次世代トランジスタのグローバル市場2022-2028：HEMT（高電子移動度トランジスタ）、BJT（バイポーラ接合トランジスタ）、FET（電界効果トランジスタ）、MET（マルチエミッタトランジスタ）、デュアルゲートMOSFET、その他
• 英文タイトル：Global Next Generation Transistor Market Growth 2022-2028• レポートコード：MRC22NVL08096
• 出版日：2022年10月
次世代トランジスタの世界市場2021-2026：成長・動向・新型コロナの影響・市場予測
• 英文タイトル：Next-Generation Transistors Market - Growth, Trends, COVID-19 Impact, and Forecasts (2021 - 2026)• レポートコード：MRC2103A177
• 出版日：2021年2月15日
次世代トランジスタの世界市場：材料別（横方向拡散金属酸化膜半導体（LDMOS）、ガリウムひ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、ひ化インジウム（InAs）、リン化インジウム（InP）、その他）、タイプ別（高電子移動度トランジスタ（HEMT）、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）、電界効果トランジスタ（FET）、多重エミッタトランジスタ（MET）、デュアルゲート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOS FET）、その他）、エンドユーザー産業別、地域別分析
• 英文タイトル：Global Next-Generation Transistors Market - Segmented by Type (High Electron Mobility Transistor (HEMT), Bipolar Junction Transistor (BJT), Field Effect Transistors (FET), Multiple Emitter Transistor (MET), Dual Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effective Transistor), End-user Industry (Aerospace and Defense, Industrial, Telecommunications, Consumer Electronics), and Region - Growth, Trends, and Forecast (2018 - 2023)• レポートコード：B-MOR-08397
• 出版日：2018年5月14日