集積回路市場規模・シェア分析 – 成長動向と将来予測 (2025年～2030年)

集積回路市場：成長トレンドと予測（2025年～2030年）

はじめに

集積回路（IC）市場は、2025年から2030年にかけて年平均成長率（CAGR）6.72%で成長し、2025年の6,048.6億米ドルから2030年には8,372.7億米ドルに達すると予測されています。この成長は、従来の家電製品からAI最適化コンピューティング、電動車両、先進ノードパッケージングへの転換によって牽引されています。特に、高帯域幅メモリ（HBM）やAI GPUの需要が最先端ファウンドリの生産能力を逼迫させており、CHIPS法などの政府インセンティブが世界の投資地図を塗り替えています。自動車の電動化は車両あたりの半導体搭載量を倍増させ、パワーデバイスの革新を促しています。また、米国や欧州における国家主権プログラムは国内のファブ（半導体製造工場）のフットプリントを拡大しており、輸出規制が装置の流れを再形成し、地域的な多様化を促す中で、サプライチェーンのレジリエンスが競争上の差別化要因となっています。

市場は、デバイスタイプ（アナログ、マイクロ、ロジック、メモリ）、製品タイプ（汎用IC、特定用途向けIC）、テクノロジーノード（65nm以上、45-28nm、その他）、ウェハーサイズ（150mm、200mm、300mm、450mm）、パッケージング技術（2D SoC、2.5D IC、その他）、最終用途産業（家電、自動車、通信、産業オートメーション、その他）、および地域によってセグメント化されています。アジア太平洋地域が最大の市場であり、最も急速に成長する市場でもあります。

主要な市場トレンドと推進要因

1. AI最適化データセンタープロセッサの展開加速:
ハイパースケーラーによるAIシステム需要の拡大は、高性能GPU、カスタムアクセラレータ、HBMスタックへのシフトを促しています。NVIDIAのBlackwell世代GPUやAMDのInstinct MI300は演算密度を向上させ、TSVベースのメモリ帯域幅要件を押し上げています。台湾や韓国のファウンドリではCoWoSやFOWLPのリードタイムが長期化し、生産能力の増強や新たな基板パートナーシップが生まれています。AmazonやMicrosoftなどのクラウドプロバイダーは、推論あたりの消費電力を削減するためにカスタムシリコンの開発を進め、特定用途向け設計への移行を加速させています。北米でのファブ拡張と優遇税制は、新しいAI部品の市場投入までの期間を短縮し、2026年まで堅調な受注を維持しています。

2. 自動車の電動化とADASロードマップ:
バッテリー電気自動車（BEV）とレベル2以上の先進運転支援システム（ADAS）の普及は、パワー、センシング、コンピューティング分野における半導体需要を押し上げています。車両あたりの半導体部品の平均価値は、2025年には900米ドルを超え、2030年には1,200米ドルに達すると予測されています。ゾーンアーキテクチャへの移行は、高密度メモリと高速SerDesを必要とする集中型ドメインコントローラの採用を促進しています。Infineon、NXP、STMicroelectronicsは、次世代の電動パワートレイン向けにSiC MOSFETや28nm車載MCUへの投資を深めています。OEMがセキュアでOTA（Over-The-Air）アップデート可能なコントローラを好む傾向にあるため、機能安全認証と長寿命プロセスノードがサプライヤーにとって戦略的な必須要件となっています。

3. CHIPS法などの国家主権プログラム:
政府の助成金と投資税額控除は、アリゾナ州、オハイオ州、アイダホ州、ザクセン州におけるグリーンフィールドファブの建設を加速させています。TSMCはアリゾナ州の3つの拠点で合計650億米ドル以上を投じ、2nmおよび3nmウェハーを現地で供給する計画です。Micronはアイダホ州とニューヨーク州で先進DRAMおよびNAND容量に500億米ドルを割り当て、2035年までに最先端メモリの米国シェア10%を目指しています。欧州では、onsemiがチェコ共和国に20億米ドルの垂直統合型SiC工場を建設し、地域の電動化目標を支援しています。これらのプログラムは、地政学的リスクの軽減、サプライチェーンの短縮、そして今後10年間で熟練した半導体労働力の育成を目指しています。

