ダイオード市場 規模・シェア分析 － 成長動向と予測 (2025-2030年)
ダイオード市場レポートは、製品タイプ（ショットキーダイオード、ツェナーダイオードなど）、エンドユーザー産業（通信、家電、自動車、防衛・航空宇宙、コンピューター・周辺機器など）、実装パッケージ（スルーホール、表面実装など）、および地域（北米、南米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ）によってセグメント化されています。市場予測は、金額（米ドル）で提供されます。
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ダイオード市場の概要
ダイオード市場は、2025年には181.6億米ドルの市場規模に達し、2030年までには年平均成長率（CAGR）6.24%で成長し、245.8億米ドルに拡大すると予測されています。この成長は、データセンターの電力変換や先進的な民生機器における半導体需要の増加によって牽引されています。
主要な市場動向と予測
* 市場規模と成長率: 2025年の市場規模は181.6億米ドル、2030年には245.8億米ドルに達し、予測期間中のCAGRは6.24%です。
* 最速成長市場および最大市場: アジア太平洋地域が最速の成長を遂げ、最大の市場でもあります。
* 市場集中度: 中程度です。
* 主要企業: Infineon Technologies AG、onsemi、Nexperia BV、Vishay Intertechnology Inc.、ROHM Co. Ltd.などが挙げられます。
主要なレポートのポイント
* 製品タイプ別: レーザーダイオードが2024年にダイオード市場シェアの36.1%を占め、2030年までCAGR 8.6%で成長すると予測されています。
* エンドユーザー産業別: 民生用電子機器が2024年に収益貢献度23.2%でリードしていますが、自動車用電子機器は2030年までCAGR 6.8%で最も高い成長が見込まれています。
* 実装パッケージ別: 表面実装デバイスが2024年にダイオード市場規模の61.2%を占めましたが、チップスケールパッケージは予測期間中にCAGR 7.1%で拡大すると予想されています。
* 地域別: アジア太平洋地域が2024年にダイオード市場規模の58.86%を占め、北米が2030年までCAGR 7.0%で最速の成長を記録すると予測されています。
世界のダイオード市場のトレンドと洞察
市場の牽引要因
* 民生用電子機器エコシステムのデジタル化: スマートフォン、ウェアラブル、コネクテッドホームデバイスにおける半導体含有量の増加が、信号調整、バッテリー保護、データライン保護用のディスクリート部品の需要を押し上げています。特にアジア太平洋地域の製造ハブがこの需要を支えています。
* EV生産と車載充電器の加速: 電動パワートレインの普及に伴い、自動車用半導体需要が増加しています。炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）ダイオードは、トラクションインバーターや800V充電器のスイッチング損失を低減し、オンセミのEliteSiCプラットフォームがフォルクスワーゲンに採用されるなど、その採用が加速しています。
* 5G展開によるRFおよびマイクロ波ダイオードの需要増加: 5G加入者数の増加は、バックホールトラフィックの爆発的な増加と、基地局無線機における高周波リミッター、PIN、ショットキーダイオードの需要を促進しています。
* データセンターの効率性義務によるパワーダイオード需要の増加: 人工知能（AI）ワークロードの増大により、データセンターの電力消費が増加しており、97%以上の高効率電源の採用が求められています。SiC部品への置き換えにより電力損失が削減され、インフィニオンのGaN/SiC/Si混合プラットフォームは97.5%のコンバーター効率を達成しています。
* GaN-on-Si高電圧ダイオードに対する規制の追い風: 高電圧ダイオードの技術革新と採用を後押しする規制環境が整いつつあります。
* E-wasteリサイクル法による交換率の増加: E-waste（電子廃棄物）のリサイクル法が強化されることで、電子機器の交換サイクルが短縮され、ダイオードの需要が増加しています。
市場の抑制要因
