不揮発性メモリ市場の展望(2023年~2033年)
不揮発性メモリの世界市場は、2022年の645億米ドルから2023年には703億米ドルに達すると推定される。2023年から2033年までの年平均成長率は8.0%である。2033年の市場規模は1,520億米ドルに達すると予測される。
過去10年間、半導体業界は、ポータブル・システム市場の拡大により、バルク・ストレージ・アプリケーション用の不揮発性メモリ(NVM)ソリューションへの関心を高めてきた。不揮発性メモリー業界は、消費電力の削減、迅速なメモリー管理、高効率に対する需要の急増により拡大している。
世界中のユーザーは、活況を呈するコンシューマー・エレクトロニクス市場において、デバイスが継続的にパワーアップし、電光石火のスピードで新機能を提供し、より多くの音楽、映画、画像を保存することを望んでいる。フラッシュは過去数十年にわたり技術革新を大きく促進してきたにもかかわらず、そのスケーリングは限界に達しており、新しいメモリに置き換える必要があります。
フラッシュ・メモリーは低コストで消費電力が少ないため、コンシューマー機器への搭載が進んでおり、市場拡大にとって重要な役割を担っている。ウェアラブル技術やスマートフォンでは、不揮発性メモリーを活用して記憶容量を増やし、メモリー・アクセスを高速化している。
市場の拡大には、この分野での研究量の増加も拍車をかけている。例えば、Infineon Technologies LLCは、第2世代の不揮発性スタティック・ランダム・アクセス・メモリーを2021年3月にリリースすると発表した。
これらは高信頼性産業仕様およびQML-Qに準拠しています。また、主に産業用や航空宇宙用などの厳しい環境での不揮発性コードストレージをサポートすることを目的としています。
これと同様に、サムスンは2021年初めに、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリの磁気トンネル接合機能を改善し、フラッシュ型集積磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリに対応するために14nm技術をアップグレードしたと発表した。これは、書き込み速度と密度を高めることを意図したものである。同事業はまた、今後発売されるNVM ICをモノのインターネット機器、マイクロコントローラー、ウェアラブル機器に使用することを目指している。
2018年から2022年にかけての不揮発性メモリの売上は、2023年から2033年にかけての需要をどのように上回るのか?
Persistence Market Research(PMR)が発表した調査レポートによると、世界の不揮発性メモリ市場は2023年から2033年にかけて年平均成長率8.0%を記録すると予測されている。2018年から2022年までのCAGRは8.9%でかなりの成長を示した。
デバイス・フラッシュ・メモリ・アプリケーションは、コンシューマー・エレクトロニクスの需要の高まりと市場への浸透によって可能になった。全地球測位システム、携帯電話、ノートパソコン、デジタルカメラ、電子楽器などがこのタイプのメモリーを使用している。データセンター・ソリューションの数多くのプロバイダーが、広く採用している。データセンターの 需要は、クラウド技術の採用とともに指数関数的に増加している。
クラウドストレージ、フラッシュストレージ、企業データセンターは、モノのインターネットデバイスや人工知能/機械学習アプリケーションの人気が高まっているため、ディープラーニングのトレーニングに適している。これらは高いスループットと低遅延のクラウドストレージを必要とする。データセンターの規模と数が拡大した結果、需要はさらに増加すると予想される。
不揮発性メモリの需要に影響を与える主な要因は?
不揮発性メモリは、電源が遮断されても情報を保持することができる。不揮発性メモリの用途は、小売業、軍事・航空宇宙、家電、農業、工業、企業向けストレージ、ヘルスケア、自動車・運輸、エネルギー・電力、通信などの業界に及ぶ。
不揮発性メモリは、バッテリー寿命が長いため、スマートウォッチやスマートグラスのような新世代のウェアラブルデバイスに使用されている。不揮発性メモリは、プリンター、スマートスピーカー、ストリーミングデバイスにも使用されている。
市場のベンダー各社は、高まる需要に対応するため、優れた機能を備えた新しいソリューションの創出に注力している。例えば、2021年2月、Western Digital Corp.とKioxia Corporationは、162層の第6世代3Dフラッシュメモリー技術の創出を発表した。業界で最も洗練された高密度の3Dフラッシュ・メモリであるこの技術は、数多くの技術と製造の進歩を利用している。
国別の洞察
米国は不揮発性メモリーの売上高をどう伸ばすか?
米国の不揮発性メモリ市場は、2033年までに246億米ドルの評価額で急増し、今後10年間で125億米ドルの機会増が見込まれる。2023年から2033年までのCAGRは7.4%で、かなりの成長を示すと予測されている。
デジタル・レクリエーション、テレビ会議、ビデオ・電話サービスの需要の高まりにより、米国ではデータセンターを含む斬新な新インフラの建設が拡大している。 したがって、デジタル経済の急速な発展により、大規模なビッグデータセンターを国内に設置することが不可欠となっている。
英国は驚異的な不揮発性メモリ需要を見せるか?
Persistence Market Researchによると、イギリスの不揮発性メモリ市場は2033年までに40億米ドルになると予測されている。2018年から2022年にかけて記録されたCAGR4.4%から予測期間には6.4%のCAGRを目撃する可能性が高い。
その超低消費電力要件により、NORフラッシュ・メモリは英国全土で絶大な人気を博している。例えば、インフィニオン・テクノロジーズは2022年1月、SEMPER NORフラッシュ・チップ・ファミリーをサポートする新しい開発ツールをリリースした。また、セーフティクリティカルで本質的に安全な通信、産業、車載システムの迅速な構築も容易になる。
日本の不揮発性メモリー企業はどのように進歩しているのか?
