産業用半導体市場：市場規模・シェア分析－成長動向と予測（2025年～2030年）

産業用半導体市場の概要

産業用半導体市場は、2025年には985.5億米ドル、2030年には1,372.6億米ドルに達すると予測されており、予測期間中の年平均成長率（CAGR）は6.85%を記録する見込みです。工場自動化への投資拡大、オンデバイスAI推論の急速な普及、生産能力の現地化を促す政府のインセンティブが、あらゆる地域で高性能ロジック、パワー、センシングデバイスの需要を押し上げています。

2020年以降、自動生産ラインあたりの半導体搭載量は40%増加しており、これは予知保全、リアルタイム最適化、工場エッジでの10ミリ秒未満の低遅延を要求する分散型インテリジェンスアーキテクチャへの移行を反映しています。現在、産業用半導体市場は、エネルギー効率を向上させるSiCやGaNといったワイドバンドギャップ材料、およびヘテロジニアス統合を合理化する新しいチップレットアーキテクチャに成長機会を見出しています。CHIPSおよび科学法による527億米ドルのプログラムや、アジア太平洋地域での数十億ドル規模の生産能力拡大に代表される地政学的な監視の強化は、単一障害点のリスクを低減しつつ、冗長性コストを増加させる二極化されたサプライチェーンを支えています。

主要なレポートのポイント

* デバイスタイプ別: 2024年には集積回路が産業用半導体市場シェアの55.21%を占め、2030年までにセンサーおよびMEMSが9.67%のCAGRで最も成長すると予測されています。
* ビジネスモデル別: 2024年にはIDM（垂直統合型デバイスメーカー）セグメントが産業用半導体市場規模の54.00%を維持しましたが、設計専門/ファブレスベンダーは2030年までに10.21%のCAGRで成長すると予測されています。
* エンドユーザー産業別: 2024年には工場自動化およびロボットが産業用半導体市場規模の32.00%を占め、産業用IoTデバイスが2030年までに8.94%のCAGRで最も急速に成長するエンドユースグループとなっています。

世界の産業用半導体市場のトレンドと洞察

市場の推進要因

* 産業用自動化およびロボットの需要増加（CAGRへの影響: +1.20%）:
* 協働ロボットは、従来の多関節ユニットと比較して3〜5倍のセンサーと演算要素を搭載しており、モーションコントロール、安全性、ビジョンサブシステムにおける半導体の部品表（BOM）価値を高めています。
* SamsungのAI対応生産ラインは、毎日10テラバイト以上の視覚データを処理する欠陥検出システムを導入後、ウェーハ歩留まりを30%向上させました。
* KUKAの現在のロボットモデルは、2020年の23個に対し、47個のディスクリート半導体コンポーネントを統合しており、人間と機械の協働における機能要件の拡大を示しています。
* 倉庫で普及している自律移動ロボットは、LiDARプロセッサとMEMSジャイロスコープを搭載し、少なくとも5年間は校正を維持する必要があります。
* Lam ResearchのDextroシステムは、エッジベースのAIチップがリアルタイム最適化を処理することで、ウェーハ処理時間を12%短縮しました。
* Industry 4.0主導のセンサー導入の増加（CAGRへの影響: +1.10%）:
* EUの規制により、500kWを超える産業資産に対する予知保全が義務付けられており、継続的な状態監視を可能にする低電力センサーICの需要が加速しています。
* LoRaWANおよび5Gを使用するバッテリー駆動のワイヤレスノードは、超低リークマイクロコントローラにより10年間のサービス寿命を達成し、設置コストを削減しています。
* TDKのedgeRX Visionプラットフォームは、12種類のセンサーとオンチップAIを統合し、プラントの帯域幅要件を85%削減しつつ、応答遅延を1ミリ秒未満に抑えています。
* Microsoftの研究者は、セルラーAIエッジ処理がミリ秒未満の反応時間を提供できることを検証し、ミッションクリティカルなループにおけるクラウドバックホールの必要性を排除しました。
* タイムセンシティブネットワーキングと産業用イーサネットの融合は、ナノ秒精度でデータを同期するセンサーフュージョン半導体の需要を高めています。
* エネルギー効率の高いパワーデバイスに対する政府のインセンティブ（CAGRへの影響: +0.90%）:
* 米国商務省は、TSMCアリゾナにAIおよび車載ロジックチップの生産拡大のため、最大66億米ドルを授与しました。
* Analog Devicesは、成熟ノードのアナログ電源管理出力増強のため12億米ドルを獲得しました。
* 2030年までに炭素排出量を55%削減することを義務付ける欧州グリーンディール政策は、産業用OEMに対し、シリコンの92-95%に対し98%の効率を持つSiCおよびGaNデバイスの採用を促しています。
* Coherentは、SiCウェーハ生産を拡大するため4,930万米ドルを獲得し、原材料の制約を緩和しました。
* 日本の130億米ドルの経済安全保障プログラムは、再生可能エネルギーおよび工場自動化に用いられるパワー半導体の国内生産を支援しています。
* 過酷な環境におけるSiCおよびGaNパワーICの採用急増（CAGRへの影響: +1.30%）:
* SiCモジュールは-40°Cから+200°Cの範囲で性能を維持し、産業用モータードライブで15-20%のエネルギー節約と冷却オーバーヘッドの半減を実現します。
* Infineonは、重電化からの需要を満たすため、2030年までにSiC生産能力に50億米ドルを投じる計画です。
* 航空宇宙分野におけるGaNの認定は、軍用グレードの部品がすでに厳しい耐久性要件を満たしているため、産業用途での採用を加速させています。
* Wolfspeedの65億米ドルのノースカロライナ州施設は、3〜5倍高い電力密度がフォームファクタと設置コストを削減するアプリケーションをターゲットにしています。
* ON SemiconductorによるQorvoのSiC JFETラインの1億1,500万米ドルでの買収は、サイトあたり数百万ドルのエネルギーコストを削減するデータセンター電源をサポートします。