4. 5G/6GベースバンドおよびRFフロントエンドの複雑化:
5G-Advancedおよび初期の6Gプロトタイプへの移行は、携帯電話メーカーやネットワークOEMに、より多くのフィルター、チューナー、パワーアンプの統合を促しています。Qualcommは、統合された接続プラットフォームを活用し、RFフロントエンドポートフォリオを自動車および産業分野に拡大しています。台湾、インド、韓国のデザインハウスは、Massive MIMO無線要件を満たすためにGaAsおよびGaNパワーアンプの生産量を増やしています。欧州および北米での固定無線アクセス（FWA）展開は、アジアのファブレスサプライヤーからのASICベースバンドソリューションの需要を押し上げています。Wi-Fi 7クライアントチップセットはパイロット生産に入り、中国本土のファウンドリで28nmミックスドシグナルウェハーの追加注文を生み出しています。

5. 産業用IoTレトロフィットの成長:
産業用IoT（IIoT）のレトロフィットの増加は、欧州における高信頼性アナログICの消費を促進しています。予測保全やマシンビジョンにはエッジAI推論シリコンが必要であり、低遅延とバッテリー効率を求めるスマートセンサーにはニューラルネットワークアクセラレータを組み込んだエッジAIマイクロコントローラが採用されています。これらのデバイスは、より景気循環的な性質を持つものの、スマートフォンやPCの景気後退期においても集積回路市場全体のレジリエンスを提供します。

6. チップレットと先進パッケージングアーキテクチャの採用拡大:
チップレットや先進パッケージングアーキテクチャの採用拡大は、ウェハーあたりの価値を高めています。

市場の抑制要因

1. EUVリソグラフィツールのリードタイム:
ASMLのHigh-NA EUVシステムの出荷枠が限られているため、ファウンドリのロードマップが制約され、複数のファブを持つ顧客はフラッグシップノードへの割り当てを優先せざるを得なくなっています。スキャナー1台あたり3億6,000万米ドルを超える装置価格は、設備投資比率を高め、投資回収期間を長期化させています。TSMC、Samsung、Intelは、既存のEUV装置のウェハーあたりの生産量を増やすことで最適化を図っていますが、AIロジックの急増する需要には供給が追いついていません。次世代ペリクルやマスクインフラの遅延がボトルネックを悪化させ、一部のデザインハウスは暫定製品のために成熟ノードでテープアウトすることを余儀なくされています。

2. 先進ノードマスクセットコストの高騰:
60万米ドルを超える先進ノードマスクセットコストの高騰は、スタートアップ企業のテープアウトを阻害しています。

3. 米中輸出規制:
2024年12月にワシントンが外国直接製品規則を強化したことで、中国への先進エッチング、成膜、設計ソフトウェアの流れが制限され、国内の14nm以下の移行が遅れています。これに対し、中国のツールメーカーは国産化を加速させ、北京は化合物半導体生産に不可欠なガリウムおよびゲルマニウム化合物の輸出禁止措置を発動しました。中国のティア1ファブ顧客は一部の注文を地元のファウンドリに振り向けましたが、バックエンドの光学検査や高速リソグラフィのギャップは依然として残っています。中国にファブを持つ多国籍企業は、韓国やASEAN諸国へのデュアルソーシングの緊急時計画を開始し、運用上の複雑さと在庫バッファーを増加させています。

セグメント別分析

* デバイスタイプ別: 2024年にはロジックICが市場シェアの32.1%を占めましたが、メモリICはAIトレーニングクラスターにおけるHBMスタックとDDR5密度の需要増により、2030年までに12.2%のCAGRを記録すると予測されています。アナログ信号チェーンICやマイクロコントローラも、エッジおよびモーター制御タスクで不可欠な役割を果たしています。
* 製品タイプ別: 2024年には汎用ICが売上高の60.3%を占めましたが、ハイパースケーラーがワークロード固有の効率を追求する中で、特定用途向けIC（ASIC）は2030年までに8.7%のCAGRで拡大すると予測されています。RISC-Vエコシステムも競争を激化させています。
* テクノロジーノード別: 65nm以上のデバイスが40.2%のシェアでリードしましたが、10nm以下のクラスはAIワークロードをサポートするためのトランジスタ密度スケーリングへの持続的な需要を反映し、12.1%のCAGRで成長すると予測されています。
* ウェハーサイズ別: 2024年には300mmウェハーが72.4%のシェアで支配的でしたが、450mmウェハーは17.6%のCAGRで最も急速に成長すると予測されています。200mmファブはアナログ、パワー、MEMSデバイスにとって戦略的な重要性を維持しています。
* パッケージング技術別: 2Dシステムオンチップ（SoC）設計が68.1%のシェアを維持しましたが、3D ICアーキテクチャは14.4%のCAGRで進展しており、システムアーキテクチャを再定義しています。チップレットベースの3D ICは、ハイブリッドボンディングと裏面給電により相互接続距離を短縮し、遅延を削減しています。
* 最終用途産業別: 2024年には家電が市場規模の34.5%を占めましたが、自動車は電動パワートレインとレベル2以上の自律走行に牽引され、2030年までに10.8%のCAGRで最も急速に成長すると予測されています。産業オートメーション、政府・防衛、通信インフラも重要な最終用途市場です。