* 原材料価格の変動（Si、GaAs、GaN）: 中国が主要なガリウム原料供給国であるため、輸出規制がGaAsおよびGaNデバイスのウェーハコストを急速に上昇させる可能性があります。また、E-wasteのリサイクル不足やSiCウェーハの歩留まり変動も価格変動に影響を与えています。
* 高電流パッケージにおける熱的制約: 自動車用インバーターや産業用ドライブでは300Aを超える連続電流が流れるため、多くの表面実装パッケージでは放熱が課題となっています。
* WBG半導体プロセスにおける特許混雑: 広帯域ギャップ（WBG）半導体分野では特許紛争が激化しており、新規参入企業や技術革新の足かせとなる可能性があります。
* 地域的な生産能力の不均衡: 地域的な政策（例：米中間の緊張、EUとアジアの相互依存）により、生産能力に偏りが生じ、サプライチェーンの安定性に影響を与える可能性があります。
セグメント分析
* 製品タイプ別：レーザーダイオードが市場を牽引
* レーザーダイオードは2024年に65.5億米ドルで最大の市場規模を記録し、CAGR 8.6%で成長しています。自動車のフロントライティング、LiDARセンシング、高速光ファイバー通信がその成長を牽引しています。整流器やショットキーデバイスも電力変換用途で需要がありますが、成長率はレーザーダイオードに劣ります。
* エンドユーザー産業別：民生用電子機器がリード、自動車が成長
* 2024年には民生用電子機器がダイオード市場の23.2%を占めました。2030年までに自動車用電子機器がCAGR 6.8%で最大のドル増加を予測されており、EVトラクションインバーター、48Vマイルドハイブリッドシステム、ソリッドステートLiDARモジュールがその成長を後押ししています。防衛、航空宇宙、衛星ペイロード向けには放射線耐性GaNダイオードが利用されています。
* 実装パッケージ別：表面実装が優勢、チップスケールが成長
* 表面実装デバイスは、リフロープロセスとの親和性やコンパクトなPCB実装面積により、2024年にダイオード市場シェアの61.2%を占めました。スマートウォッチやイヤホン、ヘルスセンサーなど、1mm²以下の小型フットプリントが求められる用途で、チップスケールパッケージがCAGR 7.1%で最速の成長を遂げています。
地域分析
* アジア太平洋: 2024年に世界収益の58.86%を占め、2030年までCAGR 6.63%で成長を続けると予測されています。中国、日本、韓国における統合されたサプライチェーンがその背景にあります。中国は政府のインセンティブと国内スマートフォン輸出により、世界のチップ販売の大部分を吸収しています。
* 北米: CHIPS Actによる5400億米ドルの民間工場投資（オンセミの8インチSiCラインなど）により、2030年までにシェアが上昇すると見込まれています。カナダはGaNエピウェーハのスタートアップを支援し、メキシコのEMSクラスターは米国自動車サプライチェーンへの関税なしアクセスを提供しています。
* ヨーロッパ: 2030年までに世界生産シェアの20%以上を目指していますが、許可の遅延や熟練労働者の不足が課題となっています。Nexperiaのハンブルク投資やポーランドのインテルテストセンター誘致などが進められています。
* 中東・アフリカ: まだ初期段階ですが、UAEでは1200V SiCダイオードを指定する太陽光インバーターのパイロット工場が建設されています。
競争環境
ダイオード市場は中程度の集中度を示しており、上位5社（インフィニオン、STマイクロエレクトロニクス、オンセミ、ローム、ヴィシェイ）が収益の約42%を占めています。各ベンダーはワイドバンドギャップ材料への生産能力拡大を進めており、世界中で14の8インチSiC工場が計画されています。技術ロードマップは統合ソリューションに重点を置いており、インフィニオンのCoolGaN G5はショットキーダイオードを統合し、ロームのHSDIP20モジュールは車載充電器の電力密度を3倍に高めています。オンセミはQorvoのSiC JFET事業を1.15億米ドルで買収し、AIサーバーや電気自動車における市場機会を拡大しています。知的財産紛争も激化しており、サプライチェーンの現地化も進んでいます。例えば、トヨタはデンソーとロームとSiCスタックで提携し、アップルは地政学的リスクをヘッジするため、ESDダイオードアレイをTIとNexperiaから二重調達しています。
最近の業界動向