日本の不揮発性メモリ市場は2033年までに234億米ドルになると予測されるとPersistence Market Research社は発表している。2023年から2033年までの年平均成長率は8.3%になると予測されている。同国は、推定期間中に128億米ドルの絶対的なドル機会を創出する可能性が高い。
予測期間中、日本の不揮発性メモリ市場は、そのアプリケーション基盤の拡大によって牽引されると予測されている。予測によると、不揮発性メモリが従来のストレージに取って代わるにつれ、業界は拡大すると予測されている。
また、素早いスイッチング時間、高耐久性、低消費電力といった利点も、予測期間を通じて市場の拡大を支えるものと予想される。今後10年間、日本市場は、高価な技術進歩や限られたメモリー容量によって阻害される可能性がある。適応可能な電子機器の導入が、さらに新たな市場拡大の展望を開く可能性がある。
なぜ韓国では不揮発性メモリの販売が増加するのか?
韓国の不揮発性メモリ産業は、今後10年間に年平均成長率8.5%で拡大すると予想されている。Persistence Market Researchによると、韓国の評価額は2033年までに92億米ドルに達すると予測されている。韓国には2033年までに約51億米ドルのビジネスチャンスが見込まれている。
不揮発性メモリ(NVM)は、韓国では一般的に長期一貫保存や二次保存に利用されている。光磁気(DVD、CD)メディア、磁気(テープ、ディスケット、ディスク)、デジタルカメラ、USBメモリのフラッシュメモリなど、不揮発性メモリはデジタルメディアの中で非常に一般的である。
不揮発性メモリー(NVM)は、定期的な更新が必要な記憶装置とは対照的に、ユーザーが設定可能な技術を使用している。不揮発性メモリー(NVM)は、その低コストと低電力要件から、国内の家電ビジネスで広く使用されることが期待されている。
カテゴリー別インサイト
世界における不揮発性メモリの主要用途は?
アプリケーション別では、コンシューマーエレクトロニクスカテゴリーは、2023年から2033年までのCAGRが7.8%になると予測されている(過去期間のCAGRは8.5%)。この分野は、高性能スマートフォンが世界中で生産されるにつれて急成長すると予測される。
これらのスマートフォンは、最先端のハードウェアと不揮発性メモリを活用することで、データアクセスを高速化し、ユーザーの幸福度を高めている。高速性能を支えるNAND型フラッシュメモリは、次世代携帯電話の共通機能である。その結果、これらすべての要素が市場拡大をもたらし、セグメントを押し上げると予想される。
競争環境:
世界の不揮発性メモリー市場の主要企業には、クロスバー社、マイクロン・テクノロジー社、サムスン電子社、アデスト・テクノロジーズ社、ナンテロ社、東芝社、マイクロチップ・テクノロジー社、SKハイニックス社、インテル社、ウェスタン・デジタル社などがある。
不揮発性メモリー業界は強力な競合他社で混雑している。同業界の競争は、主にイノベーションに基づく持続的競争優位性、市場の飽和度、競争戦略の有効性に依存している。グローバル市場は多くの資本を必要とするため、撤退障壁が高い。
不揮発性メモリー市場における最近の動きは以下の通りである:
2022年11月、韓国の半導体メーカー、サムスン電子が垂直NAND(VNAND)メモリーチップの量産を開始したと発表した。このメモリーを大規模に開発した背景には、高いビット密度を実現できることがある。1テラビットのトリプルレベルセル第8世代V-NANDチップセットである。同社は表面積を減らすために3Dスケーリング技術を使用している。また、この新しいV-NANDメモリ・チップセットの入出力速度は2.4ギガビット/秒で、PCIe 4.0およびPCIe 5.0での使用に適していると発表している。
2022年8月 、不揮発性メモリーを製造する台湾のマクロニクス・インターナショナル社は、ルネサス エレクトロニクス社のマイクロコントローラーが同社のオクタフラッシュMX66UW1G45GXDI00フラッシュメモリーを採用すると発表した。ルネサスのRZシリーズマイクロプロセッサおよびマイクロコントローラは、これらのメモリでサポートされる予定です。マクロニクスとルネサスは協業することで、メモリ保護ユニットに基づくソリューションの構築を容易かつ低コストで実現する強力なツールを開発者に提供したいと考えています。
不揮発性メモリのカテゴリー別市場展望:
タイプ別
従来の不揮発性メモリ
フラッシュメモリ
プログラマブル読み出し専用メモリ
不揮発性スタティック・ランダム・アクセス・メモリー
組み込み型
電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ
新しい不揮発性メモリ
3D NAND
スピン転移トルク磁気ランダムアクセスメモリー
強誘電体ランダムアクセスメモリー
抵抗ランダムアクセスメモリー/導電性ブリッジ・ランダムアクセスメモリー
不揮発性デュアル・インライン・メモリー・モジュール
3Dエクスポイント
不揮発性ランダムアクセスメモリー
その他
ナノブリッジ
量子ドット
ヤスデ
分子
透明/フレキシブル不揮発性メモリー
ウェハーサイズ別:
200 mm
300 mm
450 mm
エンドユーザー別
コンシューマー・エレクトロニクス
エンタープライズ・ストレージ
自動車・運輸
軍事・航空宇宙
インダストリアル
テレコミュニケーション
エネルギーと電力
ヘルスケア
農業
小売
地域別
北米
ヨーロッパ
アジア太平洋
ラテンアメリカ
中東・アフリカ