地域別分析

* アジア太平洋: 2024年には世界の売上高の63.2%を占め、台湾のファウンドリリーダーシップ、韓国のメモリ支配、中国の国内チップ需要に支えられています。2030年までの8.1%のCAGRは、積極的な設備投資、設計エコシステムの成熟、国家インセンティブによって推進されています。
* 北米: 2022年以降に発表された5,400億米ドル以上のファブ投資により、価値で第2位にランクされています。CHIPS法による直接的な資金提供により、国内のHBMおよびロジック生産能力が増強されています。
* 欧州: 欧州CHIPS法を通じて戦略的自律性を追求し、パワーデバイスおよびRFフロントエンド生産を誘致するための助成金を提供しています。onsemiのチェコ共和国におけるSiC垂直統合は、電動化バリューチェーンへの大陸の焦点を象徴しています。

競争環境

競争環境は、先進ノード、HBM供給、最先端パッケージングを支配する少数の企業に集中しています。TSMCとSamsungは2025年に唯一商業的な3nm生産能力を提供し、IntelはIntel 16およびIntel 3プロセスでファウンドリ競争に再参入しています。SK HynixとMicronはHBM3eおよび初期のHBM4需要のほとんどを獲得し、ハイパースケーラーと長期供給契約を結んでいます。NVIDIAはAI GPUで約80%の売上高シェアを維持していますが、AMDとカスタムASICベンダーが推論ワークロードで地歩を固め、サプライヤー基盤を多様化させています。

M&A活動は能力補完に集中しており、NokiaによるInfineraの買収（光学強化）、onsemiによるQorvoのSiC JFETラインの買収（高効率パワーポートフォリオ拡大）、SkyWaterによるInfineonのオースティンファブの買収（国内の信頼できるファウンドリ能力確保）などが見られます。ASMLのような装置ベンダーはEUVスキャナーでほぼ独占的な地位を維持し、不均衡な価格決定力を持っています。スタートアップ企業は、チップレット相互接続IPやリソグラフィに依存しないパターニングなどのニッチ市場を捉え、業界のヘテロジニアス統合の波に乗ろうとしています。

地政学も競争に新たな層を加えています。米国発のEDA規制は、中国企業にオープンソース設計フローの共同開発を促し、独自の西洋ツールへの依存度を低下させています。一方、中国によるガリウムおよびゲルマニウムの輸出規制は、西洋のIDMおよびOEMバイヤーにオーストラリアや欧州からのデュアルソーシングを促しています。サプライチェーンの選択肢は、リスク管理のための取締役会レベルの指標となり、長期的な調達およびパートナーシップの決定に影響を与えています。

主要企業

* Texas Instruments, Inc.
* Infineon Technologies AG
* STMicroelectronics N.V.
* NXP Semiconductors N.V.
* Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)

最近の業界動向

* 2025年2月: SkyWater TechnologyがInfineonの200mmオースティンファブを買収し、130nm-65nmノードの米国生産能力を拡大しました。
* 2025年2月: 3MがUS-JOINT半導体コンソーシアムに参加し、シリコンバレーに先進パッケージングR&Dセンターを開設しました。
* 2025年2月: Infineonが初の200mmシリコンカーバイド製品をリリースし、高電圧モビリティおよび再生可能エネルギーシステムをターゲットとしました。
* 2025年1月: onsemiがQorvoのSiC JFET事業を1億1,500万米ドルで買収し、EliteSiCポートフォリオを拡大しました。

このレポートは、グローバルな集積回路（IC）市場に関する詳細な分析を提供しています。ICは、マイクロチップ、マイクロエレクトロニック回路、またはチップとも呼ばれ、ダイオードやトランジスタといった能動素子と、抵抗器やコンデンサといった受動素子を単一の半導体材料（通常はシリコン）基板上に集積し、相互接続した電子部品の集合体です。

市場規模と成長予測に関して、グローバルIC市場は2025年に6,048.6億米ドルの収益を記録し、2030年までに8,372.7億米ドルに達すると予測されています。