市場の抑制要因

* サプライチェーンの脆弱性とチップ不足（CAGRへの影響: -0.70%）:
* 世界的に影響があり、特にアジア太平洋地域の製造業で深刻な影響が見られます。短期的（2年以内）な影響が予測されます。
* 先進ノードへの高額な設備投資:
* この点に関する詳細な記述は提供されていません。

セグメント分析

* デバイスタイプ別: 集積回路がリーダーシップを維持し、センサーが急増
* 集積回路は2024年に産業用半導体市場シェアの55.21%を占めました。これは、かつてディスクリートロジックに分散されていた機能を集中させるシングルチップPLC、AIアクセラレータ、モーター制御MCUによって支えられています。このグループ内では、パワーマネジメントICの産業用半導体市場規模は2025年までに300億米ドルを超えました。チップレットパッケージングにより、設計者は最先端の演算タイルと成熟ノードのアナログダイを1つのモジュールに組み合わせることができ、性能とコストのバランスを取っています。SyntiantのNDP120のようなニューロモルフィックプロセッサの採用は、バッテリー駆動センサーに不可欠なミリワットエンベロープでの超低電力分析に対するエッジでの需要を示しています。
* センサーおよびMEMSは、Industry 4.0への準拠と予知保全を求める規制の推進により、2030年までに9.67%のCAGRで際立った成長を遂げています。圧力、振動、ToF（Time-of-Flight）センサーは機械に直接取り付けられ、リアルタイムの状態データをエッジゲートウェイにストリーミングします。LoRaおよび5G接続とオンセンサーAIの組み合わせにより、クラウド帯域幅を最大85%削減し、継続的なコストを節約します。
* オプトエレクトロニクスは、品質検査におけるマシンビジョンの普及から恩恵を受けており、SiC MOSFETのようなディスクリート半導体は、98%の効率を目標とする高周波ドライブ内でシェアを拡大しています。全体として、デバイスの多様化が産業用半導体市場の着実な拡大を支えています。

* ビジネスモデル別: 設計専門企業が成長の勢いを捉える
* IDM企業は、安全性が重視される分野に魅力的なウェーハ、パッケージング、ソフトウェアスタックの完全な制御により、2024年に産業用半導体市場の54.00%を占めました。しかし、ファブレスおよび設計専門企業は、200億〜300億米ドルのファブ投資を回避し、差別化されたIPに注力することで、10.21%のCAGRでより速く成長しています。FemtosenseとABOVのようなパートナーシップは、複数のベンダーからのチップレットがシームレスに統合される共同開発ワークフローを示し、製品サイクルを数年から数ヶ月に短縮しています。新しいチップレット市場は相互運用性を促進し、資産の軽いモデルの魅力を強化しています。
* 同時に、地政学的な緊張は、一部のファブレス企業に、コストが高くても国内ファブを含む複数の供給源を持つファウンドリ契約を結ぶよう促しています。IDMは、余剰生産能力を収益化するためにファウンドリ部門をスピンオフしたり、InfineonのGaN Systems買収に代表されるように、ニッチなプレーヤーを買収して急成長するワイドバンドギャップ分野に拡大したりすることで対応しています。このハイブリッド化は従来の境界線を曖昧にしますが、産業用半導体市場内でのバランスの取れた競争環境を維持しています。

