッパも、データセンターの拡張、AI技術の導入、自動車産業の発展により、DRAM需要が着実に増加しています。

競争環境：
DRAM市場は、少数の大手企業によって支配されており、Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyが主要なプレーヤーです。これらの企業は、技術革新、生産能力の拡大、戦略的パートナーシップを通じて市場での競争力を維持しています。特に、HBMのような高性能DRAMの開発と量産能力が、今後の市場シェアを決定する重要な要素となるでしょう。新規参入の障壁は高く、研究開発への巨額な投資と高度な製造技術が求められます。

結論：
DRAM市場は、AI、HPC、自動車などの新興技術によって強力に牽引されており、今後も堅調な成長が期待されます。特にHBMの需要急増とDDR5/LPDDR5Xへの移行が市場の主要なトレンドとなるでしょう。しかし、供給配分問題や地政学的な要因が市場の安定性に影響を与える可能性もあります。主要プレーヤーは、技術革新と供給能力の最適化を通じて、このダイナミックな市場でのリーダーシップを維持しようと努めるでしょう。

本レポートは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）の世界市場に関する詳細な分析を提供しています。DRAMは、PC、スマートフォン、音楽プレーヤー、ノートPC、タブレットなど、様々なコンピューティングおよび電子デバイスに利用される重要な半導体です。本調査は、世界中で販売されるDRAM半導体の市場分析に焦点を当て、エンドユーザー産業へのDRAM販売によって生み出される収益を市場規模として捉えています。

市場は2026年に1,263.1億米ドルの価値があり、2031年までに2,677.7億米ドルに達すると予測されており、今後も堅調な成長が期待されます。

市場の成長を牽引する主な要因としては、以下の点が挙げられます。
* ハイパースケールデータセンターにおけるAIおよび生成AIワークロードのコンテンツフットプリントの拡大。
* アジア太平洋地域における5GフラッグシップおよびミッドティアスマートフォンでのLPDDR採用の急増。
* 車載用ゾーン/ドメインコントローラーがNORから高温対応DRAMへの移行。
* エッジAIおよび産業用IoTボードにおける拡張温度DRAMモジュールの需要。
* クラウドサービスプロバイダーによるCXL接続メモリプールへの移行。

一方で、市場の成長を抑制する要因も存在します。
* 需給の周期性による極端な平均販売価格（ASP）の変動。
* 10nm以下のEUVノードにおける歩留まり低下の課題。
* 中国に対する地政学的な輸出規制が、高密度サーバーDRAMの出荷を制限していること。

本レポートでは、DRAM市場を以下の主要なセグメントに分けて分析しています。
* アーキテクチャ別: DDR2以前、DDR3、DDR4、DDR5、LPDDR、GDDR。特にDDR5は、AIサーバーや次世代PCに牽引され、年平均成長率29.1%で最も急速に成長すると予測されています。
* テクノロジーノード別: 20nm以上、19nm～10nm、10nm未満（EUV）。
* 容量別: 4GB以下、4～8GB、8～16GB、16GB以上。
* 最終用途アプリケーション別: スマートフォン・タブレット、PC・ノートPC、サーバー・ハイパースケールデータセンター、グラフィックス・ゲーム機、車載エレクトロニクス、家電（セットトップボックス、スマートTV、VR/AR）、産業用・IoTデバイス、その他。自動車分野では、ソフトウェア定義車両が高温対応DRAMを必要とし、2025年の数GBから2026年のプロトタイプでは約90GB、将来のEVプラットフォームではさらに大幅に増加すると見込まれています。
* 地域別: 北米、ヨーロッパ、アジア太平洋（中国、台湾、韓国、日本、インドなど）、南米、中東・アフリカ。特に南米は、現地組立インセンティブが電子機器生産を誘致し、21.6%の年平均成長率で最も急速に拡大すると予測されています。

競争環境については、市場集中度、戦略的動向、市場シェア分析が行われています。主要ベンダーとしては、Samsung Electronics Co., Ltd.、SK Hynix Inc.、Micron Technology Inc.などが挙げられます。特にHBMセグメントでは、SK Hynixが16層HBM3Eスタックの製造で先行し、2025年第1四半期にはDRAM総出荷量の36%を占めるに至っています。

DRAM価格は、2026年5月には、ファブがより高利益率のHBM3Eに生産能力を振り向けた結果、DDR4のスポット価格が50%急騰し、DDR5も15～20%上昇するなど、極端な変動を見せています。本レポートでは、DRAMのスポット価格（GBあたり）や価格トレンド分析も含まれています。

その他、バリューチェーン分析、技術的展望、規制的展望、ポーターのファイブフォース分析、マクロ経済的影響分析、市場機会と将来の展望（ホワイトスペースおよび未充足ニーズの評価を含む）など、多角的な視点から市場が詳細に分析されています。

本レポートは2026年1月5日時点の情報に基づいて更新されています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提と市場の定義

