ロジックIC（集積回路）市場規模・シェア分析 – 成長動向と予測（2025年～2030年）

ロジックIC（集積回路）市場は、2025年から2030年までの成長トレンドと予測に関する分析が提供されています。本市場は、ICタイプ（デジタルバイポーラロジック、MOSロジック）、テクノロジーノード（45nm以上、20-44nm、10-19nm、7-9nm、5nm以下）、ウェハーサイズ（150mm以下、200mm、300mm）、アプリケーション（家電、自動車、IT・通信インフラ、コンピューター/データセンター、産業・オートメーションなど）、および地域（北米、欧州、アジア太平洋、南米、中東・アフリカ）によってセグメント化されています。

市場概要
ロジックIC市場規模は、2025年に2,457.3億米ドルと評価され、2030年には2,939.6億米ドルに達すると予測されており、予測期間中の年平均成長率（CAGR）は金額ベースで3.65%、数量ベースで4.04%です。数量成長が収益成長を上回っていることは、成熟ノードにおけるデフレ傾向を示唆していますが、5nm以下のウェハー価格は過去最高を更新しています。エッジAI推論、車載ドメインコントローラー、ヘテロジニアス・チップレット・パッケージングが、超低遅延設計、信頼性向上、高度なパッケージング能力への投資を促し、ロジックIC市場を再形成しています。アジア太平洋地域への地理的集中は、最低のダイコストを提供する一方で、サプライチェーンを地政学的リスクに晒すという両刃の剣となっています。競争環境は寡占的であり、2024年には上位10社が収益の67%を占めていますが、専門的なAIアクセラレーターの新興企業の出現は、技術主導の新規参入機会を示しています。アジア太平洋地域が最も成長が速く、最大の市場であり、市場集中度は中程度です。

主要なレポートのポイント
* ICタイプ別では、MOS特殊用途ロジックが2024年にロジックIC市場シェアの32.5%を占め、2030年まで5.9%のCAGRで拡大すると予測されています。
* テクノロジーノード別では、20-44nmカテゴリーが2024年に収益シェアの37.4%を占め、5nm以下のノードは2030年まで11.4%のCAGRで成長すると予測されています。
* ウェハーサイズ別では、300mm基板が2024年にロジックIC市場規模の68.3%を占め、2030年まで6.3%のCAGRで増加する見込みです。
* アプリケーション別では、車載ロジックが8.3%のCAGRで最も速い成長が見込まれており、IT・通信インフラは2024年に最大の35.1%のシェアを維持しています。
* 地域別では、アジア太平洋地域が2024年の収益の33.2%を占め、北米は2030年まで4.5%のCAGRで最も高い地域成長率を記録すると予測されています。

世界のロジックIC市場は、人工知能、IoT、5Gなどの新興技術の普及に伴い、今後も力強い成長を続けると予測されています。特に、データセンター、自動車、産業用アプリケーションにおける需要の増加が、市場拡大の主要な推進力となるでしょう。技術革新と製造能力の向上が、この成長をさらに加速させると期待されています。

本レポートは、ロジックIC（集積回路）の世界市場に関する詳細な分析を提供しています。市場は、多様なエンドユーザーアプリケーション向けに提供されるロジックICの販売収益によって定義され、製品革新、多様化、拡大への投資、および家電、自動車、IT、通信などの産業の進歩が市場成長を決定する上で重要であるとされています。

市場規模は、2025年には2,457.3億米ドルに達し、2030年までに2,939.6億米ドルに成長すると予測されており、予測期間中の年平均成長率（CAGR）は3.65%を見込んでいます。

市場の成長を牽引する主な要因としては、以下の点が挙げられます。
* エッジAI駆動による超低遅延ロジックICの需要増加。
* 自動車のADAS（先進運転支援システム）およびドメインコントローラーにおける高信頼性ロジックの必要性。
* 米国CHIPS法や中国IC基金などの政府による先端ノードFABへのインセンティブ。
* 3D/2.5Dヘテロジニアス統合によるパッケージあたりのロジックICコンテンツの加速。
* バッテリー駆動IoTノードの急速な普及によるサブマイクロワットロジックの需要。