* エンドユーザー産業別: 産業用IoTデバイスが採用を加速
* 工場自動化およびロボットは、2024年に産業用半導体市場規模の32.00%を占めました。これは、高精度モーター制御とAIビジョンを組み込んだ協働ロボット、サーボドライブ、ヒューマンマシンインターフェースパネルによって推進されています。
* エネルギーおよび電力インフラは、再生可能エネルギー源からの双方向フローを管理するSiCパワーモジュールをベースにしたスマートグリッドコントローラをますます組み込んでいます。
* 自動車および輸送セグメントでは、電気バスや大型トラックに産業用グレードのMCUが展開されており、車両あたりの半導体搭載量は2020年以降3倍に増加しています。
* 産業用IoTデバイスは、遅延と帯域幅効率のために分析がエッジノードに移行していることを反映し、8.94%のCAGRで最高の成長を示しています。
* ヘルスケア機器は、IEC 60601規格を満たす高信頼性ASICの需要を追加しています。
* 航空宇宙および防衛は、耐放射線部品に対してプレミアム価格を要求します。
* Bosch Dresdenの10,000センサーを備えたスマートファブのようなショーケース実装は、半導体製造自体がエッジインテリジェンスの主要なユースケースであることを証明しています。これらのアプリケーションは、産業用半導体市場の堅調な見通しを強化しています。

地域分析

* アジア太平洋地域は、2024年に産業用半導体市場シェアの34.26%を維持し、2030年までに8.45%のCAGRで最も速く成長すると予測されています。
* 中国の1,430億米ドルの生産能力増強は、成熟ノードとパワーディスクリートに重点を置いています。
* 韓国の4,710億米ドルの京畿道クラスターは、ファブ、パッケージング、研究を統合しています。
* 台湾のTSMCは技術的リーダーシップを維持し、地政学的なリスクをヘッジする二大陸戦略を強調するため、アリゾナ州の3つのファブに650億米ドルを投資しています。
* 日本のRapidusは、130億米ドルの支援を受けて2027年までに2nm生産を目指しており、地域の垂直エコシステムを強化しています。
* 北米のルネサンスは、産業用および車載用ノードを優先するCHIPSおよび科学法の527億米ドルのインセンティブから勢いを得ています。
* Intelの200億米ドルのオハイオ州ファブとGlobalFoundriesのニューヨーク州拡張は、ワイドバンドギャップデバイス向けに調整された300mmラインに焦点を当てています。
* Samsungの370億米ドルのテキサス州ポートフォリオとTexas Instrumentsの300億米ドルのシャーマンサイトは、ウェーハから組み立てまでの一貫した回廊を確立しています。
* 労働コストはアジアよりも高いものの、自動化による生産性向上がそのギャップの一部を相殺しています。
* 欧州は、欧州チップス法の下で470億米ドルを投入し、2030年までに世界の生産シェアを20%に倍増させることを目指しています。
* ドイツはSiC投資の拠点であり、Infineonはドレスデンでの拡張に50億米ドルを費やしています。
* Boschは、チップス法の資金を活用して炭化ケイ素製造を行い、欧州大陸の自動車および産業遺産を支援しています。
* 欧州は最先端ロジックに関しては依然としてアジアのファウンドリに依存していますが、パワーエレクトロニクスとエネルギー効率の高いソリューションに優れており、EUのネットゼロアジェンダと一致しています。

競争環境

産業用半導体市場における競争は激化しており、2024年には47社のベンチャー支援企業がそれぞれ1億米ドル以上を確保しました。従来のリーダー企業は、Infineonの8億3,000万米ドルのGaN買収に代表されるように、シェアを保護するためにSiCおよびGaNに多様化しています。新規参入企業は、最先端のファブを所有することなくヘテロジニアスシステムを組み立てるために、高度なパッケージングを活用しています。パワー半導体の特許出願は2024年に340%急増しており、材料および熱管理における競争が激化していることを示しています。