• 1.2 調査の範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要

• 4.2 市場の推進要因
  • 4.2.1 ハイパースケールデータセンターにおけるAIおよび生成AIワークロードのコンテンツフットプリントの増加

  • 4.2.2 APACにおける5GフラッグシップおよびミッドティアスマートフォンでのLPDDR採用の急増

  • 4.2.3 NORから高温DRAMへ移行する自動車のゾーン/ドメインコントローラー

  • 4.2.4 拡張温度DRAMモジュールを必要とするエッジAIおよび産業用IoTボード

  • 4.2.5 クラウドサービスプロバイダーのCXL接続メモリプールへの移行

• 4.3 市場の阻害要因
  • 4.3.1 需給の循環性による極端なASP変動

  • 4.3.2 10 nm EUVノード以下の歩留まり低下の課題

  • 4.3.3 中国に対する地政学的輸出規制による高密度サーバーDRAM出荷の制限

• 4.4 バリューチェーン分析

• 4.5 技術的展望

• 4.6 規制の展望

• 4.7 ポーターの5つの力分析
  • 4.7.1 供給者の交渉力

  • 4.7.2 買い手の交渉力

  • 4.7.3 新規参入の脅威

  • 4.7.4 代替品の脅威

  • 4.7.5 競争の激しさ

• 4.8 価格分析
  • 4.8.1 DRAMスポット価格（GBあたり）

  • 4.8.2 価格動向分析

• 4.9 マクロ経済影響分析

5. 市場規模と成長予測（金額）

• 5.1 アーキテクチャ別
  • 5.1.1 DDR2以前

  • 5.1.2 DDR3

  • 5.1.3 DDR4

  • 5.1.4 DDR5

  • 5.1.5 LPDDR

  • 5.1.6 GDDR

• 5.2 テクノロジーノード別
  • 5.2.1 ≥20 nm

  • 5.2.2 19 nm – 10 nm

  • 5.2.3 <10 nm (EUV)

• 5.3 容量別
  • 5.3.1 ≤4 GB

  • 5.3.2 4 – 8 GB

  • 5.3.3 8 – 16 GB

  • 5.3.4 ≥16 GB

• 5.4 最終用途別
  • 5.4.1 スマートフォンおよびタブレット

  • 5.4.2 PCおよびノートパソコン

  • 5.4.3 サーバーおよびハイパースケールデータセンター

  • 5.4.4 グラフィックスおよびゲーム機

  • 5.4.5 車載エレクトロニクス

  • 5.4.6 家庭用電化製品（セットトップボックス、スマートテレビ、VR/AR）

  • 5.4.7 産業用およびIoTデバイス

  • 5.4.8 その他

• 5.5 地域別
  • 5.5.1 北米

  • 5.5.1.1 米国

  • 5.5.1.2 カナダ

  • 5.5.1.3 メキシコ

  • 5.5.2 ヨーロッパ

  • 5.5.2.1 ドイツ

  • 5.5.2.2 フランス

  • 5.5.2.3 イギリス

  • 5.5.2.4 北欧諸国

  • 5.5.2.5 その他のヨーロッパ

  • 5.5.3 アジア太平洋

  • 5.5.3.1 中国

  • 5.5.3.2 台湾

  • 5.5.3.3 韓国

  • 5.5.3.4 日本

  • 5.5.3.5 インド

  • 5.5.3.6 その他のアジア太平洋

  • 5.5.4 南米

  • 5.5.4.1 ブラジル

  • 5.5.4.2 チリ

  • 5.5.4.3 アルゼンチン

  • 5.5.4.4 その他の南米

  • 5.5.5 中東およびアフリカ

  • 5.5.5.1 中東

  • 5.5.5.1.1 サウジアラビア

  • 5.5.5.1.2 アラブ首長国連邦

  • 5.5.5.1.3 トルコ

  • 5.5.5.1.4 その他の中東

  • 5.5.5.2 アフリカ

  • 5.5.5.2.1 南アフリカ

  • 5.5.5.2.2 その他のアフリカ

6. 競合情勢

• 6.1 市場集中度

• 6.2 戦略的動向

• 6.3 市場シェア分析

• 6.4 企業プロファイル（グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、主要セグメント、入手可能な財務情報、戦略情報、主要企業の市場ランキング/シェア、製品とサービス、および最近の動向を含む）
  • 6.4.1 Samsung Electronics Co., Ltd.

  • 6.4.2 SK Hynix Inc.

  • 6.4.3 Micron Technology Inc.

  • 6.4.4 ChangXin Memory Technologies Inc. (CXMT)

  • 6.4.5 Nanya Technology Corporation

  • 6.4.6 Winbond Electronics Corporation

  • 6.4.7 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. (PSMC)

  • 6.4.8 Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC)

  • 6.4.9 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

  • 6.4.10 Etron Technology Inc.

  • 6.4.11 Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)

  • 6.4.12 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. (ESMT)

  • 6.4.13 Zentel Electronics Corporation

  • 6.4.14 Alliance Memory, Inc.

  • 6.4.15 AP Memory Technology Corp.

  • 6.4.16 Phison Electronics Corporation

  • 6.4.17 JSC Mikron (Mikron Group)

  • 6.4.18 AMIC Technology Corporation

  • 6.4.19 Utron Technology Inc.

  • 6.4.20 Hua Hong Semiconductor Limited

7. 市場機会と将来展望