一方で、市場の成長を抑制する要因も存在します。
* 極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置のボトルネック。
* 5nm以下の設計におけるNRE（非繰り返しエンジニアリング）およびIPライセンスコストの高騰。
* EDA（電子設計自動化）およびプロセス装置に対する地政学的な輸出規制。
* 先端ロジック設計および検証における世界的な人材不足。

市場は、ICタイプ（デジタルバイポーラロジック、MOSロジックなど）、テクノロジーノード（45nm以上から5nm以下まで）、ウェハーサイズ（150mm以下から300mmまで）、アプリケーション（家電、自動車、IT・通信インフラ、コンピューター・データセンター、産業・自動化、医療・ヘルスケア機器など）、および地域（北米、欧州、アジア太平洋、南米、中東・アフリカ）によって詳細にセグメント化されています。

ICタイプ別では、AIアクセラレーターを主とするMOS特殊用途ロジックが2024年の収益の32.5%を占め、5.9%のCAGRで拡大しており、最大の貢献をしています。テクノロジーノード別では、5nm以下のセグメントが11.4%のCAGRで最も急速に成長しています。アプリケーション別では、自動車分野が最も速い成長を見せており、2030年までに8.3%のCAGRで成長すると予測されています。これは、ソフトウェア定義車両が最大3,000個のロジックデバイスを搭載するようになったため、自動車向けロジック需要が大幅に増加していることに起因します。

地域別では、北米がCHIPS法に裏打ちされたファブプロジェクトにより、2030年までに生産シェアを10%から22%に倍増させると予想されており、新たなロジックIC生産能力の追加において最も大きな貢献が期待されています。しかし、先端ロジックIC生産における主要な供給制約として、単一サプライヤーからの高NA EUVリソグラフィツールの入手可能性が挙げられ、これが短期的な3nm以下の生産能力拡大を制限しています。

競争環境については、市場集中度、戦略的動向、市場シェア分析が行われています。主要企業としては、Intel Corporation、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)、Samsung Electronics Co., Ltd.、Texas Instruments Incorporated、NXP Semiconductors N.V.、STMicroelectronics N.V.、onsemi (ON Semiconductor Corp.)、Renesas Electronics Corporation、Analog Devices, Inc.、Broadcom Inc.、Infineon Technologies AG、Microchip Technology Incorporated、Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.、Skyworks Solutions, Inc.、ROHM Co., Ltd.、Marvell Technology, Inc.、MediaTek Inc.、Silicon Laboratories Inc.、Lattice Semiconductor Corporationなどが挙げられます。