自動車および産業用OEMが供給を確保するために半導体資産を買収するなど、垂直統合が進んでいます。SkyWaterによるInfineonの200mmオースティンファブの買収は、基盤となるノードを制御する動きを示しています。既存のIDMは、チップレット標準を中心にエコシステムパートナーシップを形成したり、SynopsysがAnsysを買収したように、シリコンからシステムへのプラットフォームを提供するために高価値の買収を通じてポートフォリオを拡大したりすることで対応しています。設備投資の集中は依然として障壁ですが、成熟ノードでの設計革新により、市場は適度に細分化された状態を維持しています。

長期的なリーダーシップは、生のプロセスノードの優位性よりもシステムレベルの最適化にかかっています。センサー、AIアクセラレータ、パワーステージ、セキュアな接続性を1つのパッケージに統合できるベンダーが優位に立つでしょう。エッジ中心のアーキテクチャが普及するにつれて、産業用半導体市場は、コンポーネントのみのカタログよりもターンキーモジュールを提供する企業に報いることになります。

産業用半導体業界の主要企業

* Texas Instruments Incorporated
* Infineon Technologies AG
* Analog Devices, Inc.
* STMicroelectronics N.V.
* NXP Semiconductors N.V.
（*免責事項: 主要企業は順不同で記載されています*）

最近の業界動向

* 2025年4月: Infineon TechnologiesがMarvellの車載イーサネット部門を25億米ドルで買収しました。
* 2025年2月: SkyWater TechnologyがInfineonの200mmオースティンファブを買収し、約1,000人の雇用を維持しました。
* 2025年2月: 3MがUS-JOINTコンソーシアムに参加し、先進パッケージングを加速させました。
* 2025年1月: ON SemiconductorがQorvoのSiC JFET事業を1億1,500万米ドルで買収を完了しました。

本レポートは、グローバル産業用半導体市場に関する詳細な分析を提供しています。市場の定義、調査範囲、調査方法から、市場の現状、成長予測、競争環境、そして将来の展望までを網羅しています。

1. エグゼクティブサマリーと市場概況
産業用半導体市場は、2025年の985.5億米ドルから2030年には1372.6億米ドルへと成長し、年平均成長率（CAGR）6.85%を記録すると予測されています。この成長は、産業オートメーションとロボティクスの需要増加、重機・車両の電化、Industry 4.0に牽引されるセンサー導入の拡大、エネルギー効率の高い電力デバイスへの政府インセンティブ、過酷な環境でのSiC/GaNパワーICの採用急増、そして工場エッジノードにおけるオンデバイスAI推論の出現といった複数の要因によって推進されています。

2. 市場の推進要因と抑制要因
市場の主要な推進要因としては、前述の産業オートメーションとロボティクスの需要増加、重機・車両の電化、Industry 4.0によるセンサー導入の成長、エネルギー効率の高い電力デバイスに対する政府のインセンティブ、SiC/GaNパワーICの採用急増、および工場エッジノードにおけるオンデバイスAI推論の出現が挙げられます。
一方で、市場の成長を抑制する要因も存在します。具体的には、サプライチェーンの脆弱性とチップ不足、7nm未満の先進ノードにおける高額な設備投資、産業用OEMによるレガシーノードの再認定への抵抗、そしてコネクテッド産業デバイスにおけるサイバーセキュリティの責任が挙げられます。

3. 市場規模と成長予測（価値）
市場は、デバイスタイプ、ビジネスモデル、エンドユーザー産業、および地域別に詳細に分析されています。

* デバイスタイプ別:
* ディスクリート半導体: ダイオード、トランジスタ（パワートランジスタを含む）、整流器、サイリスタ、その他のディスクリートデバイスが含まれます。
* オプトエレクトロニクス: 発光ダイオード（LED）、レーザーダイオード、イメージセンサー、オプトカプラー、その他のデバイスタイプが含まれます。
* センサーおよびMEMS: 圧力、磁場、アクチュエーター、加速度およびヨーレート、温度センサーなどが含まれます。特にセンサーおよびMEMSは、Industry 4.0における予知保全の要件に牽引され、CAGR 9.67%と最も高い成長率を示すと見込まれています。
* 集積回路: アナログ、マイクロ（マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルシグナルプロセッサ）、ロジック、メモリといったICタイプに加え、3nm未満から28nmまでの技術ノード別に分析されています。

* ビジネスモデル別:
* Integrated Device Manufacturer (IDM)
* Design / Fabless Vendor

* エンドユーザー産業別:
* ファクトリーオートメーションとロボティクス
* エネルギーと電力
* 自動車と輸送
* 航空宇宙と防衛
* ヘルスケア機器
* 産業用IoTデバイス
* その他