* 2025年5月: インフィニオンは、宇宙システム向けにDLA-JANS認定を受けた初の放射線耐性100V、52A GaNトランジスタを発表しました。
* 2025年5月: インフィニオンは、トレンチベースのSiCスーパージャンクション技術を発表し、CoolSiCラインを2027年の量産に向けて拡張しています。
* 2025年4月: ロームは、EV車載充電器向けに電力密度を3倍に向上させる高電力密度SiCモジュール（HSDIP20パッケージ）をリリースしました。
* 2025年1月: オンセミは、QorvoのSiC JFET事業を1.15億米ドルで買収完了し、AIサーバーや電気自動車における市場機会を拡大しました。
このレポートは、世界のダイオード市場に関する詳細な分析を提供しています。ダイオードは、電流の一方向制御、交流（AC）から直流（DC）への変換、そして有害な逆電流からのデバイス保護といった、電子機器において極めて重要な役割を果たす部品です。市場は、世界中の様々な最終用途産業における多様なアプリケーション向けに提供されるダイオードの販売から生じる収益に基づいて定義されています。
エグゼクティブサマリーによると、ダイオード市場は2025年に181.6億米ドルの規模に達し、2030年までの年間平均成長率（CAGR）は6.24%と予測されています。製品タイプ別に見ると、レーザーダイオードが市場で最も高い収益を上げており、市場シェアの36.1%を占め、8.6%という最速の成長軌道を示しています。最終用途産業では、電気自動車（EV）のインバーターや800V充電器におけるSiC（炭化ケイ素）およびGaN（窒化ガリウム）パワーダイオードの採用が加速していることから、自動車エレクトロニクス分野が6.8%のCAGRで高い成長を遂げるセグメントとなっています。地域別では、アジア太平洋地域が世界の収益の58.86%を占めており、中国、日本、韓国に製造能力が集中していることがその主な要因です。
市場の推進要因としては、以下の点が挙げられます。
* 家電エコシステムのデジタル化の進展。
* EV生産と車載充電器の加速。
* 5Gの展開によるRFおよびマイクロ波ダイオードの需要増加。
* データセンターの効率化義務化によるパワーダイオードの需要拡大。
* GaN-on-Si高電圧ダイオードに対する規制上の追い風。
* E-waste（電子廃棄物）リサイクル法による交換率の増加。
一方、市場の阻害要因としては、以下の課題が指摘されています。
* シリコン（Si）、ガリウムヒ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）といった原材料価格の変動。
* 高電流パッケージにおける熱的制約。
* ワイドバンドギャップ（WBG）半導体プロセスにおける特許の混雑。
* 地域的なローカライゼーション政策に起因する生産能力の不均衡。
本レポートでは、市場は以下の主要なセグメントにわたって詳細に分析されています。
* 製品タイプ別: ショットキーダイオード、ツェナーダイオード、整流ダイオード、レーザーダイオード、小信号ダイオード、静電放電（ESD）保護ダイオード、過渡電圧サプレッサー（TVS）ダイオード、RFおよびマイクロ波ダイオードなど。
* 最終用途産業別: 通信、家電、自動車、防衛・航空宇宙、コンピューターおよび周辺機器、産業、照明、その他の産業。
* 実装パッケージ別: スルーホール、表面実装（SMD）、チップスケールパッケージ、フリップチップ。
* 地域別: 北米、南米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東およびアフリカの各地域とその主要国。
競争環境の分析では、市場集中度、主要企業の戦略的動向、市場シェアが評価されており、Central Semiconductor Corp.、Diodes Incorporated、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corp.、ROHM Co. Ltd.、Toshiba Electronic Devices and Storage Corp.、STMicroelectronics NVなど、多数の主要企業のプロファイルが含まれています。これらのプロファイルには、グローバルおよび市場レベルの概要、主要セグメント、財務情報、戦略的情報、市場ランク、製品とサービス、最近の動向などが網羅されています。