市場の主要な促進要因としては、以下の点が挙げられます。
* 北米および中国におけるAI最適化データセンタープロセッサの展開加速。
* グローバルOEMによる電動化およびADAS（先進運転支援システム）ロードマップの進展に伴う、車両あたりのIC搭載量の増加。
* CHIPS法などの国家主権法案が、米国およびEUにおける数十億ドル規模のファウンドリ拡張を促進していること。
* 5G/6GベースバンドおよびRFフロントエンドの複雑化が、アジアにおけるミックスドシグナルIC需要を押し上げていること。
* 産業用IoTレトロフィットの成長が、欧州における高信頼性アナログIC消費を牽引していること。
* チップレットおよび先進パッケージングアーキテクチャの採用拡大が、ウェハーあたりの価値を高めていること。

一方、市場の抑制要因としては、以下の課題が指摘されています。
* EUVリソグラフィツールのリードタイムが18ヶ月を超えるため、7nm以下の生産能力拡大が制限されていること。
* 先進ノードのマスクセットコストが60万米ドルを超えるため、スタートアップ企業のテープアウトが抑制されていること。
* 米中間の輸出規制が、中国のファウンドリへのEDA（電子設計自動化）および装置供給を制限していること。

市場は、デバイスタイプ（アナログ、マイクロ、ロジック、メモリ）、製品タイプ（汎用IC、特定用途向けIC）、テクノロジーノード（65nm以上、45-28nm、22-14nm、10nm以下）、ウェハーサイズ（150mm、200mm、300mm、450mm）、パッケージング技術（2D SoC、2.5D IC、3D IC、SiPモジュール）、エンドユーザー産業（家電、自動車、通信、産業オートメーション、コンピューティング/データストレージ、政府、その他）、および地域（北米、欧州、アジア太平洋、南米、中東・アフリカ）といった多岐にわたるセグメントで詳細に分析されています。

特に成長が著しいデバイスカテゴリはメモリICであり、AIデータセンターにおける高帯域幅メモリの需要に牽引され、2030年までの年平均成長率（CAGR）は12.2%と予測されています。また、エンドユーザーセグメントでは、電動化とADASの進展により車両あたりのICコンテンツが増加している自動車分野が最も急速に成長しています。

地政学的な影響として、米国およびEUのCHIPS法などの主権プログラムは、5,400億米ドルを超えるファブ投資を誘発し、海外生産への依存度を低減させています。AI GPU市場ではNVIDIAが約80%の市場シェアを維持していますが、AMDやカスタムASICベンダーも推論ワークロードで存在感を増しています。

競争環境については、市場集中度、戦略的動向、市場シェア分析が行われ、TSMC、Samsung、GlobalFoundries、SMIC、Apple、Qualcomm、MediaTek、SK hynix、Micron Technology、Infineon Technologies、STMicroelectronics、Renesas Electronics、NXP Semiconductors、Texas Instrumentsなど、主要な企業プロファイルが詳細に記述されています。

このレポートは、バリューチェーン分析、規制および技術的展望、ポーターのファイブフォース分析、マクロ経済影響分析、投資分析、そして市場機会と将来の展望についても深く掘り下げています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提と市場の定義
• 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要
• 4.2 市場の推進要因
  • 4.2.1 北米および中国におけるAI最適化データセンタープロセッサの展開加速
  • 4.2.2 電動化とADASロードマップによるグローバルOEM向け車両あたりICコンテンツの増加
  • 4.2.3 CHIPS法および類似の主権法による米国およびEUでの数十億ドル規模のファウンドリ拡張の誘発
  • 4.2.4 5G/6GベースバンドおよびRFフロントエンドの複雑化によるアジアでのミックスドシグナルIC需要の増加
  • 4.2.5 産業用IoTレトロフィットの成長による欧州での高信頼性アナログIC消費の促進
  • 4.2.6 チップレットおよび高度なパッケージングアーキテクチャの採用増加によるウェハーあたりの価値向上
• 4.3 市場の阻害要因
  • 4.3.1 EUVリソグラフィツールのリードタイム（18ヶ月以上）による7nm以下の生産能力増強の制限
  • 4.3.2 高度なノードのマスクセットコストの増加（0.6百万ドル以上）によるスタートアップのテープアウトの抑制
  • 4.3.3 米中輸出規制による中国ファウンドリへのEDAおよび装置供給の制限
• 4.4 バリューチェーン分析
• 4.5 規制および技術的展望
• 4.6 ポーターの5つの力分析
  • 4.6.1 新規参入者の脅威
  • 4.6.2 供給者の交渉力
  • 4.6.3 買い手の交渉力
  • 4.6.4 代替品の脅威
  • 4.6.5 競争の激しさ
• 4.7 マクロ経済影響分析
• 4.8 投資分析