* 地域別:
* 北米（米国、カナダ、メキシコ）
* 南米（ブラジル、アルゼンチン、その他）
* ヨーロッパ（ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシア、その他）
* アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、ASEAN-5、オーストラリアおよびニュージーランド、その他）
* 中東およびアフリカ（中東：サウジアラビア、アラブ首長国連邦、トルコ、その他。アフリカ：南アフリカ、ナイジェリア、その他）
特にアジア太平洋地域は、中国、韓国、台湾、日本における大規模な投資により、世界の収益の34.26%を占め、市場を牽引しています。

4. 競争環境
市場の集中度、戦略的動向、市場シェア分析、および主要企業のプロファイルが提供されています。主要企業には、Analog Devices, Infineon Technologies, STMicroelectronics, Texas Instruments, NXP Semiconductors, Renesas Electronics, ON Semiconductor, Microchip Technology, Rohm Co., Ltd., Vishay Intertechnology, Inc., Skyworks Solutions, Inc., Silicon Laboratories Inc., Semtech Corporation, Power Integrations, Inc., Teledyne Technologies Inc. (Teledyne e2v), Littelfuse, Inc., Maxim Integrated Products, Inc. (ADI), Melexis NV, Allegro MicroSystems, Inc., Diodes Incorporatedなどが含まれます。

5. 市場機会と将来展望
SiCおよびGaNデバイスは、15～20%の省エネ効果と最大+200°Cの耐熱性を提供するため、過酷な産業環境に理想的であり、その採用が加速しています。政府政策も市場に大きな影響を与えており、米国のCHIPSおよび科学法や欧州のChips Actのようなインセンティブは、1000億米ドル以上を新たな製造施設に投入し、地域的な供給の回復力を再構築しています。
しかし、スプルースパイン石英のような単一供給源への依存や、台湾における10nm未満の生産集中は、サプライチェーンの脆弱性として継続的なリスクを抱えています。本レポートでは、これらのホワイトスペースと未充足ニーズの評価も行っています。

このレポートは、産業用半導体市場の包括的な理解を提供し、戦略的な意思決定に役立つ情報を提供することを目指しています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提条件と市場定義