最後に、レポートは市場の機会と将来の展望についても言及しており、未開拓の分野や満たされていないニーズの評価を通じて、今後の成長可能性を探っています。
1. はじめに
- 1.1 調査の前提条件と市場の定義
- 1.2 調査範囲
2. 調査方法
3. エグゼクティブサマリー
4. 市場概況
- 4.1 市場概要
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4.2 市場の推進要因
- 4.2.1 家電エコシステムのデジタル化
- 4.2.2 EV生産と車載充電器の加速
- 4.2.3 5G展開によるRFおよびマイクロ波ダイオードの需要促進
- 4.2.4 データセンターの効率化義務によるパワーダイオードの需要増加
- 4.2.5 GaN-on-Si高電圧ダイオードに対する規制上の追い風
- 4.2.6 電子廃棄物リサイクル法による交換率の増加
-
4.3 市場の阻害要因
- 4.3.1 原材料価格の変動（Si、GaAs、GaN）
- 4.3.2 大電流パッケージにおける熱的制約
- 4.3.3 WBG半導体プロセスにおける特許の混雑
- 4.3.4 ローカライゼーション政策による地域的な生産能力の不均衡
- 4.4 サプライチェーン分析
- 4.5 規制環境
- 4.6 技術的展望
- 4.7 マクロ経済要因が市場に与える影響
-
4.8 ポーターの5つの力分析
- 4.8.1 供給者の交渉力
- 4.8.2 買い手の交渉力
- 4.8.3 新規参入の脅威
- 4.8.4 代替品の脅威
- 4.8.5 競争の激しさ
5. 市場規模と成長予測（金額）
-
5.1 製品タイプ別
- 5.1.1 ショットキーダイオード
- 5.1.2 ツェナーダイオード
- 5.1.3 整流ダイオード
- 5.1.4 レーザーダイオード
- 5.1.5 小信号ダイオード
- 5.1.6 静電放電保護ダイオード
- 5.1.7 過渡電圧サプレッサーダイオード
- 5.1.8 RFおよびマイクロ波ダイオード
-
5.2 エンドユーザー産業別
- 5.2.1 通信
- 5.2.2 家庭用電化製品
- 5.2.3 自動車
- 5.2.4 防衛および航空宇宙
- 5.2.5 コンピュータおよび周辺機器
- 5.2.6 産業
- 5.2.7 照明
- 5.2.8 その他のエンドユーザー産業
-
5.3 実装 – パッケージ別
- 5.3.1 スルーホール
- 5.3.2 表面実装 (SMD)
- 5.3.3 チップスケールパッケージ
- 5.3.4 フリップチップ
-
5.4 地域別
- 5.4.1 北米
- 5.4.1.1 米国
- 5.4.1.2 カナダ
- 5.4.1.3 メキシコ
- 5.4.2 南米
- 5.4.2.1 ブラジル
- 5.4.2.2 アルゼンチン
- 5.4.2.3 その他の南米諸国
- 5.4.3 ヨーロッパ
- 5.4.3.1 ドイツ
- 5.4.3.2 イギリス
- 5.4.3.3 フランス
- 5.4.3.4 ロシア
- 5.4.3.5 その他のヨーロッパ諸国
- 5.4.4 アジア太平洋
- 5.4.4.1 中国
- 5.4.4.2 日本
- 5.4.4.3 インド
- 5.4.4.4 韓国
- 5.4.4.5 東南アジア
- 5.4.4.6 その他のアジア太平洋諸国
- 5.4.5 中東およびアフリカ
- 5.4.5.1 中東
- 5.4.5.1.1 サウジアラビア
- 5.4.5.1.2 アラブ首長国連邦
- 5.4.5.1.3 その他の中東諸国
- 5.4.5.2 アフリカ
- 5.4.5.2.1 南アフリカ
- 5.4.5.2.2 エジプト
- 5.4.5.2.3 その他のアフリカ諸国
6. 競争環境
- 6.1 市場集中度
- 6.2 戦略的動向
- 6.3 市場シェア分析
-
6.4 企業プロファイル（グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、主要セグメント、利用可能な財務情報、戦略情報、主要企業の市場ランク・シェア、製品とサービス、および最近の動向を含む）
- 6.4.1 Central Semiconductor Corp.
- 6.4.2 Diodes Incorporated
- 6.4.3 MinebeaMitsumi Power Semiconductor Device Inc.
- 6.4.4 Infineon Technologies AG
- 6.4.5 Littelfuse Inc.