5. 市場規模と成長予測（金額および数量）

• 5.1 デバイスタイプ別
  • 5.1.1 アナログ
  • 5.1.2 マイクロ
  • 5.1.2.1 MPU
  • 5.1.2.2 MCU
  • 5.1.2.3 DSP
  • 5.1.3 ロジック
  • 5.1.4 メモリ
• 5.2 製品タイプ別
  • 5.2.1 汎用IC
  • 5.2.2 特定用途向けIC
• 5.3 テクノロジーノード別
  • 5.3.1 ≥ 65 nm
  • 5.3.2 45 – 28 nm
  • 5.3.3 22 – 14 nm
  • 5.3.4 ≤ 10 nm
• 5.4 ウェハーサイズ別
  • 5.4.1 150 mm
  • 5.4.2 200 mm
  • 5.4.3 300 mm
  • 5.4.4 450 mm
• 5.5 パッケージング技術別（金額のみ）
  • 5.5.1 2D システムオンチップ (SoC)
  • 5.5.2 2.5D IC
  • 5.5.3 3D IC
  • 5.5.4 システムインパッケージ (SiP) モジュール
• 5.6 エンドユーザー産業別
  • 5.6.1 家庭用電化製品
  • 5.6.2 自動車
  • 5.6.3 通信（有線および無線）
  • 5.6.4 産業オートメーションおよび製造
  • 5.6.5 コンピューティング/データストレージ
  • 5.6.6 政府（航空宇宙および防衛）
  • 5.6.7 その他（エネルギー、スマートシティ、医療機器）
• 5.7 地域別
  • 5.7.1 北米
  • 5.7.1.1 米国
  • 5.7.1.2 カナダ
  • 5.7.1.3 メキシコ
  • 5.7.2 ヨーロッパ
  • 5.7.2.1 ドイツ
  • 5.7.2.2 フランス
  • 5.7.2.3 イギリス
  • 5.7.2.4 北欧諸国
  • 5.7.2.5 その他のヨーロッパ
  • 5.7.3 アジア太平洋
  • 5.7.3.1 中国
  • 5.7.3.2 台湾
  • 5.7.3.3 韓国
  • 5.7.3.4 日本
  • 5.7.3.5 インド
  • 5.7.3.6 その他のアジア太平洋
  • 5.7.4 南米
  • 5.7.4.1 ブラジル
  • 5.7.4.2 メキシコ
  • 5.7.4.3 アルゼンチン
  • 5.7.4.4 その他の南米
  • 5.7.5 中東およびアフリカ
  • 5.7.5.1 中東
  • 5.7.5.1.1 サウジアラビア
  • 5.7.5.1.2 アラブ首長国連邦
  • 5.7.5.1.3 トルコ
  • 5.7.5.1.4 その他の中東
  • 5.7.5.2 アフリカ
  • 5.7.5.2.1 南アフリカ
  • 5.7.5.2.2 その他のアフリカ

6. 競争環境

• 6.1 市場集中度
• 6.2 戦略的動向
• 6.3 市場シェア分析
• 6.4 企業プロファイル（グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、主要セグメント、利用可能な財務情報、戦略的情報、主要企業の市場ランキング/シェア、製品とサービス、および最近の動向を含む）
  • 6.4.1 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
  • 6.4.2 Samsung Electronics Co., Ltd. – Foundry Division
  • 6.4.3 United Microelectronics Corporation (UMC)
  • 6.4.4 GlobalFoundries Inc.
  • 6.4.5 Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC)
  • 6.4.6 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. (PSMC)
  • 6.4.7 Tower Semiconductor Ltd.
  • 6.4.8 Vanguard International Semiconductor Corporation
  • 6.4.9 Hua Hong Semiconductor Limited
  • 6.4.10 Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC)
  • 6.4.11 X-FAB Silicon Foundries SE
  • 6.4.12 DB HiTek Co., Ltd.
  • 6.4.13 WIN Semiconductors Corp.
  • 6.4.14 Apple Inc.
  • 6.4.15 Qualcomm Inc.
  • 6.4.16 MediaTek Inc.
  • 6.4.17 SK hynix Inc.
  • 6.4.18 Micron Technology, Inc.
  • 6.4.19 Wolfspeed, Inc.
  • 6.4.20 Infineon Technologies AG
  • 6.4.21 STMicroelectronics N.V.
  • 6.4.22 Renesas Electronics Corporation
  • 6.4.23 NXP Semiconductors N.V.
  • 6.4.24 Texas Instruments Incorporated

7. 市場機会と将来展望