• 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要

• 4.2 市場の推進要因
  • 4.2.1 産業オートメーションとロボット工学の需要増加

  • 4.2.2 頑丈な機器と車両の電化

  • 4.2.3 インダストリー4.0主導のセンサー導入の成長

  • 4.2.4 エネルギー効率の高いパワーデバイスに対する政府のインセンティブ

  • 4.2.5 過酷な環境におけるSiC/GaNパワーICの採用急増

  • 4.2.6 工場エッジノードにおけるオンデバイスAI推論の出現

• 4.3 市場の阻害要因
  • 4.3.1 サプライチェーンの脆弱性とチップ不足

  • 4.3.2 先端ノード（7nm未満）への高額な設備投資

  • 4.3.3 産業用OEMによるレガシーノードの再認定への抵抗

  • 4.3.4 接続された産業機器に対するサイバーセキュリティの責任

• 4.4 産業サプライチェーン分析

• 4.5 規制環境

• 4.6 技術的展望

• 4.7 ポーターの5つの力分析
  • 4.7.1 新規参入者の脅威

  • 4.7.2 供給者の交渉力

  • 4.7.3 買い手の交渉力

  • 4.7.4 代替品の脅威

  • 4.7.5 競争上の対抗関係

5. 市場規模と成長予測（金額）

• 5.1 デバイスタイプ別（デバイスタイプの出荷量は補完的）
  • 5.1.1 ディスクリート半導体

  • 5.1.1.1 ダイオード

  • 5.1.1.2 トランジスタ

  • 5.1.1.3 パワートランジスタ

  • 5.1.1.4 整流器およびサイリスタ

  • 5.1.1.5 その他のディスクリートデバイス

  • 5.1.2 オプトエレクトロニクス

  • 5.1.2.1 発光ダイオード（LED）

  • 5.1.2.2 レーザーダイオード

  • 5.1.2.3 イメージセンサー

  • 5.1.2.4 オプトカプラ

  • 5.1.2.5 その他のデバイスタイプ

  • 5.1.3 センサーおよびMEMS

  • 5.1.3.1 圧力

  • 5.1.3.2 磁場

  • 5.1.3.3 アクチュエータ

  • 5.1.3.4 加速度およびヨーレート

  • 5.1.3.5 温度およびその他

  • 5.1.4 集積回路

  • 5.1.4.1 集積回路タイプ別

  • 5.1.4.1.1 アナログ

  • 5.1.4.1.2 マイクロ

  • 5.1.4.1.2.1 マイクロプロセッサ（MPU）

  • 5.1.4.1.2.2 マイクロコントローラ（MCU）

  • 5.1.4.1.2.3 デジタル信号プロセッサ

  • 5.1.4.1.3 ロジック

  • 5.1.4.1.4 メモリ

  • 5.1.4.2 テクノロジーノード別（出荷量適用外）

  • 5.1.4.2.1 3nm未満

  • 5.1.4.2.2 3nm

  • 5.1.4.2.3 5nm

  • 5.1.4.2.4 7nm

  • 5.1.4.2.5 16nm

  • 5.1.4.2.6 28nm

  • 5.1.4.2.7 28nm

• 5.2 ビジネスモデル別
  • 5.2.1 垂直統合型デバイスメーカー（IDM）

  • 5.2.2 設計/ファブレスベンダー

• 5.3 エンドユーザー産業別
  • 5.3.1 ファクトリーオートメーションおよびロボティクス

  • 5.3.2 エネルギーおよび電力

  • 5.3.3 自動車および輸送

  • 5.3.4 航空宇宙および防衛

  • 5.3.5 ヘルスケア機器

  • 5.3.6 産業用IoTデバイス

  • 5.3.7 その他

• 5.4 地域別
  • 5.4.1 北米

  • 5.4.1.1 米国

  • 5.4.1.2 カナダ

  • 5.4.1.3 メキシコ

  • 5.4.2 南米

  • 5.4.2.1 ブラジル

  • 5.4.2.2 アルゼンチン

  • 5.4.2.3 その他の南米諸国

  • 5.4.3 ヨーロッパ

  • 5.4.3.1 ドイツ

  • 5.4.3.2 フランス

  • 5.4.3.3 イギリス

  • 5.4.3.4 イタリア

  • 5.4.3.5 スペイン

  • 5.4.3.6 ロシア

  • 5.4.3.7 その他のヨーロッパ諸国

  • 5.4.4 アジア太平洋

  • 5.4.4.1 中国

  • 5.4.4.2 日本

  • 5.4.4.3 韓国

  • 5.4.4.4 インド

  • 5.4.4.5 ASEAN-5

  • 5.4.4.6 オーストラリアおよびニュージーランド

  • 5.4.4.7 その他のアジア太平洋諸国

  • 5.4.5 中東およびアフリカ

  • 5.4.5.1 中東

  • 5.4.5.1.1 サウジアラビア

  • 5.4.5.1.2 アラブ首長国連邦

  • 5.4.5.1.3 トルコ

  • 5.4.5.1.4 その他の中東諸国

  • 5.4.5.2 アフリカ

  • 5.4.5.2.1 南アフリカ

  • 5.4.5.2.2 ナイジェリア

  • 5.4.5.2.3 その他のアフリカ諸国

6. 競合情勢

• 6.1 市場集中度

• 6.2 戦略的動き

• 6.3 市場シェア分析

• 6.4 企業プロファイル（グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、コアセグメント、利用可能な財務情報、戦略情報、主要企業の市場ランク/シェア、製品とサービス、および最近の動向を含む）
  • 6.4.1 アナログ・デバイセズ株式会社

  • 6.4.2 インフィニオン・テクノロジーズAG

  • 6.4.3 STマイクロエレクトロニクスN.V.

  • 6.4.4 テキサス・インスツルメンツ

  • 6.4.5 NXPセミコンダクターズN.V.

  • 6.4.6 ルネサスエレクトロニクス株式会社

  • 6.4.7 オン・セミコンダクター・コーポレーション

  • 6.4.8 マイクロチップ・テクノロジー株式会社

  • 6.4.9 ローム株式会社

  • 6.4.10 ヴィシェイ・インターテクノロジー株式会社

  • 6.4.11 スカイワークス・ソリューションズ株式会社

  • 6.4.12 シリコン・ラボラトリーズ株式会社

  • 6.4.13 セムテック・コーポレーション

  • 6.4.14 パワー・インテグレーションズ株式会社

  • 6.4.15 テレダイン・テクノロジーズ株式会社 (テレダイン e2v)

  • 6.4.16 リテルヒューズ株式会社

  • 6.4.17 マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ株式会社 (ADI)

  • 6.4.18 メレクシスNV

  • 6.4.19 アレグロ・マイクロシステムズ株式会社

  • 6.4.20 ダイオード・インコーポレーテッド

7. 市場機会と将来展望