- 6.4.6 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
- 6.4.7 Nexperia BV
- 6.4.8 onsemi
- 6.4.9 Renesas Electronics Corp.
- 6.4.10 ROHM Co. Ltd.
- 6.4.11 Micross Components Inc.
- 6.4.12 Vishay Intertechnology Inc.
- 6.4.13 Toshiba Electronic Devices and Storage Corp.
- 6.4.14 Mitsubishi Electric Corp.
- 6.4.15 Microchip Technology Inc.
- 6.4.16 Semikron Danfoss
- 6.4.17 Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd.
- 6.4.18 STMicroelectronics NV
- 6.4.19 Panasonic Holdings Corp.
- 6.4.20 Texas Instruments Inc.
- 6.4.21 Kyocera AVX Components Corp.
- 6.4.22 Skyworks Solutions Inc.
- 6.4.23 Cree – Wolfspeed Inc.
- 6.4.24 Alpha and Omega Semiconductor Ltd.
- 6.4.25 GlobalFoundries Inc.
7. 市場機会と将来展望
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ダイオードは、半導体素子の一種であり、電流を一方向にのみ流すという特性を持つ電子部品です。この「整流作用」と呼ばれる特性は、主にP型半導体とN型半導体を接合したPN接合によって実現されます。P型半導体は正孔（ホール）を多数キャリアとし、N型半導体は電子を多数キャリアとしますが、これらが接合されると、接合面にはキャリアがほとんど存在しない空乏層が形成されます。この空乏層が、ダイオードの整流特性の鍵となります。ダイオードに順方向の電圧（P型側にプラス、N型側にマイナス）を印加すると、空乏層が狭まり、電流が流れやすくなります。一方、逆方向の電圧（P型側にマイナス、N型側にプラス）を印加すると、空乏層が広がり、電流はほとんど流れません。ただし、実際のダイオードでは、順方向にはわずかな電圧降下（シリコンダイオードで約0.6V～0.7V）が生じ、逆方向にはごくわずかな漏れ電流が流れます。また、逆方向電圧がある一定の値を超えると、急激に電流が流れる「降伏現象」が発生し、素子が破壊される可能性がありますが、この現象を意図的に利用するダイオードも存在します。
ダイオードにはその用途や特性に応じて多種多様な種類が存在します。最も基本的なものは「整流ダイオード」で、交流電流を直流電流に変換する際に広く用いられます。電源回路のブリッジ整流器などがその代表例です。「ショットキーバリアダイオード（SBD）」は、金属と半導体の接合を利用しており、順方向電圧降下が低く、高速なスイッチングが可能なため、高周波回路やスイッチング電源などで重宝されます。「ツェナーダイオード」は、逆方向降伏電圧が安定している特性を利用し、定電圧回路や過電圧保護回路に用いられます。特定の電圧で安定した電流を流すことで、回路の電圧を一定に保つ役割を果たします。「発光ダイオード（LED）」は、電流を流すと光を発するダイオードで、照明、ディスプレイ、表示灯など、幅広い分野で利用されています。近年では高効率化が進み、一般照明の主流となりつつあります。「フォトダイオード」は、光を受けると電流を発生させるダイオードで、光センサーや光通信の受光素子として用いられます。「可変容量ダイオード（バリキャップダイオード）」は、逆方向電圧によってPN接合の空乏層容量が変化する特性を利用し、電圧制御発振器（VCO）やPLL回路の周波数制御に利用されます。「レーザーダイオード（LD）」は、コヒーレントな光（レーザー光）を発生させるダイオードで、光通信、光ディスク（CD/DVD/Blu-ray）、バーコードリーダー、LiDARなどに不可欠な部品です。その他にも、高周波スイッチや減衰器に用いられる「PINダイオード」、特定の電流を一定に保つ「定電流ダイオード」など、専門的な用途に特化したダイオードが数多く存在します。