本レポートでは、市場機会と将来の展望についても分析されており、未開拓の領域や満たされていないニーズの評価も含まれています。

1. はじめに

• 1.1 調査の前提条件と市場の定義

• 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概況

• 4.1 市場概要

• 4.2 市場の推進要因
  • 4.2.1 エッジAI駆動の超低遅延ロジックIC需要

  • 4.2.2 高信頼性ロジックを必要とする車載ADASおよびドメインコントローラー

  • 4.2.3 政府支援による先端ノードFABインセンティブ（米国CHIPS法、中国IC基金）

  • 4.2.4 3D/2.5Dヘテロジニアス統合によるパッケージあたりのロジックIC含有量の加速

  • 4.2.5 バッテリー駆動IoTノードの急速な普及によるサブµWロジック需要

• 4.3 市場の阻害要因
  • 4.3.1 極端紫外線リソグラフィ装置のボトルネック

  • 4.3.2 5nm未満設計のNREおよびIPライセンスコストの高騰

  • 4.3.3 EDAおよびプロセス装置に対する地政学的輸出規制

  • 4.3.4 先端ロジック設計および検証における世界的な人材不足

• 4.4 バリューチェーン分析

• 4.5 規制または技術的展望

• 4.6 ポーターの5つの力分析
  • 4.6.1 供給者の交渉力

  • 4.6.2 買い手の交渉力

  • 4.6.3 新規参入の脅威

  • 4.6.4 競争の激しさ

  • 4.6.5 代替品の脅威

• 4.7 投資分析

• 4.8 マクロ経済要因が市場に与える影響

5. 市場規模と成長予測（金額および数量）

• 5.1 ICタイプ別
  • 5.1.1 デジタルバイポーラロジック

  • 5.1.2 MOSロジック

  • 5.1.2.1 汎用

  • 5.1.2.2 ゲートアレイ

  • 5.1.2.3 ドライバー/コントローラー

  • 5.1.2.4 標準セル

  • 5.1.2.5 特殊用途

• 5.2 テクノロジーノード別
  • 5.2.1 ≥ 45 nm

  • 5.2.2 20-44 nm

  • 5.2.3 10-19 nm

  • 5.2.4 7-9 nm

  • 5.2.5 ≤ 5 nm

• 5.3 ウェハーサイズ別
  • 5.3.1 ≤150 mm

  • 5.3.2 200 mm

  • 5.3.3 300 mm

• 5.4 用途別
  • 5.4.1 家庭用電化製品

  • 5.4.2 自動車

  • 5.4.3 ITおよび通信インフラ

  • 5.4.4 コンピューター/データセンター

  • 5.4.5 産業および自動化

  • 5.4.6 医療およびヘルスケア機器

  • 5.4.7 その他の用途

• 5.5 地域別
  • 5.5.1 北米

  • 5.5.1.1 米国

  • 5.5.1.2 カナダ

  • 5.5.1.3 メキシコ

  • 5.5.2 ヨーロッパ

  • 5.5.2.1 ドイツ

  • 5.5.2.2 フランス

  • 5.5.2.3 イギリス

  • 5.5.2.4 北欧諸国

  • 5.5.2.5 その他のヨーロッパ

  • 5.5.3 アジア太平洋

  • 5.5.3.1 中国

  • 5.5.3.2 台湾

  • 5.5.3.3 韓国

  • 5.5.3.4 日本

  • 5.5.3.5 インド

  • 5.5.3.6 その他のアジア太平洋

  • 5.5.4 南米

  • 5.5.4.1 ブラジル

  • 5.5.4.2 メキシコ

  • 5.5.4.3 アルゼンチン

  • 5.5.4.4 その他の南米

  • 5.5.5 中東およびアフリカ

  • 5.5.5.1 中東

  • 5.5.5.1.1 サウジアラビア

  • 5.5.5.1.2 アラブ首長国連邦

  • 5.5.5.1.3 トルコ

  • 5.5.5.1.4 その他の中東

  • 5.5.5.2 アフリカ

  • 5.5.5.2.1 南アフリカ

  • 5.5.5.2.2 その他のアフリカ

6. 競合情勢

• 6.1 市場集中度

• 6.2 戦略的動向

• 6.3 市場シェア分析

• 6.4 企業プロファイル（グローバルレベルの概要、市場レベルの概要、主要セグメント、財務、戦略情報、市場ランク/シェア、製品とサービス、最近の動向を含む）
  • 6.4.1 インテル株式会社

  • 6.4.2 台湾積体電路製造株式会社 (TSMC)

  • 6.4.3 サムスン電子株式会社

  • 6.4.4 テキサス・インスツルメンツ

  • 6.4.5 NXPセミコンダクターズN.V.

  • 6.4.6 STマイクロエレクトロニクスN.V.

  • 6.4.7 onsemi (ONセミコンダクター)

  • 6.4.8 ルネサスエレクトロニクス株式会社

  • 6.4.9 アナログ・デバイセズ

  • 6.4.10 ブロードコム

  • 6.4.11 インフィニオン・テクノロジーズAG

  • 6.4.12 マイクロチップ・テクノロジー

  • 6.4.13 東芝デバイス＆ストレージ株式会社

  • 6.4.14 スカイワークス・ソリューションズ

  • 6.4.15 ローム株式会社

  • 6.4.16 マーベル・テクノロジー

  • 6.4.17 メディアテック

  • 6.4.18 シリコン・ラボラトリーズ

  • 6.4.19 ラティス・セミコンダクター

  • 6.4.20 ダイアログ・セミコンダクター Plc (ルネサス)

7. 市場機会と将来展望