ダイオードの用途は非常に広範です。最も基本的な用途は、前述の通り電源回路における「整流」です。交流電源から直流電源を得るために不可欠であり、家電製品から産業機器まであらゆる電子機器に組み込まれています。また、回路の「保護」にも重要な役割を果たします。例えば、逆接続防止や、誘導性負荷からの逆起電力（サージ電圧）を吸収するフライホイールダイオードとして、素子の破損を防ぎます。信号処理においては、高速スイッチングダイオードがデジタル信号のON/OFF切り替えに利用されたり、変調・復調回路の一部として機能したりします。LEDは、照明器具、テレビやスマートフォンのバックライト、自動車のヘッドライトやテールランプ、各種表示器など、私たちの日常生活のあらゆる場面で光を提供しています。フォトダイオードは、光センサーとして自動ドアの開閉、煙感知器、リモコンの受光部、医療機器の生体センサーなどに利用されています。通信分野では、レーザーダイオードが光ファイバー通信の光源として、またフォトダイオードが受光素子として、高速大容量通信を支えています。
ダイオードは単体で機能するだけでなく、他の多くの関連技術と密接に関わっています。半導体製造技術の進化は、ダイオードの性能向上に直結しています。特に、シリコン（Si）だけでなく、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といったワイドバンドギャップ半導体の登場は、高温、高周波、高耐圧環境でのダイオードの性能を飛躍的に向上させました。これらの新材料は、パワーエレクトロニクス分野において、より高効率で小型な電力変換器の実現に貢献しています。また、ダイオードは集積回路（IC）の内部にも多数組み込まれており、ICの保護回路や論理回路の一部として機能しています。抵抗やコンデンサといった受動部品、そしてトランジスタのような能動部品と組み合わされることで、複雑な電子回路が構成されます。トランジスタもPN接合を基本とする半導体素子であり、ダイオードの原理を理解することは、トランジスタをはじめとする他の半導体素子の理解にも繋がります。
ダイオード市場は、電子機器の普及とともに常に成長を続けている巨大な市場です。ローム、東芝、ルネサスエレクトロニクス、オン・セミコンダクター、インフィニオン・テクノロジーズといった大手半導体メーカーが主要なプレイヤーとして市場を牽引しています。現在の市場トレンドとしては、まず「高効率化」が挙げられます。省エネルギーへの要求が高まる中、順方向電圧降下の低いショットキーバリアダイオードや、SiC/GaNダイオードへの需要が増加しています。次に「小型化・薄型化」です。スマートフォンやウェアラブルデバイスなど、小型化が進む電子機器に対応するため、より小さなパッケージのダイオードが求められています。さらに「高耐圧・大電流化」も重要なトレンドです。電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）、産業機器、太陽光発電などの再生可能エネルギーシステムでは、高電圧・大電流を扱うため、高い信頼性と性能を持つパワーダイオードが不可欠です。特にSiCやGaNを用いたパワーダイオードは、これらの分野での採用が急速に進んでいます。また、LED市場は、一般照明のLED化、自動車のLED化、ディスプレイの進化などにより、今後も拡大が続くと見込まれています。
将来の展望として、ダイオードは引き続き電子技術の進化を支える基盤部品であり続けるでしょう。特にSiCやGaNといった次世代半導体材料を用いたダイオードの普及は、今後さらに加速すると予想されます。これにより、EVの航続距離延長、データセンターの電力効率向上、5G基地局の小型化・高効率化など、社会インフラの様々な側面で大きな変革をもたらすでしょう。IoTデバイスの爆発的な増加に伴い、小型で低消費電力のダイオードの需要も一層高まります。センサーとしてのフォトダイオードは、AIや機械学習と連携し、より高度な環境認識やデータ収集に貢献する可能性があります。光技術の進化もダイオードの未来を形作ります。光通信のさらなる高速化・大容量化には、より高性能なレーザーダイオードとフォトダイオードが不可欠です。また、自動運転技術の要となるLiDARシステムにおいても、レーザーダイオードの進化が期待されています。環境・エネルギー分野では、再生可能エネルギーの効率的な利用や、スマートグリッドの構築において、高効率なパワーダイオードが重要な役割を担います。さらに、新たな材料や構造の研究開発が進むことで、これまでになかった機能を持つダイオードや、既存のダイオードをはるかに凌駕する性能を持つダイオードが登場する可能性も秘めており、その進化はとどまることを知りません。